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메모리 IC

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부품 번호
설명
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수량
DS1245W-150+
DS1245W-150+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 1M PARALLEL 32EDIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 150ns
  • 접근 시간: 150ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 32-EDIP
재고 있음7,380
DS1245WP-100+
DS1245WP-100+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 1M PARALLEL 34PWRCAP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 34-PowerCap™ Module
  • 공급자 장치 패키지: 34-PowerCap Module
재고 있음4,140
DS1245WP-100IND+
DS1245WP-100IND+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 1M PARALLEL 34PWRCAP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 34-PowerCap™ Module
  • 공급자 장치 패키지: 34-PowerCap Module
재고 있음6,228
DS1245WP-150
DS1245WP-150

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 1M PARALLEL 34PWRCAP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 150ns
  • 접근 시간: 150ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 34-PowerCap™ Module
  • 공급자 장치 패키지: 34-PowerCap Module
재고 있음2,160
DS1245WP-150+
DS1245WP-150+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 1M PARALLEL 34PWRCAP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 150ns
  • 접근 시간: 150ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 34-PowerCap™ Module
  • 공급자 장치 패키지: 34-PowerCap Module
재고 있음3,222
DS1245X-70+
DS1245X-70+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 1MBIT PCM MODULE

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: *
  • 메모리 유형: -
  • 메모리 포맷: -
  • 기술: -
  • 메모리 크기: -
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음4,536
DS1245X-70IND+
DS1245X-70IND+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 1MBIT PCM MODULE

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: *
  • 메모리 유형: -
  • 메모리 포맷: -
  • 기술: -
  • 메모리 크기: -
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음2,574
DS1245XP-70+
DS1245XP-70+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 1MBIT PCM MODULE

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: *
  • 메모리 유형: -
  • 메모리 포맷: -
  • 기술: -
  • 메모리 크기: -
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음5,130
DS1245XP-70IND+
DS1245XP-70IND+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 1MBIT PCM MODULE

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: *
  • 메모리 유형: -
  • 메모리 포맷: -
  • 기술: -
  • 메모리 크기: -
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음5,040
DS1245Y-100
DS1245Y-100

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 1M PARALLEL 32EDIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 32-EDIP
재고 있음570
DS1245Y-100+
DS1245Y-100+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 1M PARALLEL 32EDIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 32-EDIP
재고 있음19,248
DS1245Y-120
DS1245Y-120

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 1M PARALLEL 32EDIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 120ns
  • 접근 시간: 120ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 32-EDIP
재고 있음3,744
DS1245Y-120+
DS1245Y-120+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 1M PARALLEL 32EDIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 120ns
  • 접근 시간: 120ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 32-EDIP
재고 있음8,046
DS1245Y-120IND
DS1245Y-120IND

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 1M PARALLEL 32EDIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 120ns
  • 접근 시간: 120ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 32-EDIP
재고 있음2,736
DS1245Y-120IND+
DS1245Y-120IND+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 1M PARALLEL 32EDIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 120ns
  • 접근 시간: 120ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 32-EDIP
재고 있음6,498
DS1245Y-70
DS1245Y-70

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 1M PARALLEL 32EDIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 32-EDIP
재고 있음1,321
DS1245Y-70+
DS1245Y-70+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 1M PARALLEL 32EDIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 32-EDIP
재고 있음5,227
DS1245Y-70IND
DS1245Y-70IND

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 1M PARALLEL 32EDIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 32-EDIP
재고 있음3,822
DS1245Y-70IND+
DS1245Y-70IND+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 1M PARALLEL 32EDIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 32-EDIP
재고 있음432
DS1245Y-85
DS1245Y-85

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 1M PARALLEL 32EDIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 85ns
  • 접근 시간: 85ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 32-EDIP
재고 있음4,464
DS1245Y-85+
DS1245Y-85+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 1M PARALLEL 32EDIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 85ns
  • 접근 시간: 85ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 32-EDIP
재고 있음98
DS1245YL-100
DS1245YL-100

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 1M PARALLEL 34LPM

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 34-LPM
  • 공급자 장치 패키지: 34-LPM
재고 있음4,194
DS1245YL-70
DS1245YL-70

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 1M PARALLEL 34LPM

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 34-LPM
  • 공급자 장치 패키지: 34-LPM
재고 있음2,754
DS1245YL-70IND
DS1245YL-70IND

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 1M PARALLEL 34LPM

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 34-LPM
  • 공급자 장치 패키지: 34-LPM
재고 있음5,112
DS1245YP-100
DS1245YP-100

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 1M PARALLEL 34PWRCAP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 34-PowerCap™ Module
  • 공급자 장치 패키지: 34-PowerCap Module
재고 있음3,852
DS1245YP-100+
DS1245YP-100+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 1M PARALLEL 34PWRCAP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 34-PowerCap™ Module
  • 공급자 장치 패키지: 34-PowerCap Module
재고 있음2,232
DS1245YP-70
DS1245YP-70

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 1M PARALLEL 34PWRCAP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 34-PowerCap™ Module
  • 공급자 장치 패키지: 34-PowerCap Module
재고 있음5,220
DS1245YP-70+
DS1245YP-70+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 1M PARALLEL 34PWRCAP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 34-PowerCap™ Module
  • 공급자 장치 패키지: 34-PowerCap Module
재고 있음2,178
DS1245YP-70IND
DS1245YP-70IND

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 1M PARALLEL 34PWRCAP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 34-PowerCap™ Module
  • 공급자 장치 패키지: 34-PowerCap Module
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DS1245YP-70IND+
DS1245YP-70IND+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 1M PARALLEL 34PWRCAP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 34-PowerCap™ Module
  • 공급자 장치 패키지: 34-PowerCap Module
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