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SSM6K513NU,LF

SSM6K513NU,LF

참조 용

부품 번호 SSM6K513NU,LF
PNEDA 부품 번호 SSM6K513NU-LF
설명 MOSFET NCH 30V 15A UDFNB
제조업체 Toshiba Semiconductor and Storage
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SSM6K513NU 리소스

브랜드 Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호SSM6K513NU,LF
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
SSM6K513NU, SSM6K513NU 데이터 시트 (총 페이지: 6, 크기: 263.31 KB)
PDFSSM6K513NU 데이터 시트 표지
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SSM6K513NU 사양

제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈U-MOSIX-H
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)15A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs8.9mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.1V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs7.5nC @ 4.5V
Vgs (최대)±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1130pF @ 15V
FET 기능-
전력 손실 (최대)1.25W (Ta)
작동 온도150°C (TA)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지6-UDFNB (2x2)
패키지 / 케이스6-WDFN Exposed Pad

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

49A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

140mOhm @ 31A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

6.5V @ 8mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

270nC @ 10V

Vgs (최대)

±30V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

13600pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

960W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

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Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

*

FET 유형

-

기술

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

공급자 장치 패키지

-

패키지 / 케이스

-

SIA810DJ-T1-GE3

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FET 유형

N-Channel

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.5A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

53mOhm @ 3.7A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

11.5nC @ 8V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

400pF @ 10V

FET 기능

Schottky Diode (Isolated)

전력 손실 (최대)

1.9W (Ta), 6.5W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SC-70-6 Dual

패키지 / 케이스

PowerPAK® SC-70-6 Dual

BSP372NH6327XTSA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

OptiMOS™

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

1.8A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

230mOhm @ 1.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.8V @ 218µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

14.3nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

329pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.8W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

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-

전력 손실 (최대)

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