트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
IPC022N03L3X1SA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 1A SAWN ON FOIL 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Tj) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Sawn on foil 패키지 / 케이스: Die	재고 있음7,614
IPC028N03L3X1SA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 2A SAWN ON FOIL 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ 3 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Sawn on foil 패키지 / 케이스: Die	재고 있음4,212
IPC042N03L3X1SA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 1A SAWN ON FOIL 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Tj) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Sawn on foil 패키지 / 케이스: Die	재고 있음6,552
IPC045N10L3X1SA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 1A SAWN ON FOIL 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Tj) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 33µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Sawn on foil 패키지 / 케이스: Die	재고 있음6,156
IPC045N10N3X1SA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 1A SAWN ON FOIL 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Tj) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 33µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Sawn on foil 패키지 / 케이스: Die	재고 있음3,006
IPC055N03L3X1SA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 1A SAWN ON FOIL 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Tj) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Sawn on foil 패키지 / 케이스: Die	재고 있음6,408
IPC100N04S402ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 8TDSON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 80µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 105nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8100pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-23 패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN	재고 있음7,920
IPC100N04S51R2ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 7V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.4V @ 90µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 131nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7650pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-34 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음8,172
IPC100N04S51R7ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 7V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.4V @ 60µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 83nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4810pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 115W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-34 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음42,924
IPC100N04S51R9ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 N-CHANNEL_30/40V 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 7V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.4V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 65nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3770pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 100W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-34 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음40,494
IPC100N04S52R8ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 7V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.4V @ 30µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2600pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 75W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-34 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음8,604
IPC100N04S5L1R1ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 N-CHANNEL_30/40V 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 90µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 140nC @ 10V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8250pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-34 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음7,884
IPC100N04S5L1R5ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 60µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 95nC @ 10V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5340pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 115W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-34 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음3,996
IPC100N04S5L1R9ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 81nC @ 10V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4310pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 100W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-34 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음6,624
IPC100N04S5L2R6ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 30µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 55nC @ 10V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2925pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 75W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-34 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음2,556
IPC171N04NX1SA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 1A SAWN ON FOIL 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Tj) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 150µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Sawn on foil 패키지 / 케이스: Die	재고 있음6,102
IPC173N10N3X1SA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 1A SAWN ON FOIL 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Tj) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 150µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Sawn on foil 패키지 / 케이스: Die	재고 있음7,110
IPC218N04N3X1SA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 2A SAWN ON FOIL 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Tj) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 200µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Sawn on foil 패키지 / 케이스: Die	재고 있음3,384
IPC218N04N3X7SA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MV POWER MOS 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음7,038
IPC218N06L3X1SA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 3A SAWN ON FOIL 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Tj) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 196µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Sawn on foil 패키지 / 케이스: Die	재고 있음3,598
IPC218N06N3X1SA2 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 3A SAWN ON FOIL 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Tj) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 196µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Sawn on foil 패키지 / 케이스: Die	재고 있음8,298
IPC218N06N3X7SA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MV POWER MOS 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음4,482
IPC26N12NX1SA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 120V 1A SAWN ON FOIL 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 120V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Tj) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 244µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Sawn on foil 패키지 / 케이스: Die	재고 있음4,806
IPC26N12NX2SA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 120V SAWN WAFER 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음7,164
IPC300N15N3RX1SA2 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 150V 1A SAWN ON FOIL 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Tj) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Sawn on foil 패키지 / 케이스: Die	재고 있음6,534
IPC300N20N3X7SA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MV POWER MOS 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음6,300
IPC302N08N3X1SA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 80V 1A SAWN ON FOIL 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Tj) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 270µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Sawn on foil 패키지 / 케이스: Die	재고 있음6,480
IPC302N08N3X2SA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 80V SAWN WAFER 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음2,106
IPC302N10N3X1SA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 1A SAWN ON FOIL 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Tj) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 302µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Sawn on foil 패키지 / 케이스: Die	재고 있음5,760
IPC302N12N3X1SA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 120V 1A SAWN ON FOIL 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 120V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Tj) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 275µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Sawn on foil 패키지 / 케이스: Die	재고 있음2,160

IPC022N03L3X1SA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 1A SAWN ON FOIL

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Tj)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Sawn on foil
패키지 / 케이스: Die

재고 있음7,614

IPC028N03L3X1SA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 2A SAWN ON FOIL

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™ 3
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Sawn on foil
패키지 / 케이스: Die

재고 있음4,212

IPC042N03L3X1SA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 1A SAWN ON FOIL

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Tj)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Sawn on foil
패키지 / 케이스: Die

재고 있음6,552

IPC045N10L3X1SA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 1A SAWN ON FOIL

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Tj)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 33µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Sawn on foil
패키지 / 케이스: Die

재고 있음6,156

IPC045N10N3X1SA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 1A SAWN ON FOIL

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Tj)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 33µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Sawn on foil
패키지 / 케이스: Die

재고 있음3,006

IPC055N03L3X1SA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 1A SAWN ON FOIL

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Tj)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Sawn on foil
패키지 / 케이스: Die

재고 있음6,408

IPC100N04S402ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 8TDSON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 80µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 105nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8100pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-23
패키지 / 케이스: 8-PowerVDFN

재고 있음7,920

IPC100N04S51R2ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 7V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.4V @ 90µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 131nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7650pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-34
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음8,172

IPC100N04S51R7ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 7V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.4V @ 60µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 83nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4810pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 115W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-34
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음42,924

IPC100N04S51R9ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

N-CHANNEL_30/40V

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 7V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.4V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3770pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 100W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-34
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음40,494

IPC100N04S52R8ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 7V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.4V @ 30µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2600pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 75W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-34
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음8,604

IPC100N04S5L1R1ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

N-CHANNEL_30/40V

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 90µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 140nC @ 10V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8250pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-34
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음7,884

IPC100N04S5L1R5ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 60µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 95nC @ 10V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5340pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 115W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-34
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음3,996

IPC100N04S5L1R9ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 81nC @ 10V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4310pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 100W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-34
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음6,624

IPC100N04S5L2R6ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 30µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 55nC @ 10V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2925pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 75W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-34
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음2,556

IPC171N04NX1SA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 1A SAWN ON FOIL

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Tj)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 150µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Sawn on foil
패키지 / 케이스: Die

재고 있음6,102

IPC173N10N3X1SA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 1A SAWN ON FOIL

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Tj)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 150µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Sawn on foil
패키지 / 케이스: Die

재고 있음7,110

IPC218N04N3X1SA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 2A SAWN ON FOIL

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Tj)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 200µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Sawn on foil
패키지 / 케이스: Die

재고 있음3,384

IPC218N04N3X7SA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MV POWER MOS

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음7,038

IPC218N06L3X1SA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 3A SAWN ON FOIL

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Tj)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 196µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Sawn on foil
패키지 / 케이스: Die

재고 있음3,598

IPC218N06N3X1SA2

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 3A SAWN ON FOIL

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Tj)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 196µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Sawn on foil
패키지 / 케이스: Die

재고 있음8,298

IPC218N06N3X7SA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MV POWER MOS

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음4,482

IPC26N12NX1SA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 120V 1A SAWN ON FOIL

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 120V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Tj)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 244µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Sawn on foil
패키지 / 케이스: Die

재고 있음4,806

IPC26N12NX2SA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 120V SAWN WAFER

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음7,164

IPC300N15N3RX1SA2

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 150V 1A SAWN ON FOIL

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Tj)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Sawn on foil
패키지 / 케이스: Die

재고 있음6,534

IPC300N20N3X7SA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MV POWER MOS

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음6,300

IPC302N08N3X1SA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 1A SAWN ON FOIL

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Tj)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 270µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Sawn on foil
패키지 / 케이스: Die

재고 있음6,480

IPC302N08N3X2SA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V SAWN WAFER

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음2,106

IPC302N10N3X1SA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 1A SAWN ON FOIL

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Tj)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 302µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Sawn on foil
패키지 / 케이스: Die

재고 있음5,760

IPC302N12N3X1SA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 120V 1A SAWN ON FOIL

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 120V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Tj)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 275µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Sawn on foil
패키지 / 케이스: Die

재고 있음2,160

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