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메모리 IC

기록 47,332
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부품 번호
설명
재고 있음
수량
DS1201
DS1201

Maxim Integrated

기억

IC SRAM 1K I2C 4MHZ 5SIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM
  • 메모리 크기: 1Kb (128 x 8)
  • 메모리 인터페이스: I²C
  • 시계 주파수: 4MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 5-SIP Module
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음7,758
DS1201+C02
DS1201+C02

Maxim Integrated

기억

IC SRAM 1KBIT 100NS 5SIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: *
  • 메모리 유형: -
  • 메모리 포맷: -
  • 기술: -
  • 메모리 크기: -
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음8,244
DS1201N
DS1201N

Maxim Integrated

기억

IC SRAM 1K I2C 4MHZ 5SIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM
  • 메모리 크기: 1Kb (128 x 8)
  • 메모리 인터페이스: I²C
  • 시계 주파수: 4MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 5-SIP Module
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음2,952
DS1220AB-100
DS1220AB-100

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 16K PARALLEL 24EDIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 24-EDIP
재고 있음4,716
DS1220AB-100+
DS1220AB-100+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 16K PARALLEL 24EDIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 24-EDIP
재고 있음6,564
DS1220AB-100IND
DS1220AB-100IND

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 16K PARALLEL 24EDIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 24-EDIP
재고 있음7,884
DS1220AB-100IND+
DS1220AB-100IND+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 16K PARALLEL 24EDIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 24-EDIP
재고 있음7,758
DS1220AB-120
DS1220AB-120

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 16K PARALLEL 24EDIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 120ns
  • 접근 시간: 120ns
  • 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 24-EDIP
재고 있음2,772
DS1220AB-120+
DS1220AB-120+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 16K PARALLEL 24EDIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 120ns
  • 접근 시간: 120ns
  • 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 24-EDIP
재고 있음6,168
DS1220AB-150
DS1220AB-150

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 16K PARALLEL 24EDIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 150ns
  • 접근 시간: 150ns
  • 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 24-EDIP
재고 있음6,030
DS1220AB-150+
DS1220AB-150+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 16K PARALLEL 24EDIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 150ns
  • 접근 시간: 150ns
  • 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 24-EDIP
재고 있음5,040
DS1220AB-150IND
DS1220AB-150IND

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 16K PARALLEL 24EDIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 150ns
  • 접근 시간: 150ns
  • 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 24-EDIP
재고 있음3,330
DS1220AB-150IND+
DS1220AB-150IND+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 16K PARALLEL 24EDIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 150ns
  • 접근 시간: 150ns
  • 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 24-EDIP
재고 있음9,348
DS1220AB-200+
DS1220AB-200+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 16K PARALLEL 24EDIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 200ns
  • 접근 시간: 200ns
  • 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 24-EDIP
재고 있음6,744
DS1220AB-200IND
DS1220AB-200IND

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 16K PARALLEL 24EDIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 200ns
  • 접근 시간: 200ns
  • 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 24-EDIP
재고 있음5,022
DS1220AB-200IND+
DS1220AB-200IND+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 16K PARALLEL 24EDIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 200ns
  • 접근 시간: 200ns
  • 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 24-EDIP
재고 있음5,940
DS1220AD-100
DS1220AD-100

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 16K PARALLEL 24EDIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 24-EDIP
재고 있음6,966
DS1220AD-100+
DS1220AD-100+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 16K PARALLEL 24EDIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 24-EDIP
재고 있음6,606
DS1220AD-100IND
DS1220AD-100IND

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 16K PARALLEL 24EDIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 24-EDIP
재고 있음2,664
DS1220AD-100IND+
DS1220AD-100IND+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 16K PARALLEL 24EDIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 24-EDIP
재고 있음9,252
DS1220AD-120
DS1220AD-120

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 16K PARALLEL 24EDIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 120ns
  • 접근 시간: 120ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 24-EDIP
재고 있음7,056
DS1220AD-120+
DS1220AD-120+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 16K PARALLEL 24EDIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 120ns
  • 접근 시간: 120ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 24-EDIP
재고 있음930
DS1220AD-150
DS1220AD-150

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 16K PARALLEL 24EDIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 150ns
  • 접근 시간: 150ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 24-EDIP
재고 있음2,970
DS1220AD-150+
DS1220AD-150+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 16K PARALLEL 24EDIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 150ns
  • 접근 시간: 150ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 24-EDIP
재고 있음688
DS1220AD-200
DS1220AD-200

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 16K PARALLEL 24EDIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 200ns
  • 접근 시간: 200ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 24-EDIP
재고 있음7,056
DS1220AD-200+
DS1220AD-200+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 16K PARALLEL 24EDIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 200ns
  • 접근 시간: 200ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 24-EDIP
재고 있음698
DS1220AD-200IND
DS1220AD-200IND

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 16K PARALLEL 24EDIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 200ns
  • 접근 시간: 200ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 24-EDIP
재고 있음5,580
DS1220AD-200IND+
DS1220AD-200IND+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 16K PARALLEL 24EDIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 200ns
  • 접근 시간: 200ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 24-EDIP
재고 있음7,542
DS1220Y-100+
DS1220Y-100+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 16K PARALLEL 24EDIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 24-EDIP
재고 있음3,960
DS1220Y-100IND+
DS1220Y-100IND+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 16K PARALLEL 24EDIP

  • 제조업체: Maxim Integrated
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: NVSRAM
  • 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
  • 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
  • 접근 시간: 100ns
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 패키지 / 케이스: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
  • 공급자 장치 패키지: 24-EDIP
재고 있음3,330