트랜지스터

SSM6J53FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 1.8A ES6

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.8A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 2.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 136mOhm @ 1A, 2.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.6nC @ 4V
• Vgs (최대): ±8V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 568pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: ES6 (1.6x1.6)
• 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666

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SSM6J771G,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 5A 6WCSP

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSVI
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 8.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 3A, 8.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 1mA, 3V
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.8nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±12V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 870pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 1.2W (Ta)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: -
• 패키지 / 케이스: 6-UFBGA, WLCSP

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SSM6J801R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 6A 6-TSOP-F

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSVI
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 32.5mOhm @ 3A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.8nC @ 4.5V
• Vgs (최대): +6V, -8V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 840pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 1.5W (Ta)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 6-TSOP-F
• 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads

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SSM6K202FE,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 2.3A ES6

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 1.5A, 4V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±12V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 270pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: ES6 (1.6x1.6)
• 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666

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SSM6K204FE,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V ES6

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 126mOhm @ 1A, 4V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.4nC @ 10V
• Vgs (최대): ±10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 195pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
• 작동 온도: 150°C
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: ES6
• 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666

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SSM6K208FE,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS30V

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: *
• FET 유형: -
• 기술: -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: -
• 장착 유형: -
• 공급자 장치 패키지: -
• 패키지 / 케이스: -

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SSM6K211FE,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSIII
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.2A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 2A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.8nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 510pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: ES6
• 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666

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SSM6K217FE,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 1.8A ES6

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSVII-H
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.8A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 8V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 1A, 8V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.1nC @ 4.2V
• Vgs (최대): ±12V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 130pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: ES6
• 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666

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SSM6K341NU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 6A 6-UDFNB

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSVIII-H
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.3nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 550pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta)
• 작동 온도: 150°C
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 6-UDFNB (2x2)
• 패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad

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SSM6K361NU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 3.5A 6-UDFNB

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSVIII-H
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 430pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta)
• 작동 온도: 150°C
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 6-UDFNB (2x2)
• 패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad

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SSM6K403TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 4.2A

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSIII
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.2A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 3A, 4V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16.8nC @ 4V
• Vgs (최대): ±10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1050pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: UF6
• 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads

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SSM6K404TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS20V

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: *
• FET 유형: -
• 기술: -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: -
• 장착 유형: -
• 공급자 장치 패키지: -
• 패키지 / 케이스: -

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

SSM6K405TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS20V

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: *
• FET 유형: -
• 기술: -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: -
• 장착 유형: -
• 공급자 장치 패키지: -
• 패키지 / 케이스: -

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SSM6K406TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

X34 SMALL SIGNAL NCH LOW RON MOS

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: *
• FET 유형: -
• 기술: -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: -
• 장착 유형: -
• 공급자 장치 패키지: -
• 패키지 / 케이스: -

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

SSM6K407TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS60V

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: *
• FET 유형: -
• 기술: -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: -
• 장착 유형: -
• 공급자 장치 패키지: -
• 패키지 / 케이스: -

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

SSM6K411TU(TE85L,F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 10A

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSIV
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 7A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.4nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±12V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 710pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 1W (Ta)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: UF6
• 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads

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SSM6K504NU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 9A UDFN6B

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSVII
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 4A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.8nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 620pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 1.25W (Ta)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 6-UDFNB (2x2)
• 패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad

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SSM6K513NU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET NCH 30V 15A UDFNB

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSIX-H
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 4A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1130pF @ 15V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 1.25W (Ta)
• 작동 온도: 150°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 6-UDFNB (2x2)
• 패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad

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SSM6K514NU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 12A 6-UDFNB

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSIX-H
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 4A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1110pF @ 20V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta)
• 작동 온도: 150°C
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 6-UDFNB (2x2)
• 패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad

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SSM6K781G,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 12V 7A 6WCSP6C

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: U-MOSVII-H
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 1.5A, 4.5V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V
• Vgs (최대): ±8V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 600pF @ 6V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: 6-WCSPC (1.5x1.0)
• 패키지 / 케이스: 6-UFBGA, WLCSP

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

SSM6P16FE(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 0.1A ES6

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: π-MOSVI
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±10V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11pF @ 3V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 150mW (Ta)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: ES6
• 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666

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SSN1N45BBU

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 450V 500MA TO-92

• 제조업체: ON Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 450V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.25Ohm @ 250mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.7V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.5nC @ 10V
• Vgs (최대): ±50V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 240pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 900mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-92-3
• 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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SSN1N45BTA

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 450V 500MA TO-92

• 제조업체: ON Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 450V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.25Ohm @ 250mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.7V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.5nC @ 10V
• Vgs (최대): ±50V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 240pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 900mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-92-3
• 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

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SSP45N20B_FP001

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 35A TO-220

• 제조업체: ON Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 17.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 173nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4300pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 176W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220-3
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

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SSR1N60BTM

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 0.9A DPAK

• 제조업체: ON Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 900mA (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 450mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.7nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 215pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: D-Pak
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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SSR1N60BTM_F080

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 0.9A DPAK

• 제조업체: ON Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 900mA (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 450mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.7nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 215pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: D-Pak
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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SSR1N60BTM-WS

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 0.9A DPAK

• 제조업체: ON Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 900mA (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 450mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.7nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 215pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: D-Pak
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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SSU1N50BTU

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 520V 1.3A IPAK

• 제조업체: ON Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 520V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.3A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 650mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 340pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 26W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: I-PAK
• 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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SSU1N60BTU-WS

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 0.9A IPAK

• 제조업체: ON Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 900mA (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 450mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.7nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 215pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: I-PAK
• 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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STB100N10F7

STMicroelectronics

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK

• 제조업체: STMicroelectronics
• 시리즈: DeepGATE™, STripFET™ VII
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 61nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4369pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 150W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: D2PAK
• 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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