트랜지스터

TPCA8102(TE12L,Q,M

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 40A SOP-8 ADV

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 109nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4600pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta), 45W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-SOP Advance (5x5)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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TPCA8103(TE12L,Q,M

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 40A SOP-8 ADV

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 184nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7880pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta), 45W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-SOP Advance (5x5)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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TPCA8105(TE12L,Q,M

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 12V 6A SOP-8 ADV

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 3A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 200µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 5V
• Vgs (최대): ±8V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1600pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta), 20W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-SOP Advance (5x5)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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TPCA8120,LQ(CM

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 45A 8SOP-ADV

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSVI
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 45A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 22.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 190nC @ 10V
• Vgs (최대): +20V, -25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7420pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta), 45W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-SOP Advance (5x5)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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TPCA8128,LQ(CM

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 34A 8SOP-ADV

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSVI
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 34A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 17A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 500µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 115nC @ 10V
• Vgs (최대): +20V, -25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4800pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta), 45W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-SOP Advance (5x5)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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TPCA8A01-H(TE12L,Q

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 36A SOP8 ADV

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 36A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 18A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1970pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta), 45W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-SOP Advance (5x5)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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TPCA8A02-H(TE12LQM

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 34A 8SOP ADV

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSV-H
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 34A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 17A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3430pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta), 45W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-SOP Advance (5x5)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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TPCA8A04-H(TE12L,Q

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 44A 8SOP ADV

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSV-H
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 44A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 22A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 59nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5700pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-SOP Advance (5x5)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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TPCC8001-H(TE12LQM

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSV-H
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 11A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2500pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 700mW (Ta), 30W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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TPCC8002-H(TE12L,Q

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSV-H
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 11A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2500pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 700mW (Ta), 30W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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TPCC8002-H(TE12LQM

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSV-H
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 11A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2500pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 700mW (Ta), 30W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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TPCC8003-H(TE12LQM

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 13A 8TSON

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSVI-H
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16.9mOhm @ 6.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 200µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1300pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 700mW (Ta), 22W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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TPCC8005-H(TE12LQM

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 26A 8TSON

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSVI-H
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 26A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 13A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 500µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2900pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 700mW (Ta), 30W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

TPCC8006-H(TE12LQM

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSVI-H
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 11A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 200µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2200pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 700mW (Ta), 27W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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TPCC8008(TE12L,QM)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 25A 8TSON

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSIV
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 12.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1A
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1600pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 700mW (Ta), 30W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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TPCC8009,LQ(O

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 24A 8TSON-ADV

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSIV
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 200µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 26nC @ 10V
• Vgs (최대): -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1270pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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TPCC8065-H,LQ(S

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 13A 8TSON-ADV

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSVII-H
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 6.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 200µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1350pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 700mW (Ta), 18W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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TPCC8066-H,LQ(S

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 11A 8TSON-ADV

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSVII-H
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 5.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1100pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 700mW (Ta), 17W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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TPCC8067-H,LQ(S

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 9A 8TSON-ADV

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSVII-H
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.5nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 690pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 700mW (Ta), 15W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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TPCC8093,L1Q

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSVII
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10.5A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 500µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 5V
• Vgs (최대): ±12V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1860pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 1.9W (Ta), 30W (Tc)
• 작동 온도: 150°C
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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TPCC8103(TE12L,QM)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 18A 8TSON

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSV
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 9A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1600pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 700mW (Ta), 27W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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TPCC8A01-H(TE12LQM

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 21A SBD 8TSON

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSV-H
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 10.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1900pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 700mW (Ta), 30W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 8-TSON Advance (3.3x3.3)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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TPCF8101(TE85L,F,M

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 12V 6A VS-8

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSIII
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 3A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 200µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 5V
• Vgs (최대): ±8V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1600pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 700mW (Ta)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: VS-8 (2.9x1.5)
• 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead

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TPCF8102(TE85L,F,M

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 6A VS8 2-3U1A

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSIII
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 200µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19nC @ 5V
• Vgs (최대): ±8V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1550pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 700mW (Ta)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: VS-8 (2.9x1.5)
• 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead

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TPCF8104(TE85L,F,M

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 6A VS-8

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSIV
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 3A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1760pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 700mW (Ta)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: VS-8 (2.9x1.5)
• 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead

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TPCF8107,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 6A VS-8

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSVI
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 3A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V
• Vgs (최대): +20V, -25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 970pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 700mW (Ta)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: VS-8 (2.9x1.5)
• 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead

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TPCF8A01(TE85L)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 3A VS-8

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSIII
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2V, 4.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 1.5A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 200µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.5nC @ 5V
• Vgs (최대): ±12V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 590pF @ 10V
• FET 기능: Schottky Diode (Isolated)
• 전력 손실 (최대): 330mW (Ta)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: VS-8 (2.9x1.5)
• 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead

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TPCF8B01(TE85L,F,M

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSIII
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.7A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 1.4A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 200µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 5V
• Vgs (최대): ±8V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 470pF @ 10V
• FET 기능: Schottky Diode (Isolated)
• 전력 손실 (최대): 330mW (Ta)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: VS-8 (2.9x1.5)
• 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead

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TPCP8001-H(TE85LFM

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 7.2A PS-8

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSIII
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.2A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 3.6A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 640pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 1W (Ta), 30W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PS-8 (2.9x2.4)
• 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead

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TPCP8003-H(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 2.2A PS-8

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSIII-H
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.2A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 1.1A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.3V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.5nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 360pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 840mW (Ta)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PS-8 (2.9x2.4)
• 패키지 / 케이스: 8-SMD, Flat Lead

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