트랜지스터

TPCP8004(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 8.3A PS-8

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSIV
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.3A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 4.2A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1270pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 840mW (Ta)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PS-8 (2.9x2.4)
• 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead

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TPCP8005-H(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 11A PS-8

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSV-H
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.9mOhm @ 5.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2150pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 840mW (Ta)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PS-8 (2.9x2.4)
• 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead

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TPCP8103-H(TE85LFM

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 40V 4.8A PS-8

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSIII-H
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.8A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 2.4A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 800pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 840mW (Ta)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PS-8 (2.9x2.4)
• 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead

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TPCP8J01(TE85L,F,M

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

X35 PB-FREE POWER MOSFET TRANSIS

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 32V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.5A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1760pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.14W (Ta)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PS-8
• 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead

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TPH11003NL,LQ

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 30V 32A 8SOP

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSVIII-H
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 5.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.5nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 660pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta), 21W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-SOP Advance (5x5)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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TPH11006NL,LQ

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 17A 8SOP

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSVIII-H
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 8.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 200µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2000pF @ 30V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta), 34W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-SOP Advance (5x5)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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TPH1110ENH,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 7.2A 8SOP

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSVIII-H
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.2A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 114mOhm @ 3.6A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 200µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 600pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta), 42W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-SOP Advance (5x5)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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TPH1110FNH,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 250V 15A 8-SOP

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSVIII-H
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 112mOhm @ 5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 300µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta), 57W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-SOP Advance (5x5)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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TPH12008NH,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 80V 24A SOP

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSVIII-H
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 12A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 300µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1900pF @ 40V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta), 48W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-SOP Advance (5x5)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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TPH14006NH,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 60V 14A 8-SOP ADV

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSVIII-H
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 7A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 200µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1300pF @ 30V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta), 32W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-SOP Advance (5x5)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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TPH1400ANH,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 100V 24A 8-SOP

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSVIII-H
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 12A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 300µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1900pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta), 48W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-SOP Advance (5x5)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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TPH1R005PL,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 45V 150A

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSIX-H
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 45V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.04mOhm @ 50A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 99nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9600pF @ 22.5V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 960mW (Ta), 170W (Tc)
• 작동 온도: 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-SOP Advance (5x5)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

TPH1R204PL,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 150A

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSIX-H
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 50A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 500µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 74nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7200pF @ 20V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 960mW (Ta), 132W (Tc)
• 작동 온도: 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-SOP Advance (5x5)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

TPH1R403NL,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 60A 8-SOP

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSVIII-H
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 30A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 500µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 46nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4400pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta), 64W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-SOP Advance (5x5)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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TPH1R712MD,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP ADV

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSVI
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 30A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 182nC @ 5V
• Vgs (최대): ±12V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10900pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 78W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-SOP Advance (5x5)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

TPH2010FNH,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 250V 5.6A 8SOP

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSVIII-H
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.6A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 198mOhm @ 2.8A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 200µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 600pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta), 42W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-SOP Advance (5x5)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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TPH2900ENH,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 33A SOP8

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSVIII-H
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 33A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 16.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2200pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 78W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-SOP Advance (5x5)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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TPH2R306NH,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 60V 60A SOP ADV

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSVIII-H
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 30A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 72nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6100pF @ 30V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta), 78W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-SOP Advance (5x5)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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TPH2R506PL,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSIX-H
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 30A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 500µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5435pF @ 30V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 132W (Tc)
• 작동 온도: 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-SOP Advance (5x5)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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TPH2R608NH,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 75V 150A SOP8

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSVIII-H
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 72nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6000pF @ 37.5V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 142W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-SOP Advance (5x5)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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TPH3202LD

Transphorm

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GANFET N-CH 600V 9A PQFN

• 제조업체: Transphorm
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: GaNFET (Gallium Nitride)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 8V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.3nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±18V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 760pF @ 480V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 65W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 4-PQFN (8x8)
• 패키지 / 케이스: 4-PowerDFN

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TPH3202LS

Transphorm

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GANFET N-CH 600V 9A PQFN

• 제조업체: Transphorm
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: GaNFET (Gallium Nitride)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 8V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.3nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±18V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 760pF @ 480V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 65W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 3-PQFN (8x8)
• 패키지 / 케이스: 3-PowerDFN

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TPH3202PD

Transphorm

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GANFET N-CH 600V 9A TO220

• 제조업체: Transphorm
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: GaNFET (Gallium Nitride)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 8V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.3nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±18V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 760pF @ 480V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 65W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220AB
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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TPH3202PS

Transphorm

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GANFET N-CH 600V 9A TO220

• 제조업체: Transphorm
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: GaNFET (Gallium Nitride)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 8V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.3nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±18V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 760pF @ 480V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 65W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220AB
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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TPH3205WSB

Transphorm

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GANFET N-CH 650V 36A TO247

• 제조업체: Transphorm
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: GaNFET (Gallium Nitride)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 36A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 22A, 8V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 700µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 8V
• Vgs (최대): ±18V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2200pF @ 400V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 125W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-247-3
• 패키지 / 케이스: TO-247-3

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TPH3205WSBQA

Transphorm

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GANFET N-CH 650V 35A TO247

• 제조업체: Transphorm
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101
• FET 유형: N-Channel
• 기술: GaNFET (Gallium Nitride)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 22A, 8V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 700µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 8V
• Vgs (최대): ±18V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2200pF @ 400V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 125W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-247-3
• 패키지 / 케이스: TO-247-3

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TPH3206LD

Transphorm

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GANFET N-CH 600V 17A PQFN

• 제조업체: Transphorm
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: GaNFET (Gallium Nitride)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 500µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.3nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±18V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 760pF @ 480V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 96W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PQFN (8x8)
• 패키지 / 케이스: 4-PowerDFN

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TPH3206LDB

Transphorm

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GANFET N-CH 650V 16A PQFN

• 제조업체: Transphorm
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: GaNFET (Gallium Nitride)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 8V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 500µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±18V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 720pF @ 480V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 81W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PQFN (8x8)
• 패키지 / 케이스: 4-PowerDFN

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TPH3206LDGB

Transphorm

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GANFET N-CH 650V 16A PQFN

• 제조업체: Transphorm
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: GaNFET (Gallium Nitride)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 500µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.3nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±18V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 760pF @ 480V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 81W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PQFN (8x8)
• 패키지 / 케이스: 3-PowerDFN

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TPH3206LS

Transphorm

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

GANFET N-CH 600V 17A PQFN

• 제조업체: Transphorm
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: GaNFET (Gallium Nitride)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 8V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 500µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.3nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±18V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 760pF @ 480V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 96W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PQFN (8x8)
• 패키지 / 케이스: 3-PowerDFN

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