트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
IPB80N06S407ATMA2 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 40µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 56nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4500pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 79W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음3,508
IPB80N06S4L05ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 60µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 10V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8180pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 107W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음2,448
IPB80N06S4L05ATMA2 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 60µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 10V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8180pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 107W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음3,366
IPB80N06S4L07ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 40µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 75nC @ 10V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5680pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 79W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음3,672
IPB80N06S4L07ATMA2 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 40µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 75nC @ 10V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5680pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 79W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음7,380
IPB80N07S405ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음3,690
IPB80N08S207ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 180nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4700pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음7,038
IPB80N08S2L07ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 233nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5400pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음22,716
IPB80N08S406ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 90µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 70nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4800pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음7,488
IPB80P03P405ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 253µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 130nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10300pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 137W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음8,136
IPB80P03P4L04ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 253µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 160nC @ 10V Vgs (최대): +5V, -16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11300pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 137W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음5,868
IPB80P03P4L07ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 130µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 80nC @ 10V Vgs (최대): +5V, -16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5700pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 88W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음5,958
IPB80P04P405ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 151nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10300pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 125W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음7,668
IPB80P04P407ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 150µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 89nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6085pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 88W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음6,966
IPB80P04P4L04ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 176nC @ 10V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3800pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 125W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음8,262
IPB80P04P4L06ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 150µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 104nC @ 10V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6580pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 88W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음2,484
IPB80P04P4L08ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 120µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 92nC @ 10V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5430pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 75W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음6,102
IPB80R290C3AATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음3,564
IPB80R290C3AATMA2 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 AUTOMOTIVE 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 117nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2300pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 227W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음8,946
IPB90N04S402ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3-2 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 90A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 95µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 118nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9430pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음3,042
IPB90N06S404ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 90µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 128nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10400pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음3,636
IPB90N06S404ATMA2 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 90µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 128nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10400pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음8,910
IPB90N06S4L04ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 90A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 90µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 170nC @ 10V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음8,442
IPB90N06S4L04ATMA2 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 90µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 170nC @ 10V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13000pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음2,952
IPB90R340C3ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 900V 15A TO-263 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 9.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 94nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2400pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 208W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음20,340
IPB90R340C3ATMA2 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 900V TO-263 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 9.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 94nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2400pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 208W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음5,634
IPBH6N03LA Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 30µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2390pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 71W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음4,266
IPBH6N03LA G Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 50A TO-263 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 30µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2390pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 71W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음5,256
IPC014N03L3X1SA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 2A SAWN ON FOIL 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Tj) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Sawn on foil 패키지 / 케이스: Die	재고 있음5,526
IPC020N10L3X1SA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 1A SAWN ON FOIL 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Tj) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 12µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Sawn on foil 패키지 / 케이스: Die	재고 있음5,940

IPB80N06S407ATMA2

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 40µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 56nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4500pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 79W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음3,508

IPB80N06S4L05ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 60µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 10V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8180pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 107W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음2,448

IPB80N06S4L05ATMA2

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 60µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 10V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8180pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 107W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음3,366

IPB80N06S4L07ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 40µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 75nC @ 10V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5680pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 79W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음3,672

IPB80N06S4L07ATMA2

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 80A TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 40µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 75nC @ 10V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5680pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 79W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음7,380

IPB80N07S405ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음3,690

IPB80N08S207ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 180nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4700pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음7,038

IPB80N08S2L07ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 233nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5400pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음22,716

IPB80N08S406ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 90µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 70nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4800pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음7,488

IPB80P03P405ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 253µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 130nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10300pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 137W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음8,136

IPB80P03P4L04ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 253µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 160nC @ 10V
Vgs (최대): +5V, -16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11300pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 137W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음5,868

IPB80P03P4L07ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 80A TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 130µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 80nC @ 10V
Vgs (최대): +5V, -16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5700pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 88W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음5,958

IPB80P04P405ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 151nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10300pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 125W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음7,668

IPB80P04P407ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 150µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 89nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6085pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 88W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음6,966

IPB80P04P4L04ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 176nC @ 10V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3800pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 125W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음8,262

IPB80P04P4L06ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 150µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 104nC @ 10V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6580pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 88W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음2,484

IPB80P04P4L08ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 120µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 92nC @ 10V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5430pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 75W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음6,102

IPB80R290C3AATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음3,564

IPB80R290C3AATMA2

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

AUTOMOTIVE

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 117nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2300pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 227W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음8,946

IPB90N04S402ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3-2

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 95µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 118nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9430pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음3,042

IPB90N06S404ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 90µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 128nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10400pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음3,636

IPB90N06S404ATMA2

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 90µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 128nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10400pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음8,910

IPB90N06S4L04ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 90µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 170nC @ 10V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음8,442

IPB90N06S4L04ATMA2

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 90A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 90µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 170nC @ 10V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13000pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음2,952

IPB90R340C3ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 900V 15A TO-263

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 9.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 94nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2400pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 208W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음20,340

IPB90R340C3ATMA2

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 900V TO-263

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 340mOhm @ 9.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 94nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2400pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 208W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음5,634

IPBH6N03LA

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 30µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2390pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 71W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음4,266

IPBH6N03LA G

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 50A TO-263

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 30µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 19nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2390pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 71W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TO263-3-2
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음5,256

IPC014N03L3X1SA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 2A SAWN ON FOIL

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Tj)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Sawn on foil
패키지 / 케이스: Die

재고 있음5,526

IPC020N10L3X1SA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 1A SAWN ON FOIL

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Tj)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.1V @ 12µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Sawn on foil
패키지 / 케이스: Die

재고 있음5,940

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