트랜지스터

STL50NH3LL

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 27A PWRFLAT6X5

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: STripFET™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 6.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±16V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 965pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 60W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL51N3LLH5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 51A POWERFLAT56

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: STripFET™ V
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 51A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 6.3A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±22V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 724pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 62.5W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL52N25M5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 250V 28A POWERFLAT

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™ V
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 14A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 47nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1770pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 110W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL55NH3LL

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 55A POWERFLAT

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: STripFET™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 55A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 7.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±16V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 965pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 60W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL56N3LLH5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 15A POWERFLAT

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: STripFET™ V
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 56A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 7.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.5nC @ 4.5V
• Vgs (최대): +22V, -20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 950pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 62.5W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL57N65M5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 4.3A 8POWERFLAT

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™ V
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.3A (Ta), 22.5A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 20A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4200pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.8W (Ta), 189W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (8x8) HV
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL58N3LLH5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 64A POWERFLAT

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ H5
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 64A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 7.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
• Vgs (최대): +22V, -20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 950pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 4.8W (Ta), 62.5W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL5N80K5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 3A POWERFLAT

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™ K5
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 2A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 177pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 38W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (5x6) VHV
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL60N10F7

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 12A PWRFLAT5X6

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: DeepGATE™, STripFET™ VII
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 46A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
• Vgs (최대): 20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1640pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 5W (Ta), 72W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL60N3LLH5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 17A POWERFLAT

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: STripFET™ V
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 8.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±22V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1290pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 60W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL60NH3LL

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 16A PWRFLAT6X5

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: STripFET™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 8A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±16V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1810pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 60W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL60P4LLF6

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 40V 60A 8POWERFLAT

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: STripFET™ F6
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 6.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3525pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 100W (Tc)
• 작동 온도: 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL62P3LLH6

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 62A 8POWERFLAT

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: STripFET™ H6
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 62A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 7A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 33nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3350pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 100W (Tc)
• 작동 온도: 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL65N3LLH5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 19A POWERFLAT5X6

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: STripFET™ V
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 65A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 9.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±22V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1500pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 60W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL66N3LLH5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 21A POWERFLAT56

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ V
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±22V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1500pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 72W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL6N2VH5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 6A 6PWRFLAT

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: STripFET™ V
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 700mV @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±8V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 550pF @ 16V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.4W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (2x2)
• 패키지 / 케이스: 6-PowerWDFN

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STL6N3LLH6

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V PWRFLT2X2

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: DeepGATE™, STripFET™ VI
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 283pF @ 24V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.4W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (2x2)
• 패키지 / 케이스: 6-PowerWDFN

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STL6NM60N

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 5.75A POWERFLAT

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™ II
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.75A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 920mOhm @ 2.3A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 420pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 70W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFLAT™ (5x5)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL6P3LLH6

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 6A POWERFLAT

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: STripFET™ H6
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 3A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1450pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.9W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (3.3x3.3)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL70N10F3

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 100V 82A PWRFLAT 5X6

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: STripFET™ III
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 82A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 8A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 56nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3210pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 136W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL70N4LLF5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 18A PWRFLAT 5X6

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ V
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 9A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±22V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1800pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 72W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL75N3LLZH5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 75A POWERFLAT56

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: STripFET™ V
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 9.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.8nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±18V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1510pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 60W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL75N8LF6

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 75A POWERFLAT56

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: DeepGATE™, STripFET™ VI
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 9A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 125nC @ 4.5V
• Vgs (최대): +21V, -16V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6895pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 80W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL75NH3LL

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 20A POWERFLAT6X5

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: STripFET™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 10A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±16V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1810pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 60W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL7LN80K5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 5A POWERFLAT

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.15Ohm @ 2.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 270pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 42W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL7N10F7

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 7A 8POWERFLAT

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: DeepGATE™, STripFET™ VII
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 920pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.9W (Ta), 50W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (3.3x3.3)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL7N60M2

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 5A POWERFLAT

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: MDmesh™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 2A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.8nC @ 10V
• Vgs (최대): ±25V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 271pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 4W (Ta), 67W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFLAT™ (5x5)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL7N6F7

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

N-CHANNEL 60 V, 0.019 OHM TYP.,

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: STripFET™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 450pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.4W (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (2x2)
• 패키지 / 케이스: 6-PowerWDFN

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STL7N6LF3

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 20A PWRFLAT8

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F3
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.7nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 432pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 4.3W (Ta), 52W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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STL7N80K5

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 8POWERFLAT

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: SuperMESH5™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.6A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13.4nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 360pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 42W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PowerFlat™ (5x6)
• 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

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