전력 관리 IC

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PMIC-전압 조정기-선형 조정기 컨트롤러 (207)
PMIC-전압 조정기-특수 목적 (3,917)
파워 드라이버 모듈 (809)

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부품 번호	설명	재고 있음
IR2110STR Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 16-SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 3.3V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 6V, 9.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 500V 상승 / 하강 시간 (일반): 25ns, 17ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음4,860
IR2110STRPBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 16SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 3.3V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 6V, 9.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 500V 상승 / 하강 시간 (일반): 25ns, 17ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음164,598
IR2111 Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HALF-BRIDGE 8-DIP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 8.3V, 12.6V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 250mA, 500mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 80ns, 40ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음6,012
IR2111PBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HALF-BRIDGE 8-DIP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 8.3V, 12.6V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 250mA, 500mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 80ns, 40ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음16,392
IR2111S Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HALF-BRIDGE 8-SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 8.3V, 12.6V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 250mA, 500mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 80ns, 40ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음7,272
IR2111SPBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HALF BRIDGE 8SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 8.3V, 12.6V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 250mA, 500mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 80ns, 40ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음6,060
IR2111STR Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HALF-BRIDGE 8-SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 8.3V, 12.6V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 250mA, 500mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 80ns, 40ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음6,696
IR2111STRPBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HALF BRIDGE 8SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 8.3V, 12.6V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 250mA, 500mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 80ns, 40ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음57,462
IR2112 Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 14-DIP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 6V, 9.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 250mA, 500mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 80ns, 40ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 14-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 14-DIP	재고 있음5,940
IR2112-1 Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 14-DIP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 6V, 9.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 250mA, 500mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 80ns, 40ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 14-DIP (0.300", 7.62mm), 13 Leads 공급자 장치 패키지: 14-PDIP	재고 있음5,688
IR2112-1PBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 14DIP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 6V, 9.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 250mA, 500mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 80ns, 40ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 14-DIP (0.300", 7.62mm), 13 Leads 공급자 장치 패키지: 14-PDIP	재고 있음2,790
IR2112-2 Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16-DIP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 6V, 9.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 250mA, 500mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 80ns, 40ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm), 14 Leads 공급자 장치 패키지: 16-PDIP	재고 있음6,444
IR2112-2PBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16DIP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 6V, 9.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 250mA, 500mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 80ns, 40ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm), 14 Leads 공급자 장치 패키지: 16-PDIP	재고 있음2,592
IR2112PBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR HI/LO SIDE 14-DIP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 6V, 9.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 250mA, 500mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 80ns, 40ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 14-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 14-DIP	재고 있음13,470
IR2112S Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 6V, 9.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 250mA, 500mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 80ns, 40ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음3,456
IR2112SPBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 6V, 9.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 250mA, 500mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 80ns, 40ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음10,524
IR2112STR Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 6V, 9.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 250mA, 500mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 80ns, 40ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음4,464
IR2112STRPBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 6V, 9.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 250mA, 500mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 80ns, 40ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음16,140
IR2113 Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 14-DIP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 3.3V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 6V, 9.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 25ns, 17ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 14-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 14-DIP	재고 있음6,084
IR2113-1 Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 14-DIP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 3.3V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 6V, 9.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 25ns, 17ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 14-DIP (0.300", 7.62mm), 13 Leads 공급자 장치 패키지: 14-PDIP	재고 있음6,858
IR2113-1PBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 14DIP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 3.3V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 6V, 9.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 25ns, 17ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 14-DIP (0.300", 7.62mm), 13 Leads 공급자 장치 패키지: 14-PDIP	재고 있음7,470
IR2113-2 Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16-DIP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 3.3V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 6V, 9.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 25ns, 17ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 16-DIP (0.300", 7.62mm), 14 Leads 공급자 장치 패키지: 16-PDIP	재고 있음5,490
IR2113PBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR HI/LO SIDE 14-DIP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 3.3V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 6V, 9.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 25ns, 17ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 14-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 14-DIP	재고 있음5,538
IR2113SPBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 3.3V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 6V, 9.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 25ns, 17ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음30,216
IR2113STR Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 3.3V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 6V, 9.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 25ns, 17ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음6,858
IR2113STRPBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRVR HI/LO SIDE 16SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 3.3V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 6V, 9.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 25ns, 17ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음44,646
IR21141SSPBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRVR HALF BRIDGE 600V 24-SSOP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT 전압-공급: 11.5V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2A, 3A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 24ns, 7ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-SSOP (0.209", 5.30mm Width) 공급자 장치 패키지: 24-SSOP	재고 있음3,742
IR21141SSTRPBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DVR HALF BRIDGE 600V 24-SSOP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT 전압-공급: 11.5V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2A, 3A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 24ns, 7ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-SSOP (0.209", 5.30mm Width) 공급자 장치 패키지: 24-SSOP	재고 있음3,618
IR2114SS Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HALF-BRIDGE 24-SSOP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT 전압-공급: 11.5V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2A, 3A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 24ns, 7ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-SSOP (0.209", 5.30mm Width) 공급자 장치 패키지: 24-SSOP	재고 있음2,232
IR2114SSPBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HALF-BRIDGE 24-SSOP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT 전압-공급: 11.5V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2A, 3A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 24ns, 7ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 24-SSOP (0.209", 5.30mm Width) 공급자 장치 패키지: 24-SSOP	재고 있음13,104

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