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부품 번호	설명	재고 있음
IR2103STR Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HALF BRIDGE 600V 8SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 3V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 210mA, 360mA 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 100ns, 50ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음3,942
IR2103STRPBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HALF BRIDGE 600V 8SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 3V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 210mA, 360mA 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 100ns, 50ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음72,288
IR2104 Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8-DIP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 3V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 210mA, 360mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 100ns, 50ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음3,816
IR2104PBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8DIP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 3V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 210mA, 360mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 100ns, 50ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음7,032
IR2104S Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8-SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 3V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 210mA, 360mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 100ns, 50ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음4,608
IR2104SPBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 3V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 210mA, 360mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 100ns, 50ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음34,362
IR2104STR Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8-SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 3V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 210mA, 360mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 100ns, 50ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음4,932
IR2104STRPBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 3V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 210mA, 360mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 100ns, 50ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음103,974
IR2105 Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HALF-BRIDGE 8-DIP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 3V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 210mA, 360mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 100ns, 50ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음2,664
IR2105S Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HALF-BRIDGE 8-SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 3V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 210mA, 360mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 100ns, 50ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음3,492
IR2105STR Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HALF-BRIDGE 8-SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 3V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 210mA, 360mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 100ns, 50ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음7,812
IR2106 Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HIGH/LOW DRIVER 8-DIP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.9V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 200mA, 350mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 150ns, 50ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음3,204
IR21064 Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HIGH/LOW DRIVER 14-DIP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.9V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 200mA, 350mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 150ns, 50ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 14-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 14-DIP	재고 있음2,772
IR21064PBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 14DIP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.9V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 200mA, 350mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 150ns, 50ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 14-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 14-DIP	재고 있음7,146
IR21064S Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HIGH/LOW DRIVER 14SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.9V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 200mA, 350mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 150ns, 50ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 14-SOIC	재고 있음7,506
IR21064SPBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 14SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.9V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 200mA, 350mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 150ns, 50ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 14-SOIC	재고 있음8,076
IR21064STR Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HIGH/LOW 600V 14-SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.9V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 200mA, 350mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 150ns, 50ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 14-SOIC	재고 있음5,616
IR21064STRPBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 14SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.9V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 200mA, 350mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 150ns, 50ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 14-SOIC	재고 있음8,694
IR2106PBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8DIP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.9V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 200mA, 350mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 150ns, 50ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음5,652
IR2106S Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HIGH/LOW DRIVER 8-SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.9V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 200mA, 350mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 150ns, 50ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음8,172
IR2106SPBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.9V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 200mA, 350mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 150ns, 50ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음8,424
IR2106STR Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HIGH/LOW 600V 8-SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.9V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 200mA, 350mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 150ns, 50ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음5,436
IR2106STRPBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.9V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 200mA, 350mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 150ns, 50ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음879,938
IR2107 Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HIGH/LOW DRIVER 8-DIP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.7V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 200mA, 350mA 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 150ns, 50ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음7,884
IR21074 Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HIGH/LOW DRIVER 14-DIP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.7V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 200mA, 350mA 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 150ns, 50ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 14-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 14-DIP	재고 있음7,848
IR21074S Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HIGH/LOW DRIVER 14SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.7V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 200mA, 350mA 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 150ns, 50ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 14-SOIC	재고 있음2,538
IR2107S Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HIGH/LOW DRIVER 8-SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.7V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 200mA, 350mA 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 150ns, 50ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음5,220
IR2107STR Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HIGH/LOW DRIVER 8-SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.7V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 200mA, 350mA 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 150ns, 50ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음7,038
IR2108 Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HALF BRIDGE 8DIP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.9V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 200mA, 350mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 150ns, 50ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음2,682
IR21084PBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HALF BRIDGE 14DIP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.9V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 200mA, 350mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 150ns, 50ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 14-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 14-DIP	재고 있음4,446

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