메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
DS1249AB-100 Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 2M PARALLEL 32EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 2Mb (256K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 32-EDIP	재고 있음7,434
DS1249AB-70 Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 2M PARALLEL 32EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 2Mb (256K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 32-EDIP	재고 있음5,526
DS1249AB-70# Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 2M PARALLEL 32EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 2Mb (256K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 32-EDIP	재고 있음27
DS1249AB-70IND Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 2M PARALLEL 32EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 2Mb (256K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 32-EDIP	재고 있음3,960
DS1249AB-70IND# Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 2M PARALLEL 32EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 2Mb (256K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 32-EDIP	재고 있음183
DS1249AB-85 Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 2M PARALLEL 32EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 2Mb (256K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 85ns 접근 시간: 85ns 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 32-EDIP	재고 있음5,760
DS1249AB-85IND Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 2M PARALLEL 32EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 2Mb (256K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 85ns 접근 시간: 85ns 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 32-EDIP	재고 있음8,478
DS1249W-100 Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 2M PARALLEL 32EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 2Mb (256K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 32-EDIP	재고 있음4,734
DS1249W-100# Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 2M PARALLEL 32EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 2Mb (256K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 32-EDIP	재고 있음2,448
DS1249W-100IND# Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 2M PARALLEL 32EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 2Mb (256K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 32-EDIP	재고 있음4,356
DS1249W-100IND Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 2M PARALLEL 32EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 2Mb (256K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 32-EDIP	재고 있음6,786
DS1249W-150 Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 2M PARALLEL 32EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 2Mb (256K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 150ns 접근 시간: 150ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 32-EDIP	재고 있음2,286
DS1249Y-100 Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 2M PARALLEL 32EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 2Mb (256K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 32-EDIP	재고 있음2,682
DS1249Y-100# Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 2M PARALLEL 32EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 2Mb (256K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 32-EDIP	재고 있음6,210
DS1249Y-70 Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 2M PARALLEL 32EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 2Mb (256K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 32-EDIP	재고 있음2,016
DS1249Y-70# Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 2M PARALLEL 32EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 2Mb (256K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 32-EDIP	재고 있음57
DS1249Y-70IND Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 2M PARALLEL 32EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 2Mb (256K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 32-EDIP	재고 있음2,034
DS1249Y-70IND# Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 2M PARALLEL 32EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 2Mb (256K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 32-EDIP	재고 있음6
DS1249Y-85# Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 2M PARALLEL 32EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 2Mb (256K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 85ns 접근 시간: 85ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 32-EDIP	재고 있음6,246
DS1249Y-85 Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 2M PARALLEL 32EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 2Mb (256K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 85ns 접근 시간: 85ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 32-EDIP	재고 있음4,194
DS1249Y-85IND Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 2M PARALLEL 32EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 2Mb (256K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 85ns 접근 시간: 85ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 32-EDIP	재고 있음4,808
DS1249Y-85IND# Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 2M PARALLEL 32EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 2Mb (256K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 85ns 접근 시간: 85ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 32-EDIP	재고 있음8,964
DS1250AB-100 Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 32-EDIP	재고 있음7,884
DS1250AB-100+ Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 32-EDIP	재고 있음288
DS1250AB-100IND Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 32-EDIP	재고 있음4,572
DS1250AB-100IND+ Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 32-EDIP	재고 있음21
DS1250AB-70 Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 32-EDIP	재고 있음2,250
DS1250AB-70+ Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 32-EDIP	재고 있음88
DS1250AB-70IND Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 32-EDIP	재고 있음2,196
DS1250AB-70IND+ Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 32-EDIP	재고 있음6,012

DS1249AB-100

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 2M PARALLEL 32EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 2Mb (256K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 32-EDIP

재고 있음7,434

DS1249AB-70

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 2M PARALLEL 32EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 2Mb (256K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 32-EDIP

재고 있음5,526

DS1249AB-70#

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 2M PARALLEL 32EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 2Mb (256K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 32-EDIP

재고 있음27

DS1249AB-70IND

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 2M PARALLEL 32EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 2Mb (256K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 32-EDIP

재고 있음3,960

DS1249AB-70IND#

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 2M PARALLEL 32EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 2Mb (256K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 32-EDIP

재고 있음183

DS1249AB-85

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 2M PARALLEL 32EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 2Mb (256K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 85ns
접근 시간: 85ns
전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 32-EDIP

재고 있음5,760

DS1249AB-85IND

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 2M PARALLEL 32EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 2Mb (256K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 85ns
접근 시간: 85ns
전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 32-EDIP

재고 있음8,478

DS1249W-100

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 2M PARALLEL 32EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 2Mb (256K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 32-EDIP

재고 있음4,734

DS1249W-100#

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 2M PARALLEL 32EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 2Mb (256K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 32-EDIP

재고 있음2,448

DS1249W-100IND#

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 2M PARALLEL 32EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 2Mb (256K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 32-EDIP

재고 있음4,356

DS1249W-100IND

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 2M PARALLEL 32EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 2Mb (256K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 32-EDIP

재고 있음6,786

DS1249W-150

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 2M PARALLEL 32EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 2Mb (256K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 150ns
접근 시간: 150ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 32-EDIP

재고 있음2,286

DS1249Y-100

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 2M PARALLEL 32EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 2Mb (256K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 32-EDIP

재고 있음2,682

DS1249Y-100#

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 2M PARALLEL 32EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 2Mb (256K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 32-EDIP

재고 있음6,210

DS1249Y-70

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 2M PARALLEL 32EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 2Mb (256K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 32-EDIP

재고 있음2,016

DS1249Y-70#

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 2M PARALLEL 32EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 2Mb (256K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 32-EDIP

재고 있음57

DS1249Y-70IND

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 2M PARALLEL 32EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 2Mb (256K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 32-EDIP

재고 있음2,034

DS1249Y-70IND#

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 2M PARALLEL 32EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 2Mb (256K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 32-EDIP

재고 있음6

DS1249Y-85#

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 2M PARALLEL 32EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 2Mb (256K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 85ns
접근 시간: 85ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 32-EDIP

재고 있음6,246

DS1249Y-85

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 2M PARALLEL 32EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 2Mb (256K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 85ns
접근 시간: 85ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 32-EDIP

재고 있음4,194

DS1249Y-85IND

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 2M PARALLEL 32EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 2Mb (256K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 85ns
접근 시간: 85ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 32-EDIP

재고 있음4,808

DS1249Y-85IND#

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 2M PARALLEL 32EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 2Mb (256K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 85ns
접근 시간: 85ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 32-EDIP

재고 있음8,964

DS1250AB-100

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 32-EDIP

재고 있음7,884

DS1250AB-100+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 32-EDIP

재고 있음288

DS1250AB-100IND

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 32-EDIP

재고 있음4,572

DS1250AB-100IND+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 32-EDIP

재고 있음21

DS1250AB-70

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 32-EDIP

재고 있음2,250

DS1250AB-70+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 32-EDIP

재고 있음88

DS1250AB-70IND

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 32-EDIP

재고 있음2,196

DS1250AB-70IND+

Maxim Integrated

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IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 32-EDIP

재고 있음6,012

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