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메모리 IC

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부품 번호
설명
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DS1250ABP-100
DS1250ABP-100

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IC NVSRAM 4M PARALLEL 34PWRCAP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 34-PowerCap™ Module
  • 공급자 장치 패키지: 34-PowerCap Module
재고 있음5,544
DS1250ABP-100+
DS1250ABP-100+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 4M PARALLEL 34PWRCAP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 34-PowerCap™ Module
  • 공급자 장치 패키지: 34-PowerCap Module
재고 있음261
DS1250ABP-70
DS1250ABP-70

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 4M PARALLEL 34PWRCAP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 34-PowerCap™ Module
  • 공급자 장치 패키지: 34-PowerCap Module
재고 있음4,037
DS1250ABP-70+
DS1250ABP-70+

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IC NVSRAM 4M PARALLEL 34PWRCAP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 34-PowerCap™ Module
  • 공급자 장치 패키지: 34-PowerCap Module
재고 있음287
DS1250ABP-70IND+
DS1250ABP-70IND+

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IC NVSRAM 4M PARALLEL 34PWRCAP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 34-PowerCap™ Module
  • 공급자 장치 패키지: 34-PowerCap Module
재고 있음205
DS1250ABP-70IND
DS1250ABP-70IND

Maxim Integrated

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IC NVSRAM 4M PARALLEL 34PWRCAP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 34-PowerCap™ Module
  • 공급자 장치 패키지: 34-PowerCap Module
재고 있음2,610
DS1250BL-100
DS1250BL-100

Maxim Integrated

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IC NVSRAM 4M PARALLEL 34LPM

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 34-LPM
  • 공급자 장치 패키지: 34-LPM
재고 있음7,578
DS1250BL-70
DS1250BL-70

Maxim Integrated

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IC NVSRAM 4M PARALLEL 34LPM

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 34-LPM
  • 공급자 장치 패키지: 34-LPM
재고 있음7,308
DS1250BL-70-IND
DS1250BL-70-IND

Maxim Integrated

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IC NVSRAM 4M PARALLEL 34LPM

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 34-LPM
  • 공급자 장치 패키지: 34-LPM
재고 있음5,904
DS1250W-100
DS1250W-100

Maxim Integrated

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IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 32-EDIP
재고 있음3,618
DS1250W-100+
DS1250W-100+

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IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 32-EDIP
재고 있음5,076
DS1250W-100IND
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IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 32-EDIP
재고 있음2,520
DS1250W-100IND+
DS1250W-100IND+

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IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 32-EDIP
재고 있음7,542
DS1250W-150
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Maxim Integrated

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IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 150ns
  • 접근 시간: 150ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 32-EDIP
재고 있음8,298
DS1250W-150+
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Maxim Integrated

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IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 150ns
  • 접근 시간: 150ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 32-EDIP
재고 있음4,626
DS1250WP-100+
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Maxim Integrated

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IC NVSRAM 4M PARALLEL 34PWRCAP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 34-PowerCap™ Module
  • 공급자 장치 패키지: 34-PowerCap Module
재고 있음2,106
DS1250WP-100IND+
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Maxim Integrated

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IC NVSRAM 4M PARALLEL 34PWRCAP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 34-PowerCap™ Module
  • 공급자 장치 패키지: 34-PowerCap Module
재고 있음8,208
DS1250WP-150
DS1250WP-150

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 4M PARALLEL 34PWRCAP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 150ns
  • 접근 시간: 150ns
  • 전압-공급: 3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 34-PowerCap™ Module
  • 공급자 장치 패키지: 34-PowerCap Module
재고 있음5,562
DS1250Y-100
DS1250Y-100

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 32-EDIP
재고 있음298
DS1250Y-100+
DS1250Y-100+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 32-EDIP
재고 있음5,328
DS1250Y-100IND
DS1250Y-100IND

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 32-EDIP
재고 있음5,616
DS1250Y-100IND+
DS1250Y-100IND+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 32-EDIP
재고 있음252
DS1250Y-70
DS1250Y-70

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 32-EDIP
재고 있음4,012
DS1250Y-70+
DS1250Y-70+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 32-EDIP
재고 있음721
DS1250Y-70IND
DS1250Y-70IND

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 32-EDIP
재고 있음184
DS1250Y-70IND+
DS1250Y-70IND+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 32-EDIP
재고 있음423
DS1250YL-100
DS1250YL-100

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 4M PARALLEL 34LPM

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 34-LPM
  • 공급자 장치 패키지: 34-LPM
재고 있음6,246
DS1250YL-70
DS1250YL-70

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 4M PARALLEL 34LPM

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 34-LPM
  • 공급자 장치 패키지: 34-LPM
재고 있음8,136
DS1250YL-70-IND
DS1250YL-70-IND

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 4M PARALLEL 34LPM

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 34-LPM
  • 공급자 장치 패키지: 34-LPM
재고 있음3,708
DS1250YP-100+
DS1250YP-100+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 4M PARALLEL 34PWRCAP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 34-PowerCap™ Module
  • 공급자 장치 패키지: 34-PowerCap Module
재고 있음1,198