트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
TPN6R303NC,LQ Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N CH 30V 20A 8TSON-ADV 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVIII FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 200µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1370pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 700mW (Ta), 19W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-TSON Advance (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음7,794
TPN7R506NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVIII-H FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 26A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 200µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1800pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 700mW (Ta), 42W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-TSON Advance (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음6,588
TPN8R903NL,LQ Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 20A TSON 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVIII-H FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.8nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 820pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 700mW (Ta), 22W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-TSON Advance (3.3x3.3) 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음8,982
TPS1100D Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC 제조업체: 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 15V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.7V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.45nC @ 10V Vgs (최대): +2V, -15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 791mW (Ta) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOIC 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음9,000
TPS1100DR Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC 제조업체: 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 15V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.7V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.45nC @ 10V Vgs (최대): +2V, -15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 791mW (Ta) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOIC 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음7,434
TPS1100PW Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 15V 1.27A 8-TSSOP 제조업체: 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 15V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.27A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.7V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.45nC @ 10V Vgs (최대): +2V, -15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 504mW (Ta) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)	재고 있음2,106
TPS1100PWR Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 15V 1.27A 8-TSSOP 제조업체: 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 15V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.27A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.7V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.45nC @ 10V Vgs (최대): +2V, -15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 504mW (Ta) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)	재고 있음6,822
TPS1101D Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC 제조업체: 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 15V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.7V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.25nC @ 10V Vgs (최대): +2V, -15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 791mW (Ta) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOIC 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음12,804
TPS1101DR Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC 제조업체: 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 15V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.7V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.25nC @ 10V Vgs (최대): +2V, -15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 791mW (Ta) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-SOIC 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	재고 있음8,640
TPS1101PWR Texas Instruments	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 15V 2.18A 16-TSSOP 제조업체: 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 15V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.18A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.7V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.25nC @ 10V Vgs (최대): +2V, -15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 710mW (Ta) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 16-TSSOP 패키지 / 케이스: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)	재고 있음5,256
TPW1R005PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSIX-H FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 45V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 122nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9600pF @ 22.5V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 960mW (Ta), 170W (Tc) 작동 온도: 175°C 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-DSOP Advance 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음8,694
TPW1R306PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSIX-H FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 260A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.29mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 91nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8100pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 960mW (Ta), 170W (Tc) 작동 온도: 175°C 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-DSOP Advance 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음42,594
TPW4R008NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 80V 116A 8DSOP 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVIII-H FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 116A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 59nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5300pF @ 40V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 800mW (Ta), 142W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-DSOP Advance 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음4,662
TPW4R50ANH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 92A 8DSOP 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVIII-H FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 92A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 46A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 58nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5200pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 800mW (Ta), 142W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-DSOP Advance 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음47,010
TPWR8004PL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSIX-H FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 103nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9600pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta), 170W (Tc) 작동 온도: 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-DSOP Advance 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음6,210
TPWR8503NL,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVIII-H FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 74nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6900pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 800mW (Ta), 142W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-DSOP Advance 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음3,870
TSM015NA03CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 205A 8PDFN 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 205A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 32A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 67nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4243pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 104W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-PDFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음24,570
TSM018NA03CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 185A 8PDFN 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 185A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 29A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 56nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3479pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 104W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-PDFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음24,432
TSM020N04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 170A 8PDFN 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 27A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 150nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7942pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 104W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-PDFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음47,658
TSM024NA04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 170A 8PDFN 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 67nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4224pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 125W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-PDFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음21,972
TSM025NB04CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Ta), 161A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 24A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 113nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7150pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 136W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-PDFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음24,270
TSM025NB04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Ta), 161A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 24A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 112nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6435pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 136W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-PDFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음23,988
TSM026NA03CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 168A 8PDFN 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 168A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 24A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 41nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2540pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 125W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-PDFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음26,862
TSM033NA03CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 129A 8PDFN 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 129A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 21A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1850pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 96W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-PDFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음6,606
TSM033NA04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 141A 8PDFN 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 141A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 47nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3130pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 125W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-PDFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음26,700
TSM033NB04CR RLG Taiwan Semiconductor Corporation	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Ta), 121A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 21A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 77nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5022pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 107W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-PDFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음20,814
TSM033NB04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Ta), 121A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 21A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 79nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4456pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 107W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-PDFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음20,148
TSM036N03PQ56 RLG Taiwan Semiconductor Corporation	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 124A 8PDFN 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 124A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 22A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2530pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 83W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-PDFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음22,446
TSM038N03PQ33 RGG Taiwan Semiconductor Corporation	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 78A 8PDFN 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 78A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2557pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 39W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-PDFN (3x3) 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음7,020
TSM038N04LCP ROG Taiwan Semiconductor Corporation	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CHANNEL 40V 135A TO252 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 135A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 19A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 104nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5509pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 125W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak) 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음7,434

TPN6R303NC,LQ

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 30V 20A 8TSON-ADV

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVIII
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 200µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1370pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 700mW (Ta), 19W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음7,794

TPN7R506NH,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVIII-H
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 26A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 200µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1800pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 700mW (Ta), 42W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음6,588

TPN8R903NL,LQ

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 20A TSON

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVIII-H
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.8nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 820pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 700mW (Ta), 22W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음8,982

TPS1100D

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC

제조업체:
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 15V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.7V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.45nC @ 10V
Vgs (최대): +2V, -15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 791mW (Ta)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOIC
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음9,000

TPS1100DR

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC

제조업체:
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 15V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.7V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.45nC @ 10V
Vgs (최대): +2V, -15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 791mW (Ta)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOIC
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음7,434

TPS1100PW

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 15V 1.27A 8-TSSOP

제조업체:
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 15V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.27A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.7V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.45nC @ 10V
Vgs (최대): +2V, -15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 504mW (Ta)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-TSSOP
패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

재고 있음2,106

TPS1100PWR

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 15V 1.27A 8-TSSOP

제조업체:
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 15V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.27A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.7V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.45nC @ 10V
Vgs (최대): +2V, -15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 504mW (Ta)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-TSSOP
패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

재고 있음6,822

TPS1101D

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC

제조업체:
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 15V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.7V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.25nC @ 10V
Vgs (최대): +2V, -15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 791mW (Ta)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOIC
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음12,804

TPS1101DR

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC

제조업체:
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 15V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.7V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.25nC @ 10V
Vgs (최대): +2V, -15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 791mW (Ta)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-SOIC
패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

재고 있음8,640

TPS1101PWR

Texas Instruments

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 15V 2.18A 16-TSSOP

제조업체:
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 15V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.18A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.7V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.25nC @ 10V
Vgs (최대): +2V, -15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 710mW (Ta)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 16-TSSOP
패키지 / 케이스: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

재고 있음5,256

TPW1R005PL,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSIX-H
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 45V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 122nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9600pF @ 22.5V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 960mW (Ta), 170W (Tc)
작동 온도: 175°C
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-DSOP Advance
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음8,694

TPW1R306PL,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSIX-H
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 260A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.29mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 91nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8100pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 960mW (Ta), 170W (Tc)
작동 온도: 175°C
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-DSOP Advance
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음42,594

TPW4R008NH,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 116A 8DSOP

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVIII-H
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 116A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 59nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5300pF @ 40V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 800mW (Ta), 142W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-DSOP Advance
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음4,662

TPW4R50ANH,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 92A 8DSOP

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVIII-H
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 92A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 46A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 58nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5200pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 800mW (Ta), 142W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-DSOP Advance
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음47,010

TPWR8004PL,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSIX-H
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 103nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9600pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta), 170W (Tc)
작동 온도: 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-DSOP Advance
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음6,210

TPWR8503NL,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 150A 8DSOP

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVIII-H
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 74nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6900pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 800mW (Ta), 142W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-DSOP Advance
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음3,870

TSM015NA03CR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 205A 8PDFN

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 205A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 32A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 67nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4243pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 104W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-PDFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음24,570

TSM018NA03CR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 185A 8PDFN

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 185A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 29A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 56nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3479pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 104W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-PDFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음24,432

TSM020N04LCR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 170A 8PDFN

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 27A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 150nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7942pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 104W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-PDFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음47,658

TSM024NA04LCR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 170A 8PDFN

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 67nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4224pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 125W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-PDFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음21,972

TSM025NB04CR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Ta), 161A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 24A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 113nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7150pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 136W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-PDFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음24,270

TSM025NB04LCR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Ta), 161A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 24A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 112nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6435pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 136W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-PDFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음23,988

TSM026NA03CR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 168A 8PDFN

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 168A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 24A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 41nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2540pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 125W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-PDFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음26,862

TSM033NA03CR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 129A 8PDFN

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 129A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 21A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1850pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 96W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-PDFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음6,606

TSM033NA04LCR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 141A 8PDFN

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 141A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 47nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3130pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 125W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-PDFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음26,700

TSM033NB04CR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Ta), 121A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 21A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 77nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5022pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 107W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-PDFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음20,814

TSM033NB04LCR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Ta), 121A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 21A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 79nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4456pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.1W (Ta), 107W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-PDFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음20,148

TSM036N03PQ56 RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 124A 8PDFN

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 124A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 22A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2530pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 83W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-PDFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음22,446

TSM038N03PQ33 RGG

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 78A 8PDFN

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 78A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2557pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 39W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-PDFN (3x3)
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음7,020

TSM038N04LCP ROG

Taiwan Semiconductor Corporation

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 40V 135A TO252

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 135A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 19A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 104nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5509pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 125W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TO-252, (D-Pak)
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음7,434

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