SSM3J35CT,L3F
참조 용
부품 번호 | SSM3J35CT,L3F |
PNEDA 부품 번호 | SSM3J35CT-L3F |
설명 | MOSFET P-CHANNEL 20V 100MA CST3 |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
단가 | 견적 요청 |
재고 있음 | 3,438 |
창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
예상 배송 | 11월 3 - 11월 8 (신속 배송 선택) |
Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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SSM3J35CT 리소스
브랜드 | Toshiba Semiconductor and Storage |
ECAD Module | |
Mfr. 부품 번호 | SSM3J35CT,L3F |
분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-단일 |
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SSM3J35CT 사양
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
시리즈 | π-MOSVI |
FET 유형 | P-Channel |
기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
드레인-소스 전압 (Vdss) | 20V |
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 100mA (Ta) |
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) | 1.2V, 4V |
Rds On (최대) @ Id, Vgs | 8Ohm @ 50mA, 4V |
Vgs (th) (최대) @ Id | 1V @ 1mA |
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | - |
Vgs (최대) | ±10V |
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 12.2pF @ 3V |
FET 기능 | - |
전력 손실 (최대) | 100mW (Ta) |
작동 온도 | 150°C |
장착 유형 | Surface Mount |
공급자 장치 패키지 | CST3 |
패키지 / 케이스 | SC-101, SOT-883 |
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