메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
CYDM128B16-40BVXI Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 128K PARALLEL 100VFBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, MoBL 메모리 크기: 128Kb (8K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 40ns 접근 시간: 40ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V, 2.4V ~ 2.6V, 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-VFBGA 공급자 장치 패키지: 100-VFBGA (6x6)	재고 있음8,640
CYDM128B16-40BVXIT Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 128K PARALLEL 100VFBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, MoBL 메모리 크기: 128Kb (8K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 40ns 접근 시간: 40ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V, 2.4V ~ 2.6V, 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-VFBGA 공급자 장치 패키지: 100-VFBGA (6x6)	재고 있음8,496
CYDM128B16-55BVXI Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 128K PARALLEL 100VFBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, MoBL 메모리 크기: 128Kb (8K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V, 2.4V ~ 2.6V, 2.7V ~ 3.3V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-VFBGA 공급자 장치 패키지: 100-VFBGA (6x6)	재고 있음5,472
CYDM128B16-55BVXIT Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 128K PARALLEL 100VFBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, MoBL 메모리 크기: 128Kb (8K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V, 2.4V ~ 2.6V, 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-VFBGA 공급자 장치 패키지: 100-VFBGA (6x6)	재고 있음3,690
CYDM256B16-40BVXI Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 256K PARALLEL 100VFBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, MoBL 메모리 크기: 256Kb (16K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 40ns 접근 시간: 40ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V, 2.4V ~ 2.6V, 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-VFBGA 공급자 장치 패키지: 100-VFBGA (6x6)	재고 있음3,168
CYDM256B16-40BVXIT Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 256K PARALLEL 100VFBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, MoBL 메모리 크기: 256Kb (16K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 40ns 접근 시간: 40ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V, 2.4V ~ 2.6V, 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-VFBGA 공급자 장치 패키지: 100-VFBGA (6x6)	재고 있음4,338
CYDM256B16-55BVXI Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 256K PARALLEL 100VFBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, MoBL 메모리 크기: 256Kb (16K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V, 2.4V ~ 2.6V, 2.7V ~ 3.3V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-VFBGA 공급자 장치 패키지: 100-VFBGA (6x6)	재고 있음2,050
CYDM256B16-55BVXIT Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 256K PARALLEL 100VFBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, MoBL 메모리 크기: 256Kb (16K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns 접근 시간: 55ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V, 2.4V ~ 2.6V, 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-VFBGA 공급자 장치 패키지: 100-VFBGA (6x6)	재고 있음6,498
CYDMX064A16-65BVXI Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 64K PARALLEL 100VFBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, MoBL 메모리 크기: 64Kb (4K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 65ns 접근 시간: 65ns 전압-공급: 1.8V ~ 3.3V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-VFBGA 공급자 장치 패키지: 100-VFBGA (6x6)	재고 있음5,454
CYDMX064A16-90BVXI Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 64K PARALLEL 100VFBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, MoBL 메모리 크기: 64Kb (4K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns 접근 시간: 90ns 전압-공급: 1.8V ~ 3.3V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-VFBGA 공급자 장치 패키지: 100-VFBGA (6x6)	재고 있음3,762
CYDMX064B16-65BVXI Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 64K PARALLEL 100VFBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, MoBL 메모리 크기: 64Kb (4K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 65ns 접근 시간: 65ns 전압-공급: 1.8V ~ 3.3V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-VFBGA 공급자 장치 패키지: 100-VFBGA (6x6)	재고 있음5,616
CYDMX128A16-65BVXI Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 128K PARALLEL 100VFBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, MoBL 메모리 크기: 128Kb (8K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 65ns 접근 시간: 65ns 전압-공급: 1.8V ~ 3.3V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-VFBGA 공급자 장치 패키지: 100-VFBGA (6x6)	재고 있음6,192
CYDMX128A16-65BVXIT Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 128K PARALLEL 100VFBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, MoBL 메모리 크기: 128Kb (8K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 65ns 접근 시간: 65ns 전압-공급: 1.8V ~ 3.3V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-VFBGA 공급자 장치 패키지: 100-VFBGA (6x6)	재고 있음8,280
CYDMX128A16-90BVXI Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 128K PARALLEL 100VFBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, MoBL 메모리 크기: 128Kb (8K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns 접근 시간: 90ns 전압-공급: 1.8V ~ 3.3V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-VFBGA 공급자 장치 패키지: 100-VFBGA (6x6)	재고 있음2,160
CYDMX128B16-65BVXI Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 128K PARALLEL 100VFBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, MoBL 메모리 크기: 128Kb (8K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 65ns 접근 시간: 65ns 전압-공급: 1.8V ~ 3.3V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-VFBGA 공급자 장치 패키지: 100-VFBGA (6x6)	재고 있음7,272
CYDMX256A16-65BVXI Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 256K PARALLEL 100VFBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, MoBL 메모리 크기: 256Kb (16K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 65ns 접근 시간: 65ns 전압-공급: 1.8V ~ 3.3V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-VFBGA 공급자 장치 패키지: 100-VFBGA (6x6)	재고 있음8,838
CYDMX256A16-90BVXI Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 256K PARALLEL 100VFBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Dual Port, MoBL 메모리 크기: 256Kb (16K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns 접근 시간: 90ns 전압-공급: 1.8V ~ 3.3V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 100-VFBGA 공급자 장치 패키지: 100-VFBGA (6x6)	재고 있음6,606
CYK001M16SCAU-70BAXI Cypress Semiconductor	기억 IC PSRAM 16M PARALLEL 48FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: PSRAM 기술: PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기: 16Mb (1M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.3V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFBGA 공급자 장치 패키지: 48-FBGA (6x8)	재고 있음6,426
CYK256K16MCBU-70BVXI Cypress Semiconductor	기억 IC PSRAM 4M PARALLEL 48VFBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: PSRAM 기술: PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기: 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.3V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-VFBGA 공급자 장치 패키지: 48-VFBGA (6x8)	재고 있음2,700
CYK256K16MCBU-70BVXIT Cypress Semiconductor	기억 IC PSRAM 4M PARALLEL 48VFBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: PSRAM 기술: PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기: 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.3V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-VFBGA 공급자 장치 패키지: 48-VFBGA (6x8)	재고 있음5,634
CYK256K16SCBU-70BVXI Cypress Semiconductor	기억 IC PSRAM 4M PARALLEL 48VFBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: PSRAM 기술: PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기: 4Mb (256K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.3V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-VFBGA 공급자 장치 패키지: 48-VFBGA (6x8)	재고 있음3,510
CYK512K16SCAU-70BAXI Cypress Semiconductor	기억 IC PSRAM 8M PARALLEL 48FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: PSRAM 기술: PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기: 8Mb (512K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.3V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFBGA 공급자 장치 패키지: 48-FBGA (6x8)	재고 있음3,942
CYK512K16SCAU-70BAXIT Cypress Semiconductor	기억 IC PSRAM 8M PARALLEL 48FBGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: PSRAM 기술: PSRAM (Pseudo SRAM) 메모리 크기: 8Mb (512K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 2.7V ~ 3.3V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 48-TFBGA 공급자 장치 패키지: 48-FBGA (6x8)	재고 있음8,712
CYPT1049DV33-12FZMB Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 4MBIT 12NS 32CFLATPACK 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Asynchronous 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 12ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 36-CFlatPack 공급자 장치 패키지: 36-Ceramic FlatPack	재고 있음5,202
CYPT1542AV18-250GCMB Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 72M PARALLEL 165CCGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, QDR II+ 메모리 크기: 72Mb (4M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 250MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 165-BFCCGA 공급자 장치 패키지: 165-CCGA (21x25)	재고 있음2,304
CYPT1543AV18-250GCMB Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 72MBIT 250MHZ 165CCGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, QDR II+ 메모리 크기: 72Mb (4M x 18) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 250MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 165-BFCCGA 공급자 장치 패키지: 165-CCGA (21x25)	재고 있음5,868
CYPT1544AV18-250GCMB Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 72MBIT 250MHZ 165CCGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, QDR II+ 메모리 크기: 72Mb (2M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 250MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 165-BFCCGA 공급자 장치 패키지: 165-CCGA (21x25)	재고 있음7,326
CYPT1545AV18-250GCMB Cypress Semiconductor	기억 IC SRAM 72MBIT 250MHZ 165CCGA 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM - Synchronous, QDR II+ 메모리 크기: 72Mb (2M x 36) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 250MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 165-BFCCGA 공급자 장치 패키지: 165-CCGA (21x25)	재고 있음3,060
DC0232A-D Micron Technology Inc.	기억 DDR SDRAM 16MX128 PLASTIC TFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,860
DS1200 Maxim Integrated	기억 IC SRAM 1K I2C 4MHZ 10DIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: SRAM 기술: SRAM 메모리 크기: 1Kb (1K x 1) 메모리 인터페이스: I²C 시계 주파수: 4MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 10-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 10-PDIP	재고 있음5,796

CYDM128B16-40BVXI

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 128K PARALLEL 100VFBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, MoBL
메모리 크기: 128Kb (8K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 40ns
접근 시간: 40ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V, 2.4V ~ 2.6V, 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-VFBGA
공급자 장치 패키지: 100-VFBGA (6x6)

재고 있음8,640

CYDM128B16-40BVXIT

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 128K PARALLEL 100VFBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, MoBL
메모리 크기: 128Kb (8K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 40ns
접근 시간: 40ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V, 2.4V ~ 2.6V, 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-VFBGA
공급자 장치 패키지: 100-VFBGA (6x6)

재고 있음8,496

CYDM128B16-55BVXI

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 128K PARALLEL 100VFBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, MoBL
메모리 크기: 128Kb (8K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V, 2.4V ~ 2.6V, 2.7V ~ 3.3V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-VFBGA
공급자 장치 패키지: 100-VFBGA (6x6)

재고 있음5,472

CYDM128B16-55BVXIT

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 128K PARALLEL 100VFBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, MoBL
메모리 크기: 128Kb (8K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V, 2.4V ~ 2.6V, 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-VFBGA
공급자 장치 패키지: 100-VFBGA (6x6)

재고 있음3,690

CYDM256B16-40BVXI

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 256K PARALLEL 100VFBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, MoBL
메모리 크기: 256Kb (16K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 40ns
접근 시간: 40ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V, 2.4V ~ 2.6V, 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-VFBGA
공급자 장치 패키지: 100-VFBGA (6x6)

재고 있음3,168

CYDM256B16-40BVXIT

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 256K PARALLEL 100VFBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, MoBL
메모리 크기: 256Kb (16K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 40ns
접근 시간: 40ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V, 2.4V ~ 2.6V, 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-VFBGA
공급자 장치 패키지: 100-VFBGA (6x6)

재고 있음4,338

CYDM256B16-55BVXI

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 256K PARALLEL 100VFBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, MoBL
메모리 크기: 256Kb (16K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V, 2.4V ~ 2.6V, 2.7V ~ 3.3V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-VFBGA
공급자 장치 패키지: 100-VFBGA (6x6)

재고 있음2,050

CYDM256B16-55BVXIT

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 256K PARALLEL 100VFBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, MoBL
메모리 크기: 256Kb (16K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
접근 시간: 55ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V, 2.4V ~ 2.6V, 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-VFBGA
공급자 장치 패키지: 100-VFBGA (6x6)

재고 있음6,498

CYDMX064A16-65BVXI

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 64K PARALLEL 100VFBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, MoBL
메모리 크기: 64Kb (4K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 65ns
접근 시간: 65ns
전압-공급: 1.8V ~ 3.3V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-VFBGA
공급자 장치 패키지: 100-VFBGA (6x6)

재고 있음5,454

CYDMX064A16-90BVXI

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 64K PARALLEL 100VFBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, MoBL
메모리 크기: 64Kb (4K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns
접근 시간: 90ns
전압-공급: 1.8V ~ 3.3V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-VFBGA
공급자 장치 패키지: 100-VFBGA (6x6)

재고 있음3,762

CYDMX064B16-65BVXI

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 64K PARALLEL 100VFBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, MoBL
메모리 크기: 64Kb (4K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 65ns
접근 시간: 65ns
전압-공급: 1.8V ~ 3.3V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-VFBGA
공급자 장치 패키지: 100-VFBGA (6x6)

재고 있음5,616

CYDMX128A16-65BVXI

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 128K PARALLEL 100VFBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, MoBL
메모리 크기: 128Kb (8K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 65ns
접근 시간: 65ns
전압-공급: 1.8V ~ 3.3V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-VFBGA
공급자 장치 패키지: 100-VFBGA (6x6)

재고 있음6,192

CYDMX128A16-65BVXIT

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 128K PARALLEL 100VFBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, MoBL
메모리 크기: 128Kb (8K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 65ns
접근 시간: 65ns
전압-공급: 1.8V ~ 3.3V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-VFBGA
공급자 장치 패키지: 100-VFBGA (6x6)

재고 있음8,280

CYDMX128A16-90BVXI

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 128K PARALLEL 100VFBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, MoBL
메모리 크기: 128Kb (8K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns
접근 시간: 90ns
전압-공급: 1.8V ~ 3.3V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-VFBGA
공급자 장치 패키지: 100-VFBGA (6x6)

재고 있음2,160

CYDMX128B16-65BVXI

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 128K PARALLEL 100VFBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, MoBL
메모리 크기: 128Kb (8K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 65ns
접근 시간: 65ns
전압-공급: 1.8V ~ 3.3V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-VFBGA
공급자 장치 패키지: 100-VFBGA (6x6)

재고 있음7,272

CYDMX256A16-65BVXI

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 256K PARALLEL 100VFBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, MoBL
메모리 크기: 256Kb (16K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 65ns
접근 시간: 65ns
전압-공급: 1.8V ~ 3.3V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-VFBGA
공급자 장치 패키지: 100-VFBGA (6x6)

재고 있음8,838

CYDMX256A16-90BVXI

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 256K PARALLEL 100VFBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Dual Port, MoBL
메모리 크기: 256Kb (16K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns
접근 시간: 90ns
전압-공급: 1.8V ~ 3.3V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 100-VFBGA
공급자 장치 패키지: 100-VFBGA (6x6)

재고 있음6,606

CYK001M16SCAU-70BAXI

Cypress Semiconductor

기억

IC PSRAM 16M PARALLEL 48FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: PSRAM
기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.3V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFBGA
공급자 장치 패키지: 48-FBGA (6x8)

재고 있음6,426

CYK256K16MCBU-70BVXI

Cypress Semiconductor

기억

IC PSRAM 4M PARALLEL 48VFBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: PSRAM
기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.3V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-VFBGA
공급자 장치 패키지: 48-VFBGA (6x8)

재고 있음2,700

CYK256K16MCBU-70BVXIT

Cypress Semiconductor

기억

IC PSRAM 4M PARALLEL 48VFBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: PSRAM
기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.3V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-VFBGA
공급자 장치 패키지: 48-VFBGA (6x8)

재고 있음5,634

CYK256K16SCBU-70BVXI

Cypress Semiconductor

기억

IC PSRAM 4M PARALLEL 48VFBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: PSRAM
기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.3V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-VFBGA
공급자 장치 패키지: 48-VFBGA (6x8)

재고 있음3,510

CYK512K16SCAU-70BAXI

Cypress Semiconductor

기억

IC PSRAM 8M PARALLEL 48FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: PSRAM
기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
메모리 크기: 8Mb (512K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.3V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFBGA
공급자 장치 패키지: 48-FBGA (6x8)

재고 있음3,942

CYK512K16SCAU-70BAXIT

Cypress Semiconductor

기억

IC PSRAM 8M PARALLEL 48FBGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: PSRAM
기술: PSRAM (Pseudo SRAM)
메모리 크기: 8Mb (512K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 2.7V ~ 3.3V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 48-TFBGA
공급자 장치 패키지: 48-FBGA (6x8)

재고 있음8,712

CYPT1049DV33-12FZMB

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 4MBIT 12NS 32CFLATPACK

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Asynchronous
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 12ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 36-CFlatPack
공급자 장치 패키지: 36-Ceramic FlatPack

재고 있음5,202

CYPT1542AV18-250GCMB

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 72M PARALLEL 165CCGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, QDR II+
메모리 크기: 72Mb (4M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 250MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 165-BFCCGA
공급자 장치 패키지: 165-CCGA (21x25)

재고 있음2,304

CYPT1543AV18-250GCMB

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 72MBIT 250MHZ 165CCGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, QDR II+
메모리 크기: 72Mb (4M x 18)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 250MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 165-BFCCGA
공급자 장치 패키지: 165-CCGA (21x25)

재고 있음5,868

CYPT1544AV18-250GCMB

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 72MBIT 250MHZ 165CCGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, QDR II+
메모리 크기: 72Mb (2M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 250MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 165-BFCCGA
공급자 장치 패키지: 165-CCGA (21x25)

재고 있음7,326

CYPT1545AV18-250GCMB

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 72MBIT 250MHZ 165CCGA

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM - Synchronous, QDR II+
메모리 크기: 72Mb (2M x 36)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 250MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 165-BFCCGA
공급자 장치 패키지: 165-CCGA (21x25)

재고 있음3,060

DC0232A-D

Micron Technology Inc.

기억

DDR SDRAM 16MX128 PLASTIC TFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,860

DS1200

Maxim Integrated

기억

IC SRAM 1K I2C 4MHZ 10DIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: SRAM
기술: SRAM
메모리 크기: 1Kb (1K x 1)
메모리 인터페이스: I²C
시계 주파수: 4MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 10-DIP (0.300", 7.62mm)
공급자 장치 패키지: 10-PDIP

재고 있음5,796

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