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메모리 IC

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부품 번호
설명
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수량
DS1220Y-120+
DS1220Y-120+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 16K PARALLEL 24DIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 120ns
  • 접근 시간: 120ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 24-DIP
재고 있음1,066
DS1220Y-150+
DS1220Y-150+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 16K PARALLEL 24EDIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 150ns
  • 접근 시간: 150ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 24-EDIP
재고 있음6,339
DS1220Y-200+
DS1220Y-200+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 16K PARALLEL 24EDIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 200ns
  • 접근 시간: 200ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 24-EDIP
재고 있음6,552
DS1220Y-200IND+
DS1220Y-200IND+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 16K PARALLEL 24EDIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 200ns
  • 접근 시간: 200ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 24-EDIP
재고 있음1,044
DS1225AB-150
DS1225AB-150

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 150ns
  • 접근 시간: 150ns
  • 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 28-EDIP
재고 있음5,022
DS1225AB-150+
DS1225AB-150+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 150ns
  • 접근 시간: 150ns
  • 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 28-EDIP
재고 있음6,318
DS1225AB-150IND
DS1225AB-150IND

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 150ns
  • 접근 시간: 150ns
  • 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 28-EDIP
재고 있음7,362
DS1225AB-150IND+
DS1225AB-150IND+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 150ns
  • 접근 시간: 150ns
  • 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 28-EDIP
재고 있음6,048
DS1225AB-170+
DS1225AB-170+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 170ns
  • 접근 시간: 170ns
  • 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 28-EDIP
재고 있음7,110
DS1225AB-200
DS1225AB-200

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 200ns
  • 접근 시간: 200ns
  • 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 28-EDIP
재고 있음3,400
DS1225AB-200+
DS1225AB-200+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 200ns
  • 접근 시간: 200ns
  • 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 28-EDIP
재고 있음7,356
DS1225AB-200IND
DS1225AB-200IND

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 200ns
  • 접근 시간: 200ns
  • 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 28-EDIP
재고 있음6,030
DS1225AB-200IND+
DS1225AB-200IND+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 200ns
  • 접근 시간: 200ns
  • 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 28-EDIP
재고 있음7,686
DS1225AB-70
DS1225AB-70

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 28-EDIP
재고 있음3,114
DS1225AB-70+
DS1225AB-70+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 28-EDIP
재고 있음4,608
DS1225AB-70IND
DS1225AB-70IND

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 28-EDIP
재고 있음2,340
DS1225AB-70IND+
DS1225AB-70IND+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 28-EDIP
재고 있음7,416
DS1225AB-85
DS1225AB-85

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 85ns
  • 접근 시간: 85ns
  • 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 28-EDIP
재고 있음3,562
DS1225AB-85+
DS1225AB-85+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 85ns
  • 접근 시간: 85ns
  • 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 28-EDIP
재고 있음8,694
DS1225AD-150
DS1225AD-150

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 150ns
  • 접근 시간: 150ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 28-EDIP
재고 있음4,500
DS1225AD-150+
DS1225AD-150+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 150ns
  • 접근 시간: 150ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 28-EDIP
재고 있음639
DS1225AD-150IND
DS1225AD-150IND

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 150ns
  • 접근 시간: 150ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 28-EDIP
재고 있음6,090
DS1225AD-150IND+
DS1225AD-150IND+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 150ns
  • 접근 시간: 150ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 28-EDIP
재고 있음7,452
DS1225AD-170+
DS1225AD-170+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 170ns
  • 접근 시간: 170ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 28-EDIP
재고 있음3,562
DS1225AD-200
DS1225AD-200

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 200ns
  • 접근 시간: 200ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 28-EDIP
재고 있음7,884
DS1225AD-200+
DS1225AD-200+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 200ns
  • 접근 시간: 200ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 28-EDIP
재고 있음1,215
DS1225AD-200IND
DS1225AD-200IND

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 200ns
  • 접근 시간: 200ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 28-EDIP
재고 있음6,228
DS1225AD-200IND+
DS1225AD-200IND+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 200ns
  • 접근 시간: 200ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 28-EDIP
재고 있음527
DS1225AD-70
DS1225AD-70

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 28-EDIP
재고 있음4,500
DS1225AD-70+
DS1225AD-70+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 28-EDIP
재고 있음6,318