전력 관리 IC

PMIC-AC DC 컨버터, 오프라인 스위처 (3,694)
PMIC-배터리 충전기 (2,798)
PMIC-배터리 관리 (3,367)
PMIC-현재 규제 / 관리 (1,239)
PMIC-디스플레이 드라이버 (1,136)
PMIC-에너지 계량 (533)
PMIC-풀, 하프 브리지 드라이버 (950)
PMIC-게이트 드라이버 (5,436)
PMIC-핫스왑 컨트롤러 (2,029)
PMIC-레이저 드라이버 (412)
PMIC-LED 드라이버 (5,435)
PMIC-조명, 안정기 컨트롤러 (417)
PMIC-모터 드라이버, 컨트롤러 (3,435)
PMIC-OR 컨트롤러, 이상적인 다이오드 (451)
PMIC-PFC (역률 보정) (827)
PMIC-배전 스위치, 부하 드라이버 (6,110)
PMIC-전력 관리-전문 (4,737)
PMIC-PoE (Power Over Ethernet) 컨트롤러 (637)
PMIC-전원 공급 장치 컨트롤러, 모니터 (1,413)
PMIC-RMS-DC 컨버터 (125)
PMIC-감독관 (37,657)
PMIC-열 관리 (465)
PMIC-V / F 및 F / V 변환기 (125)
PMIC-기준 전압 (7,166)
PMIC-전압 조정기-DC DC 스위칭 컨트롤러 (9,302)
PMIC-전압 조정기-DC DC 스위칭 조정기 (30,726)
PMIC-전압 조정기-선형 (57,737)
PMIC-전압 조정기-선형 + 스위칭 (1,319)
PMIC-전압 조정기-선형 조정기 컨트롤러 (207)
PMIC-전압 조정기-특수 목적 (3,917)
파워 드라이버 모듈 (809)

기록 194,611

페이지 520/6488

부품 번호	설명	재고 있음
IR2127STRPBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER CURR SENSE 1CHAN 8SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: High-Side or Low-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 12V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 3V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 250mA, 500mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 80ns, 40ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음13,891
IR2128 Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRIVER CUR-SENSE 8-DIP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: High-Side or Low-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 12V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 3V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 250mA, 500mA 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 80ns, 40ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음2,304
IR2128PBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRVR CURR SENSE 8DIP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: High-Side or Low-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 12V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 3V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 250mA, 500mA 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 80ns, 40ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음7,092
IR2128S Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRIVER CUR-SENSE 8SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: High-Side or Low-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 12V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 3V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 250mA, 500mA 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 80ns, 40ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음5,202
IR2128SPBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRIVER CUR SENSE 8SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: High-Side or Low-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 12V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 3V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 250mA, 500mA 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 80ns, 40ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음6,204
IR2128STR Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRIVER CUR-SENSE 8SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: High-Side or Low-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 12V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 3V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 250mA, 500mA 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 80ns, 40ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음3,472
IR2128STRPBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRIVER CUR-SENSE 8SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: High-Side or Low-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 12V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 3V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 250mA, 500mA 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 80ns, 40ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음4,248
IR2130 Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 28-DIP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: 3-Phase 드라이버 수: 6 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 250mA, 500mA 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 80ns, 35ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-DIP (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 28-PDIP	재고 있음79,249
IR2130J Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 44-PLCC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: 3-Phase 드라이버 수: 6 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 250mA, 500mA 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 80ns, 35ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-LCC (J-Lead), 32 Leads 공급자 장치 패키지: 44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58)	재고 있음3,472
IR2130JPBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER BRIDGE 3PHASE 44PLCC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: 3-Phase 드라이버 수: 6 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 250mA, 500mA 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 80ns, 35ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-LCC (J-Lead), 32 Leads 공급자 장치 패키지: 44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58)	재고 있음7,656
IR2130JTR Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 44-PLCC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: 3-Phase 드라이버 수: 6 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 250mA, 500mA 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 80ns, 35ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-LCC (J-Lead), 32 Leads 공급자 장치 패키지: 44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58)	재고 있음7,362
IR2130JTRPBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 44-PLCC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: 3-Phase 드라이버 수: 6 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 250mA, 500mA 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 80ns, 35ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-LCC (J-Lead), 32 Leads 공급자 장치 패키지: 44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58)	재고 있음7,056
IR2130PBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 28-DIP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: 3-Phase 드라이버 수: 6 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 250mA, 500mA 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 80ns, 35ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-DIP (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 28-PDIP	재고 있음5,946
IR2130S Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 28-SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: 3-Phase 드라이버 수: 6 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 250mA, 500mA 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 80ns, 35ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SOIC	재고 있음3,096
IR2130SPBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 28-SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: 3-Phase 드라이버 수: 6 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 250mA, 500mA 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 80ns, 35ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SOIC	재고 있음16,272
IR2130STR Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 28-SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: 3-Phase 드라이버 수: 6 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 250mA, 500mA 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 80ns, 35ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SOIC	재고 있음3,060
IR2130STRPBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 28-SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: 3-Phase 드라이버 수: 6 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 250mA, 500mA 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 80ns, 35ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SOIC	재고 있음21,288
IR2131 Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 28-DIP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 6 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 250mA, 500mA 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 80ns, 40ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-DIP (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 28-PDIP	재고 있음8,928
IR2131J Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 44-PLCC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 6 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 250mA, 500mA 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 80ns, 40ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-LCC (J-Lead), 32 Leads 공급자 장치 패키지: 44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58)	재고 있음5,616
IR2131JPBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 44-PLCC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 6 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 250mA, 500mA 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 80ns, 40ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-LCC (J-Lead), 32 Leads 공급자 장치 패키지: 44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58)	재고 있음6,228
IR2131JTR Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 44-PLCC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 6 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 250mA, 500mA 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 80ns, 40ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-LCC (J-Lead), 32 Leads 공급자 장치 패키지: 44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58)	재고 있음8,046
IR2131JTRPBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 44-PLCC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 6 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 250mA, 500mA 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 80ns, 40ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-LCC (J-Lead), 32 Leads 공급자 장치 패키지: 44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58)	재고 있음3,598
IR2131PBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 28-DIP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 6 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 250mA, 500mA 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 80ns, 40ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-DIP (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 28-PDIP	재고 있음5,310
IR2131S Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 28-SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 6 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 250mA, 500mA 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 80ns, 40ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SOIC	재고 있음2,808
IR2131SPBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 28-SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 6 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 250mA, 500mA 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 80ns, 40ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SOIC	재고 있음18,738
IR2131STR Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 28-SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 6 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 250mA, 500mA 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 80ns, 40ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SOIC	재고 있음6,804
IR2131STRPBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 28-SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 6 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 250mA, 500mA 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 80ns, 40ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SOIC	재고 있음8,010
IR2132 Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 28-DIP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: 3-Phase 드라이버 수: 6 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 250mA, 500mA 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 80ns, 35ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-DIP (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 28-PDIP	재고 있음6,822
IR2132JPBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 44-PLCC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: 3-Phase 드라이버 수: 6 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 250mA, 500mA 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 80ns, 35ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-LCC (J-Lead), 32 Leads 공급자 장치 패키지: 44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58)	재고 있음4,896
IR2132JTR Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER BRIDGE 3-PHASE 44-PLCC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: 3-Phase 드라이버 수: 6 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 250mA, 500mA 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 80ns, 35ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-LCC (J-Lead), 32 Leads 공급자 장치 패키지: 44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58)	재고 있음2,916

«
‹
1
...
517
518
519
520 (current)
521
522
523
...
6488
›
»

Send Message

Certifications

전력 관리 IC

자원

지원

Social Media

Need Help?
Send Message