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STL45P3LLH6

STL45P3LLH6

참조 용

부품 번호 STL45P3LLH6
PNEDA 부품 번호 STL45P3LLH6
설명 MOSFET NCH 30V 45A POWERFLAT
제조업체 STMicroelectronics
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STL45P3LLH6 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STL45P3LLH6
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
STL45P3LLH6, STL45P3LLH6 데이터 시트 (총 페이지: 15, 크기: 836.13 KB)
PDFSTL45P3LLH6 데이터 시트 표지
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STL45P3LLH6 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈STripFET™ H6
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)45A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs13mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs24nC @ 4.5V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2615pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)4.8W (Ta), 75W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지PowerFlat™ (5x6)
패키지 / 케이스8-PowerVDFN

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

110A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

24mOhm @ 55A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 3mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

500nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

23000pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

960W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

PLUS247™-3

패키지 / 케이스

TO-247-3

FQPF10N20C

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

QFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9.5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

360mOhm @ 4.75A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

26nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

510pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

38W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220F

패키지 / 케이스

TO-220-3 Full Pack

FCMT180N65S3

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

SuperFET® III

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

17A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

180mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 1.8mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

33nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1350pF @ 400V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

139W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

Power88

패키지 / 케이스

4-PowerTSFN

STL180N6F7

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

STripFET™ F7

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

32A (Ta), 120A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

2.4mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

79.5nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

4825pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

4.8W (Ta), 166W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PowerFlat™ (5x6)

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Vishay Siliconix

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Vishay Siliconix

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TrenchFET®

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

60A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

12mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

55nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1970pF @ 30V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.25W (Ta), 100W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

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