트랜지스터

STL33N65M2

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

N-CHANNEL 650 V, 0.124 OHM TYP.,

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 154mOhm @ 10A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 41.5nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1790pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 150W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (8x8) HV
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL34N65M5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 3.2A PWRFLAT88

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™ V
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22.5A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 12A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 62.5nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2700pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 150W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (8x8) HV
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL35N15F3

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 150V 33A POWERFLAT56

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: STripFET™ III
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 33A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 49.4nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1905pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 80W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL35N6F3

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 44A POWERFLAT

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: STripFET™ III
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 3A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 5W (Ta), 80W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL35N75LF3

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 800pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 50W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (3.3x3.3)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL36N55M5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 550V 22.5A 4PWRFLAT

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™ V
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 550V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22.5A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 16.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 62nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2670pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 150W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (8x8) HV
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL36N60M6

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

N-CHANNEL 600 V, 0.85 OHM TYP.,

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™ M6
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.75V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 44.3nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1960pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 160W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (8x8) HV
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL38N65M5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 22.5A PWRFLAT8X

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™ V
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta), 22.5A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 12.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 71nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3000pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 150W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (8x8) HV
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL3N10F7

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 4A POWERFLAT22

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: DeepGATE™, STripFET™ VII
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.8nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 408pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.4W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (2x2)
• 패키지 / 케이스: 6-PowerWDFN

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STL3N65M2

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 2.3A POWERFLAT

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™ M2
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 155pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 22W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (3.3x3.3)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL3N80K5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 2.5A POWERFLAT

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: *
• FET 유형: -
• 기술: -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: -
• 장착 유형: -
• 공급자 장치 패키지: -
• 패키지 / 케이스: -

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STL3NK40

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 400V 0.43A 8PWRFLAT

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: SuperMESH™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 400V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 430mA (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 220mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 50µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.5W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFLAT™ (5x5)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL3NM60N

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 0.65A POWERFLAT

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™ II
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 650mA (Ta), 2.2A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 1A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.5nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 188pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2W (Ta), 22W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (3.3x3.3)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL3P6F6

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 3A POWERFLAT

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: *
• FET 유형: -
• 기술: -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: -
• 장착 유형: -
• 공급자 장치 패키지: -
• 패키지 / 케이스: -

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STL40N10F7

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V POWERFLAT5X6

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: DeepGATE™, STripFET™ VII
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 10A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1270pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 5W (Ta), 70W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL40N75LF3

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 75V 40A PWRFLT 5X6

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: STripFET™ III
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 5V
• Vgs (최대): +20V, -16V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1300pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 75W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL42N65M5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 4A PWRFLT8X8HV

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™ V
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta), 34A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 16.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 100nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4650pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 3W (Ta), 208W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (8x8) HV
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL42P4LLF6

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 40V 42A 8POWERFLAT

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: STripFET™ F6
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 42A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2850pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 75W (Tc)
• 작동 온도: 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL42P6LLF6

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 42A 8POWERFLAT

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: STripFET™ F6
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 42A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 4.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3780pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 100W (Tc)
• 작동 온도: 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL45N10F7AG

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19.5nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1450pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 72W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL45N60DM6

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

N-CHANNEL 600 V 0.094 OHM TYP. 2

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™ DM6
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.75V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 160W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (8x8) HV
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL45N65M5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 22.5A 4PWRFLAT

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™ V
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.8A (Ta), 22.5A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 14.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 82nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3470pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 160W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFLAT™ (8x8)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL45P3LLH6

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET NCH 30V 45A POWERFLAT

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: STripFET™ H6
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 45A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 6A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2615pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 4.8W (Ta), 75W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL47N60M6

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

N-CHANNEL 600 V, 0.85 OHM TYP.,

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™ M6
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 15.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.75V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 57nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 189W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (8x8) HV
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL4LN80K5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 3A POWERFLAT

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™ K5
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.6Ohm @ 1.2A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 110pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 38W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (5x6) VHV
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL4N10F7

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 4.5A 8PWRFLAT

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: DeepGATE™, STripFET™ VII
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Ta), 18A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.25A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.8nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 408pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.9W (Ta), 50W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (3.3x3.3)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL4N80K5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 8POWERFLAT

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: SuperMESH5™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.5nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 175pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 38W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL4P2UH7

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 4A PWRFLAT2X2

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: DeepGATE™, STripFET™ VII
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.8nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±8V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 510pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.4W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (2x2)
• 패키지 / 케이스: 6-PowerWDFN

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STL4P3LLH6

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 4A POWERFLAT

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: DeepGATE™, STripFET™ H6
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 639pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.4W (Ta)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (2x2)
• 패키지 / 케이스: 6-PowerWDFN

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STL50N6F7

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 50A POWERFLAT

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: STripFET™ F7
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 6.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 980pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 71W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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