메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
DS1225AD-70IND Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 28-EDIP	재고 있음8,784
DS1225AD-70IND+ Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 28-EDIP	재고 있음959
DS1225AD-85 Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 85ns 접근 시간: 85ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 28-EDIP	재고 있음5,544
DS1225AD-85+ Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 85ns 접근 시간: 85ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 28-EDIP	재고 있음8,694
DS1225Y-150+ Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 150ns 접근 시간: 150ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 28-EDIP	재고 있음19,573
DS1225Y-150IND+ Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 150ns 접근 시간: 150ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 28-EDIP	재고 있음4,536
DS1225Y-170+ Maxim Integrated	기억 IC INTEGRATED CIRCUIT 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,670
DS1225Y-200+ Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 200ns 접근 시간: 200ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 28-EDIP	재고 있음2,691
DS1225Y-200IND+ Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 64Kb (8K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 200ns 접근 시간: 200ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 28-EDIP	재고 있음5,220
DS1230AB-100 Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 28-EDIP	재고 있음2,766
DS1230AB-100+ Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 28-EDIP	재고 있음6,732
DS1230AB-120 Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 120ns 접근 시간: 120ns 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 28-EDIP	재고 있음5,688
DS1230AB-120+ Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 120ns 접근 시간: 120ns 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 28-EDIP	재고 있음6,894
DS1230AB-120IND Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 120ns 접근 시간: 120ns 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 28-EDIP	재고 있음3,330
DS1230AB-120IND+ Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 120ns 접근 시간: 120ns 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 28-EDIP	재고 있음4,554
DS1230AB-150 Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 150ns 접근 시간: 150ns 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 28-EDIP	재고 있음480
DS1230AB-150+ Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 150ns 접근 시간: 150ns 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 28-EDIP	재고 있음6,168
DS1230AB-200 Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 200ns 접근 시간: 200ns 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 28-EDIP	재고 있음2,574
DS1230AB-200+ Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 200ns 접근 시간: 200ns 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 28-EDIP	재고 있음4,644
DS1230AB-200IND Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 200ns 접근 시간: 200ns 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 28-EDIP	재고 있음5,130
DS1230AB-70 Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 28-EDIP	재고 있음6,768
DS1230AB-70+ Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 28-EDIP	재고 있음6,012
DS1230AB-70IND Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 28-EDIP	재고 있음7,092
DS1230AB-70IND+ Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 28-EDIP	재고 있음6,714
DS1230AB-85 Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 85ns 접근 시간: 85ns 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 28-EDIP	재고 있음7,830
DS1230AB-85+ Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 85ns 접근 시간: 85ns 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 28-EDIP	재고 있음3,654
DS1230ABP-100 Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 256K PARALLEL 34PWRCAP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 34-PowerCap™ Module 공급자 장치 패키지: 34-PowerCap Module	재고 있음6,979
DS1230ABP-100+ Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 256K PARALLEL 34PWRCAP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 34-PowerCap™ Module 공급자 장치 패키지: 34-PowerCap Module	재고 있음7,650
DS1230ABP-70 Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 256K PARALLEL 34PWRCAP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 34-PowerCap™ Module 공급자 장치 패키지: 34-PowerCap Module	재고 있음3,678
DS1230ABP-70+ Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 256K PARALLEL 34PWRCAP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 34-PowerCap™ Module 공급자 장치 패키지: 34-PowerCap Module	재고 있음5,634

DS1225AD-70IND

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 28-EDIP

재고 있음8,784

DS1225AD-70IND+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 28-EDIP

재고 있음959

DS1225AD-85

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 85ns
접근 시간: 85ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 28-EDIP

재고 있음5,544

DS1225AD-85+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 85ns
접근 시간: 85ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 28-EDIP

재고 있음8,694

DS1225Y-150+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 150ns
접근 시간: 150ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 28-EDIP

재고 있음19,573

DS1225Y-150IND+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 150ns
접근 시간: 150ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 28-EDIP

재고 있음4,536

DS1225Y-170+

Maxim Integrated

기억

IC INTEGRATED CIRCUIT

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,670

DS1225Y-200+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 200ns
접근 시간: 200ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 28-EDIP

재고 있음2,691

DS1225Y-200IND+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 200ns
접근 시간: 200ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 28-EDIP

재고 있음5,220

DS1230AB-100

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 28-EDIP

재고 있음2,766

DS1230AB-100+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 28-EDIP

재고 있음6,732

DS1230AB-120

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 120ns
접근 시간: 120ns
전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 28-EDIP

재고 있음5,688

DS1230AB-120+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 120ns
접근 시간: 120ns
전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 28-EDIP

재고 있음6,894

DS1230AB-120IND

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 120ns
접근 시간: 120ns
전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 28-EDIP

재고 있음3,330

DS1230AB-120IND+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 120ns
접근 시간: 120ns
전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 28-EDIP

재고 있음4,554

DS1230AB-150

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 150ns
접근 시간: 150ns
전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 28-EDIP

재고 있음480

DS1230AB-150+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 150ns
접근 시간: 150ns
전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 28-EDIP

재고 있음6,168

DS1230AB-200

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 200ns
접근 시간: 200ns
전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 28-EDIP

재고 있음2,574

DS1230AB-200+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 200ns
접근 시간: 200ns
전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 28-EDIP

재고 있음4,644

DS1230AB-200IND

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 200ns
접근 시간: 200ns
전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 28-EDIP

재고 있음5,130

DS1230AB-70

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 28-EDIP

재고 있음6,768

DS1230AB-70+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 28-EDIP

재고 있음6,012

DS1230AB-70IND

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 28-EDIP

재고 있음7,092

DS1230AB-70IND+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 28-EDIP

재고 있음6,714

DS1230AB-85

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 85ns
접근 시간: 85ns
전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 28-EDIP

재고 있음7,830

DS1230AB-85+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 85ns
접근 시간: 85ns
전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 28-EDIP

재고 있음3,654

DS1230ABP-100

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 256K PARALLEL 34PWRCAP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 34-PowerCap™ Module
공급자 장치 패키지: 34-PowerCap Module

재고 있음6,979

DS1230ABP-100+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 256K PARALLEL 34PWRCAP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 34-PowerCap™ Module
공급자 장치 패키지: 34-PowerCap Module

재고 있음7,650

DS1230ABP-70

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 256K PARALLEL 34PWRCAP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 34-PowerCap™ Module
공급자 장치 패키지: 34-PowerCap Module

재고 있음3,678

DS1230ABP-70+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 256K PARALLEL 34PWRCAP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 34-PowerCap™ Module
공급자 장치 패키지: 34-PowerCap Module

재고 있음5,634

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