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IPC300N15N3RX1SA2

IPC300N15N3RX1SA2

참조 용

부품 번호 IPC300N15N3RX1SA2
PNEDA 부품 번호 IPC300N15N3RX1SA2
설명 MOSFET N-CH 150V 1A SAWN ON FOIL
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 6,534
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IPC300N15N3RX1SA2 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IPC300N15N3RX1SA2
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일

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  • IPC300N15N3RX1SA2 Distributor

IPC300N15N3RX1SA2 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈OptiMOS™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)150V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)1A (Tj)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs100mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
Vgs (최대)-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
FET 기능-
전력 손실 (최대)-
작동 온도-
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지Sawn on foil
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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

35A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

2.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.4mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

183nC @ 10V

Vgs (최대)

±12V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5590pF @ 10V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.7W (Ta), 52W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

PowerPAK® 1212-8

패키지 / 케이스

PowerPAK® 1212-8

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Infineon Technologies

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Infineon Technologies

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MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

94A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.25V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

32nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2920pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

89W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

D-Pak

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

TPH3208PD

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제조업체

Transphorm

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

GaNFET (Gallium Nitride)

드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

20A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

130mOhm @ 13A, 8V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.6V @ 300µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

14nC @ 8V

Vgs (최대)

±18V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

760pF @ 400V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

96W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220AB

패키지 / 케이스

TO-220-3

SISA18DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

38.3A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

21.5nC @ 10V

Vgs (최대)

+20V, -16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1000pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.2W (Ta), 19.8W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

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드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

공급자 장치 패키지

-

패키지 / 케이스

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