트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
SSM3J321T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 5.2A TSM 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSV FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.1nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 640pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 700mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: TSM 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음5,346
SSM3J325F,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVI FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 270pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 600mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: S-Mini 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음28,578
SSM3J327R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVI FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.9A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 290pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23F 패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads	재고 있음209,424
SSM3J328R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVI FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.8nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 840pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23F 패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads	재고 있음376,188
SSM3J331R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P CH 20V 4A SOT-23F 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVI FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.4nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 630pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23F 패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads	재고 있음29,940
SSM3J332R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P CH 30V 6A 2-3Z1A 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVI FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.2nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 560pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23F 패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads	재고 있음258,174
SSM3J334R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P CH 30V 4A SOT-23F 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVI FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.9nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 280pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23F 패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads	재고 있음88,086
SSM3J338R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 12V 6A SOT23F 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVII FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 8V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17.6mOhm @ 6A, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19.5nC @ 4.5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 6V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23F 패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads	재고 있음596,922
SSM3J340R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS=-3 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음54,216
SSM3J351R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 60V 3.5A SOT-23F 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVI FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15.1nC @ 10V Vgs (최대): +10V, -20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 660pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2W (Ta) 작동 온도: 150°C 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23F 패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads	재고 있음3,870
SSM3J352F,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 X34 SMALL LOW ON RESISTANCE PCH 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVI FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.1nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 210pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.2W (Ta) 작동 온도: 150°C 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: S-Mini 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음29,214
SSM3J353F,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 X34 PB-F SMALL LOW ON RESISTANE 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVI FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.4nC @ 4.5V Vgs (최대): +20V, -25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 159pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 600mW (Ta) 작동 온도: 150°C 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: S-Mini 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음5,274
SSM3J355R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 SMALL LOW ON RESISTANCE MOSFET 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVII FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30.1mOhm @ 4A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16.6nC @ 4.5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1030pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23F 패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads	재고 있음92,052
SSM3J356R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVI FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.3nC @ 10V Vgs (최대): +10V, -20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 330pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23F 패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads	재고 있음619,464
SSM3J358R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 SMALL LOW ON RESISTANCE MOSFET 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVII FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 8V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22.1mOhm @ 6A, 8V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38.5nC @ 8V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1331pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23F 패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads	재고 있음29,532
SSM3J35AFS,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 X34 SMALL LOW ON RESISTANCE PCH 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVII FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 42pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150mW (Ta) 작동 온도: 150°C 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SSM 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416	재고 있음4,194
SSM3J35AMFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 X34 SMALL LOW ON RESISTANCE PCH 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVII FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 42pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150mW (Ta) 작동 온도: 150°C 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: VESM 패키지 / 케이스: SOT-723	재고 있음3,258
SSM3J35CTC,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 0.25A CST3C 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVII FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 42pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: CST3C 패키지 / 케이스: SOT-1123	재고 있음105,312
SSM3J35CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CHANNEL 20V 100MA CST3 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: π-MOSVI FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 50mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12.2pF @ 3V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 100mW (Ta) 작동 온도: 150°C 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: CST3 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883	재고 있음3,438
SSM3J35MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 0.1A VESM 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 50mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12.2pF @ 3V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: VESM 패키지 / 케이스: SOT-723	재고 있음6,822
SSM3J36FS,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 0.33A SSM 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSIII FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 330mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.2nC @ 4V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 43pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SSM 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416	재고 있음8,586
SSM3J36MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 0.33A VESM 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSIII FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 330mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.2nC @ 4V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 43pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: VESM 패키지 / 케이스: SOT-723	재고 있음7,164
SSM3J36TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS=-2 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음50,580
SSM3J371R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS:-2 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVI FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.4nC @ 4.5V Vgs (최대): +6V, -8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 630pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23F 패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads	재고 있음58,908
SSM3J372R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS:-3 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVI FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.2nC @ 4.5V Vgs (최대): +12V, -6V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 560pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23F 패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads	재고 있음3,798
SSM3J374R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS:-3 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVI FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.9nC @ 10V Vgs (최대): +10V, -20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 280pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23F 패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads	재고 있음29,610
SSM3J375F,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS:-2 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVI FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V Vgs (최대): +6V, -8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 270pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 600mW (Ta) 작동 온도: 150°C 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: S-Mini 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음46,128
SSM3J377R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS:-2 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVI FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.9A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V Vgs (최대): +6V, -8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 290pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23F 패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads	재고 있음27,726
SSM3J378R,LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS:-2 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVI FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.8nC @ 4.5V Vgs (최대): +6V, -8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 840pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23F 패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads	재고 있음3,222
SSM3J46CTB(TPL3) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 2A CST3B 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: U-MOSVI FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.7nC @ 4.5V Vgs (최대): ±8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 290pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: CST3B 패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead	재고 있음7,200

SSM3J321T(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 5.2A TSM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSV
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.1nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 640pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 700mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: TSM
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음5,346

SSM3J325F,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVI
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 270pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 600mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: S-Mini
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음28,578

SSM3J327R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVI
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.9A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 290pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23F
패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads

재고 있음209,424

SSM3J328R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVI
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.8nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 840pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23F
패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads

재고 있음376,188

SSM3J331R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P CH 20V 4A SOT-23F

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVI
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.4nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 630pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23F
패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads

재고 있음29,940

SSM3J332R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P CH 30V 6A 2-3Z1A

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVI
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.2nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 560pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23F
패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads

재고 있음258,174

SSM3J334R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P CH 30V 4A SOT-23F

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVI
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.9nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 280pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23F
패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads

재고 있음88,086

SSM3J338R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 12V 6A SOT23F

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVII
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 8V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17.6mOhm @ 6A, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19.5nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 6V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23F
패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads

재고 있음596,922

SSM3J340R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS=-3

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음54,216

SSM3J351R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 3.5A SOT-23F

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVI
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15.1nC @ 10V
Vgs (최대): +10V, -20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 660pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2W (Ta)
작동 온도: 150°C
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23F
패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads

재고 있음3,870

SSM3J352F,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

X34 SMALL LOW ON RESISTANCE PCH

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVI
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.1nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 210pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.2W (Ta)
작동 온도: 150°C
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: S-Mini
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음29,214

SSM3J353F,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

X34 PB-F SMALL LOW ON RESISTANE

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVI
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.4nC @ 4.5V
Vgs (최대): +20V, -25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 159pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 600mW (Ta)
작동 온도: 150°C
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: S-Mini
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음5,274

SSM3J355R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

SMALL LOW ON RESISTANCE MOSFET

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVII
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30.1mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16.6nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1030pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23F
패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads

재고 있음92,052

SSM3J356R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVI
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.3nC @ 10V
Vgs (최대): +10V, -20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 330pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23F
패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads

재고 있음619,464

SSM3J358R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

SMALL LOW ON RESISTANCE MOSFET

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVII
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 8V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22.1mOhm @ 6A, 8V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 38.5nC @ 8V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1331pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23F
패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads

재고 있음29,532

SSM3J35AFS,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

X34 SMALL LOW ON RESISTANCE PCH

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVII
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 42pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150mW (Ta)
작동 온도: 150°C
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SSM
패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416

재고 있음4,194

SSM3J35AMFV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

X34 SMALL LOW ON RESISTANCE PCH

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVII
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 42pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150mW (Ta)
작동 온도: 150°C
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: VESM
패키지 / 케이스: SOT-723

재고 있음3,258

SSM3J35CTC,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 0.25A CST3C

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVII
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 250mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 42pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: CST3C
패키지 / 케이스: SOT-1123

재고 있음105,312

SSM3J35CT,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CHANNEL 20V 100MA CST3

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: π-MOSVI
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.2V, 4V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 50mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12.2pF @ 3V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 100mW (Ta)
작동 온도: 150°C
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: CST3
패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883

재고 있음3,438

SSM3J35MFV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 0.1A VESM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 50mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12.2pF @ 3V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: VESM
패키지 / 케이스: SOT-723

재고 있음6,822

SSM3J36FS,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 0.33A SSM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSIII
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 330mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.2nC @ 4V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 43pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SSM
패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416

재고 있음8,586

SSM3J36MFV,L3F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 0.33A VESM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSIII
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 330mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.31Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 1.2nC @ 4V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 43pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: VESM
패키지 / 케이스: SOT-723

재고 있음7,164

SSM3J36TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS=-2

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음50,580

SSM3J371R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS:-2

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVI
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.4nC @ 4.5V
Vgs (최대): +6V, -8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 630pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23F
패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads

재고 있음58,908

SSM3J372R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS:-3

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVI
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.2nC @ 4.5V
Vgs (최대): +12V, -6V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 560pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23F
패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads

재고 있음3,798

SSM3J374R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS:-3

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVI
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.9nC @ 10V
Vgs (최대): +10V, -20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 280pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23F
패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads

재고 있음29,610

SSM3J375F,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS:-2

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVI
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
Vgs (최대): +6V, -8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 270pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 600mW (Ta)
작동 온도: 150°C
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: S-Mini
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음46,128

SSM3J377R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS:-2

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVI
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.9A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
Vgs (최대): +6V, -8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 290pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23F
패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads

재고 있음27,726

SSM3J378R,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

SMALL SIGNAL MOSFET P-CH VDSS:-2

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVI
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.8nC @ 4.5V
Vgs (최대): +6V, -8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 840pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23F
패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads

재고 있음3,222

SSM3J46CTB(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 2A CST3B

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: U-MOSVI
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 103mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.7nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 290pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: CST3B
패키지 / 케이스: 3-SMD, No Lead

재고 있음7,200

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