트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
SSM3K361TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 3.5A UFM 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVIII-H FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 430pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.8W (Ta) 작동 온도: 175°C 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: UFM 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads	재고 있음29,460
SSM3K36FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 500MA SSM 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSIII FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.23nC @ 4V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 46pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SSM 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416	재고 있음29,352
SSM3K36MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 500MA VESM 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSIII FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.23nC @ 4V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 46pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: VESM 패키지 / 케이스: SOT-723	재고 있음674,142
SSM3K36TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS=20 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음46,494
SSM3K376R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 SMALL LOW RON NCH MOSFETS ID: 4A 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVII-H FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V Vgs (최대): +12V, -8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta) 작동 온도: 150°C 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23F 패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads	재고 있음24,666
SSM3K37CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 0.2A CST3 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSIII FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 100mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: CST3 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883	재고 있음5,364
SSM3K37FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET NCH 20V 200MA SSM 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSIII FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 100mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SSM 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416	재고 있음6,750
SSM3K37MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 0.25A VESM 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSIII FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: VESM 패키지 / 케이스: SOT-723	재고 있음73,968
SSM3K44FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 X34 PB-F SMALL LOW ON RESISTANCE 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8.5pF @ 3V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150mW (Ta) 작동 온도: 150°C 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SSM 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416	재고 있음48,666
SSM3K44MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS=30 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음65,454
SSM3K48FU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS30V 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음8,334
SSM3K56ACT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 1.4A CST3 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVII-H FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 55pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: CST3 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883	재고 있음214,116
SSM3K56CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET NCH 20V 800MA CST3 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVII-H FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 800mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 55pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: CST3 패키지 / 케이스: 3-XFDFN	재고 있음320,646
SSM3K56FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 0.8A SSM 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVII-H FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 800mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 55pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SSM 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416	재고 있음2,322
SSM3K56MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 0.8A VESM 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVII-H FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 800mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 55pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: VESM 패키지 / 케이스: SOT-723	재고 있음72,282
SSM3K59CTB,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 2A CST3B 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVII-H FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 8V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 215mOhm @ 1A, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.1nC @ 4.2V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 130pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: CST3B 패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead	재고 있음93,162
SSM3K62TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 X34 SMALL LOW ON RESISTANCE NCH 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVII-H FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 800mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 800mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 177pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: UFM 패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads	재고 있음25,878
SSM3K7002BF,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 0.2A S-MINI 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSIV FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 17pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 200mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-59 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음6,444
SSM3K7002BS,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 200MA SMD 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 17pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 200mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: S-Mini 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음5,940
SSM3K7002BSU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V .2A USM 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 17pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: USM 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323	재고 있음3,186
SSM3K7002CFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 0.17A SMD 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVII-H FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.9Ohm @ 100mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.35nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 17pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: USM 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323	재고 있음5,184
SSM3K7002KF,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 0.4A 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVII-H FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 400mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 40pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 270mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: S-Mini 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음22,650
SSM3K7002KFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 LOAD SWITCH CURRENT REDUCTION 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVII-H FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 400mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 40pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150mW (Ta) 작동 온도: 150°C 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: USM 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323	재고 있음21,858
SSM3K72CFS,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 0.17A 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVII-H FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.9Ohm @ 100mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.35nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 17pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SSM 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416	재고 있음4,500
SSM3K72CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 0.15A CST3C 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVII-H FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.9Ohm @ 100mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.35nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 17pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: CST3C 패키지 / 케이스: SOT-1123	재고 있음73,422
SSM3K72KCT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 0.4A 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVII-H FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 400mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 40pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: CST3 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883	재고 있음253,044
SSM3K72KFS,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 X34 SMALL LOW ON RESISTANCE NCH 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVII-H FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 40pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150mW (Ta) 작동 온도: 150°C 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SSM 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416	재고 있음141,504
SSM4K27CTTPL3 Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V .5A CST4 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSIII FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 250mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 174pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 400mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: CST4 (1.2x0.8) 패키지 / 케이스: 4-SMD, No Lead	재고 있음5,652
SSM5G10TU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 1.5A UFV 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSIII FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 213mOhm @ 1A, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.4nC @ 4V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 250pF @ 10V FET 기능: Schottky Diode (Isolated) 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: UFV 패키지 / 케이스: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead	재고 있음7,038
SSM5H08TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 SMALL SIGNAL MOSFET N-CH+SBD VDS 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음5,652

SSM3K361TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 3.5A UFM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVIII-H
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 69mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 430pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.8W (Ta)
작동 온도: 175°C
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: UFM
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads

재고 있음29,460

SSM3K36FS,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 500MA SSM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSIII
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.23nC @ 4V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 46pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SSM
패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416

재고 있음29,352

SSM3K36MFV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 500MA VESM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSIII
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 630mOhm @ 200mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.23nC @ 4V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 46pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: VESM
패키지 / 케이스: SOT-723

재고 있음674,142

SSM3K36TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS=20

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음46,494

SSM3K376R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

SMALL LOW RON NCH MOSFETS ID: 4A

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVII-H
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.2nC @ 4.5V
Vgs (최대): +12V, -8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta)
작동 온도: 150°C
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23F
패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads

재고 있음24,666

SSM3K37CT,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 0.2A CST3

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSIII
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 100mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: CST3
패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883

재고 있음5,364

SSM3K37FS,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET NCH 20V 200MA SSM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSIII
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 100mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SSM
패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416

재고 있음6,750

SSM3K37MFV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 0.25A VESM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSIII
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: VESM
패키지 / 케이스: SOT-723

재고 있음73,968

SSM3K44FS,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

X34 PB-F SMALL LOW ON RESISTANCE

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8.5pF @ 3V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150mW (Ta)
작동 온도: 150°C
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SSM
패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416

재고 있음48,666

SSM3K44MFV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS=30

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음65,454

SSM3K48FU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS30V

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음8,334

SSM3K56ACT,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 1.4A CST3

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVII-H
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 55pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: CST3
패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883

재고 있음214,116

SSM3K56CT,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET NCH 20V 800MA CST3

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVII-H
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 800mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 55pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: CST3
패키지 / 케이스: 3-XFDFN

재고 있음320,646

SSM3K56FS,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 0.8A SSM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVII-H
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 800mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 55pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SSM
패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416

재고 있음2,322

SSM3K56MFV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 0.8A VESM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVII-H
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 800mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 800mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 55pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: VESM
패키지 / 케이스: SOT-723

재고 있음72,282

SSM3K59CTB,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 2A CST3B

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVII-H
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 8V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 215mOhm @ 1A, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.1nC @ 4.2V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 130pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: CST3B
패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead

재고 있음93,162

SSM3K62TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

X34 SMALL LOW ON RESISTANCE NCH

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVII-H
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 800mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 800mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 177pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: UFM
패키지 / 케이스: 3-SMD, Flat Leads

재고 있음25,878

SSM3K7002BF,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 0.2A S-MINI

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSIV
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 17pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 200mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-59
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음6,444

SSM3K7002BS,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 200MA SMD

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 17pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 200mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: S-Mini
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음5,940

SSM3K7002BSU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V .2A USM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 17pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: USM
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

재고 있음3,186

SSM3K7002CFU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 0.17A SMD

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVII-H
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.9Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.35nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 17pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: USM
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

재고 있음5,184

SSM3K7002KF,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 0.4A

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVII-H
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 400mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 40pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 270mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: S-Mini
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음22,650

SSM3K7002KFU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

LOAD SWITCH CURRENT REDUCTION

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVII-H
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 400mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 40pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150mW (Ta)
작동 온도: 150°C
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: USM
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

재고 있음21,858

SSM3K72CFS,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 0.17A

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVII-H
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 170mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.9Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.35nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 17pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SSM
패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416

재고 있음4,500

SSM3K72CTC,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 0.15A CST3C

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVII-H
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.9Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.35nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 17pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: CST3C
패키지 / 케이스: SOT-1123

재고 있음73,422

SSM3K72KCT,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 0.4A

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVII-H
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 400mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 40pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: CST3
패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883

재고 있음253,044

SSM3K72KFS,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

X34 SMALL LOW ON RESISTANCE NCH

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVII-H
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 100mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 40pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150mW (Ta)
작동 온도: 150°C
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SSM
패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416

재고 있음141,504

SSM4K27CTTPL3

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V .5A CST4

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSIII
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 250mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 174pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 400mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: CST4 (1.2x0.8)
패키지 / 케이스: 4-SMD, No Lead

재고 있음5,652

SSM5G10TU(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 1.5A UFV

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSIII
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 213mOhm @ 1A, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.4nC @ 4V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 250pF @ 10V
FET 기능: Schottky Diode (Isolated)
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: UFV
패키지 / 케이스: 6-SMD (5 Leads), Flat Lead

재고 있음7,038

SSM5H08TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

SMALL SIGNAL MOSFET N-CH+SBD VDS

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음5,652

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