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부품 번호	설명	재고 있음
2N4393 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-JFET JFET N-CH 40V 1.8W TO-18 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 500mV @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14pF @ 20V 저항-RDS (켜짐): 100 Ohms 전력-최대: 1.8W 작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-18	재고 있음2,070
2N4392 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-JFET JFET N-CH 40V 1.8W TO-18 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 40V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 20V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 1nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14pF @ 20V 저항-RDS (켜짐): 60 Ohms 전력-최대: 1.8W 작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can 공급자 장치 패키지: TO-18	재고 있음7,764
2SK880-Y(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-JFET JFET N-CH 50V 0.1W USM 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 50V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2mA @ 10V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1.5V @ 100nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13pF @ 10V 저항-RDS (켜짐): - 전력-최대: 100mW 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323 공급자 장치 패키지: USM	재고 있음5,933
MMBFJ176 ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET P-CH 30V 0.225W SOT23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1V @ 10nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - 저항-RDS (켜짐): 250 Ohms 전력-최대: 225mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음50,257
MMBFJ175LT1G ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET P-CH 30V 0.225W SOT23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 3V @ 10nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11pF @ 10V (VGS) 저항-RDS (켜짐): 125 Ohms 전력-최대: 225mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)	재고 있음222,756
MMBFJ177LT1G ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET P-CH 30V 0.225W SOT23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 800mV @ 10nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11pF @ 10V (VGS) 저항-RDS (켜짐): 300 Ohms 전력-최대: 225mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)	재고 있음45,073
MMBF4392LT1G ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 30V 0.225W SOT23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 10nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14pF @ 15V 저항-RDS (켜짐): 60 Ohms 전력-최대: 225mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)	재고 있음510,450
MMBF4393LT1G ON Semiconductor	트랜지스터-JFET JFET N-CH 30V 0.225W SOT23 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 전압-항복 (V (BR) GSS): 30V 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V 전류 드레인 (Id)-최대: - 전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 500mV @ 10nA 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14pF @ 15V 저항-RDS (켜짐): 100 Ohms 전력-최대: 225mW 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)	재고 있음1,194,667
BZX284-B10,115 NXP	제너 다이오드-단일 DIODE ZENER 10V 400MW SOD2 제조업체: NXP USA Inc. 시리즈: - 전압-제너 (Nom) (Vz): 10V 공차: ±2% 전력-최대: 400mW 임피던스 (최대) (Zzt): 10 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr: 200nA @ 7V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 100mA 작동 온도: -65°C ~ 150°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOD-110 공급자 장치 패키지: SOD110	재고 있음82,017
BZT52B3V3JS-TP Micro Commercial Co	제너 다이오드-단일 DIODE ZENER SOD-323 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 전압-제너 (Nom) (Vz): 3.3V 공차: ±2% 전력-최대: 200mW 임피던스 (최대) (Zzt): 89 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr: 4.5µA @ 1V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 900mV @ 10mA 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-76, SOD-323 공급자 장치 패키지: SOD-323	재고 있음1,246
1SMB5917B-13 Diodes Incorporated	제너 다이오드-단일 DIODE ZENER SMB 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 전압-제너 (Nom) (Vz): 4.7V 공차: ±5% 전력-최대: 550mW 임피던스 (최대) (Zzt): 5 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 1.5V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.5V @ 200mA 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: DO-214AA, SMB 공급자 장치 패키지: SMB (DO-214AA)	재고 있음4,668
NZ9F9V1ST5G ON Semiconductor	제너 다이오드-단일 DIODE ZENER 9.04V 200MW SOD923 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 전압-제너 (Nom) (Vz): 9.04V 공차: ±2% 전력-최대: 200mW 임피던스 (최대) (Zzt): 30 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 6V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 900mV @ 10mA 작동 온도: -65°C ~ 150°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOD-923 공급자 장치 패키지: SOD-923	재고 있음1,355
NZ9F7V5ST5G ON Semiconductor	제너 다이오드-단일 DIODE ZENER 7.44V 200MW SOD923 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 전압-제너 (Nom) (Vz): 7.44V 공차: ±2% 전력-최대: 200mW 임피던스 (최대) (Zzt): 30 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 4V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 900mV @ 10mA 작동 온도: -65°C ~ 150°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOD-923 공급자 장치 패키지: SOD-923	재고 있음41,119
NZ9F3V0ST5G ON Semiconductor	제너 다이오드-단일 DIODE ZENER 3.1V 200MW SOD923 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 전압-제너 (Nom) (Vz): 3.1V 공차: ±5% 전력-최대: 200mW 임피던스 (최대) (Zzt): 100 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 1V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 900mV @ 10mA 작동 온도: -65°C ~ 150°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOD-923 공급자 장치 패키지: SOD-923	재고 있음353,601
NZ9F2V7T5G ON Semiconductor	제너 다이오드-단일 DIODE ZENER 2.7V 200MW SOD923 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 전압-제너 (Nom) (Vz): 2.7V 공차: ±5% 전력-최대: 200mW 임피던스 (최대) (Zzt): 100 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr: 20µA @ 1V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 900mV @ 10mA 작동 온도: -65°C ~ 150°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOD-923 공급자 장치 패키지: SOD-923	재고 있음20,794
NZ9F2V7ST5G ON Semiconductor	제너 다이오드-단일 DIODE ZENER 2.79V 200MW SOD923 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 전압-제너 (Nom) (Vz): 2.79V 공차: ±4% 전력-최대: 200mW 임피던스 (최대) (Zzt): 100 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr: 20µA @ 1V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 900mV @ 10mA 작동 온도: -65°C ~ 150°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOD-923 공급자 장치 패키지: SOD-923	재고 있음9,646
MMSZ5256CT1G ON Semiconductor	제너 다이오드-단일 DIODE ZENER 30V 500MW SOD123 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 전압-제너 (Nom) (Vz): 30V 공차: ±2% 전력-최대: 500mW 임피던스 (최대) (Zzt): 49 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr: 100nA @ 23V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 900mV @ 10mA 작동 온도: -55°C ~ 150°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOD-123 공급자 장치 패키지: SOD-123	재고 있음1,090
BZG05C3V9-E3-TR Vishay Semiconductor Diodes Division	제너 다이오드-단일 DIODE ZENER 3.9V 1.25W DO214AC 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - 전압-제너 (Nom) (Vz): 3.9V 공차: ±5% 전력-최대: 1.25W 임피던스 (최대) (Zzt): 15 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 1V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA 작동 온도: 150°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: DO-214AC, SMA 공급자 장치 패키지: DO-214AC	재고 있음14,615
BZG03C150TR Vishay Semiconductor Diodes Division	제너 다이오드-단일 DIODE ZENER 1.25W DO214AC 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: Automotive, AEC-Q101 전압-제너 (Nom) (Vz): 150V 공차: - 전력-최대: 1.25W 임피던스 (최대) (Zzt): 300 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 110V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 500mA 작동 온도: -65°C ~ 150°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: DO-214AC, SMA 공급자 장치 패키지: DO-214AC	재고 있음19,780
BZG03C150TR3 Vishay Semiconductor Diodes Division	제너 다이오드-단일 DIODE ZENER 1.25W DO214AC 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: Automotive, AEC-Q101 전압-제너 (Nom) (Vz): 150V 공차: - 전력-최대: 1.25W 임피던스 (최대) (Zzt): 300 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 110V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 500mA 작동 온도: -65°C ~ 150°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: DO-214AC, SMA 공급자 장치 패키지: DO-214AC	재고 있음57,887
BZG03C75TR3 Vishay Semiconductor Diodes Division	제너 다이오드-단일 DIODE ZENER 1.25W DO214AC 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: Automotive, AEC-Q101 전압-제너 (Nom) (Vz): 75V 공차: - 전력-최대: 1.25W 임피던스 (최대) (Zzt): 100 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 56V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 500mA 작동 온도: -65°C ~ 150°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: DO-214AC, SMA 공급자 장치 패키지: DO-214AC	재고 있음52,128
BZT55C8V2 L0G Taiwan Semiconductor Corporation	제너 다이오드-단일 DIODE ZENER 8.2V 500MW MINI MELF 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: - 전압-제너 (Nom) (Vz): 8.2V 공차: ±5% 전력-최대: 500mW 임피던스 (최대) (Zzt): 7 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr: 100nA @ 6.2V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 10mA 작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 공급자 장치 패키지: Mini MELF	재고 있음218
BZT55C3V9 L0G Taiwan Semiconductor Corporation	제너 다이오드-단일 DIODE ZENER 3.9V 500MW MINI MELF 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: - 전압-제너 (Nom) (Vz): 3.9V 공차: ±5% 전력-최대: 500mW 임피던스 (최대) (Zzt): 85 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr: 2µA @ 1V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 10mA 작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 공급자 장치 패키지: Mini MELF	재고 있음76,472
BZT55C3V6 L0G Taiwan Semiconductor Corporation	제너 다이오드-단일 DIODE ZENER 3.6V 500MW MINI MELF 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: - 전압-제너 (Nom) (Vz): 3.6V 공차: ±5% 전력-최대: 500mW 임피던스 (최대) (Zzt): 85 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr: 2µA @ 1V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 10mA 작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 공급자 장치 패키지: Mini MELF	재고 있음6,126
BZT55C33 L0G Taiwan Semiconductor Corporation	제너 다이오드-단일 DIODE ZENER 33V 500MW MINI MELF 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: - 전압-제너 (Nom) (Vz): 33V 공차: ±5% 전력-최대: 500mW 임피던스 (최대) (Zzt): 80 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr: 100nA @ 24V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 10mA 작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 공급자 장치 패키지: Mini MELF	재고 있음3,431
BZT55C30 L0G Taiwan Semiconductor Corporation	제너 다이오드-단일 DIODE ZENER 30V 500MW MINI MELF 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: - 전압-제너 (Nom) (Vz): 30V 공차: ±5% 전력-최대: 500mW 임피던스 (최대) (Zzt): 80 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr: 100nA @ 22V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 10mA 작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 공급자 장치 패키지: Mini MELF	재고 있음6,294
BZT55C2V7 L0G Taiwan Semiconductor Corporation	제너 다이오드-단일 DIODE ZENER 2.7V 500MW MINI MELF 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: - 전압-제너 (Nom) (Vz): 2.7V 공차: ±5% 전력-최대: 500mW 임피던스 (최대) (Zzt): 85 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 1V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 10mA 작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 공급자 장치 패키지: Mini MELF	재고 있음6,085
BZT55C27 L0G Taiwan Semiconductor Corporation	제너 다이오드-단일 DIODE ZENER 27V 500MW MINI MELF 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: - 전압-제너 (Nom) (Vz): 27V 공차: ±5% 전력-최대: 500mW 임피던스 (최대) (Zzt): 80 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr: 100nA @ 20V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 10mA 작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 공급자 장치 패키지: Mini MELF	재고 있음1,398
BZT55B33 L0G Taiwan Semiconductor Corporation	제너 다이오드-단일 DIODE ZENER 33V 500MW MINI MELF 제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation 시리즈: - 전압-제너 (Nom) (Vz): 33V 공차: ±2% 전력-최대: 500mW 임피던스 (최대) (Zzt): 80 Ohms 전류-역방향 누설 @ Vr: 100nA @ 24V 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 10mA 작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 공급자 장치 패키지: Mini MELF	재고 있음11,719
DDZ9686AT-7 Diodes Incorporated	제너 다이오드-단일 DIODE ZENER SOD123 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 전압-제너 (Nom) (Vz): - 공차: - 전력-최대: - 임피던스 (최대) (Zzt): - 전류-역방향 누설 @ Vr: - 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOD-123 공급자 장치 패키지: SOD-123	재고 있음13,488

2N4393

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 40V 1.8W TO-18

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 20V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 500mV @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14pF @ 20V
저항-RDS (켜짐): 100 Ohms
전력-최대: 1.8W
작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-18

재고 있음2,070

2N4392

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 40V 1.8W TO-18

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 40V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 20V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 1nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14pF @ 20V
저항-RDS (켜짐): 60 Ohms
전력-최대: 1.8W
작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
공급자 장치 패키지: TO-18

재고 있음7,764

2SK880-Y(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 50V 0.1W USM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 50V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2mA @ 10V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1.5V @ 100nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13pF @ 10V
저항-RDS (켜짐): -
전력-최대: 100mW
작동 온도: 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323
공급자 장치 패키지: USM

재고 있음5,933

MMBFJ176

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET P-CH 30V 0.225W SOT23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 30V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 1V @ 10nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
저항-RDS (켜짐): 250 Ohms
전력-최대: 225mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음50,257

MMBFJ175LT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET P-CH 30V 0.225W SOT23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 30V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 7mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 3V @ 10nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11pF @ 10V (VGS)
저항-RDS (켜짐): 125 Ohms
전력-최대: 225mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)

재고 있음222,756

MMBFJ177LT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET P-CH 30V 0.225W SOT23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 30V
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 800mV @ 10nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11pF @ 10V (VGS)
저항-RDS (켜짐): 300 Ohms
전력-최대: 225mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)

재고 있음45,073

MMBF4392LT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 30V 0.225W SOT23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 30V
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 2V @ 10nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14pF @ 15V
저항-RDS (켜짐): 60 Ohms
전력-최대: 225mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)

재고 있음510,450

MMBF4393LT1G

ON Semiconductor

트랜지스터-JFET

JFET N-CH 30V 0.225W SOT23

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
전압-항복 (V (BR) GSS): 30V
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-드레인 (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V
전류 드레인 (Id)-최대: -
전압-차단 (VGS 꺼짐) @ Id: 500mV @ 10nA
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14pF @ 15V
저항-RDS (켜짐): 100 Ohms
전력-최대: 225mW
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3 (TO-236)

재고 있음1,194,667

BZX284-B10,115

NXP

제너 다이오드-단일

DIODE ZENER 10V 400MW SOD2

제조업체: NXP USA Inc.
시리즈: -
전압-제너 (Nom) (Vz): 10V
공차: ±2%
전력-최대: 400mW
임피던스 (최대) (Zzt): 10 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr: 200nA @ 7V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 100mA
작동 온도: -65°C ~ 150°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOD-110
공급자 장치 패키지: SOD110

재고 있음82,017

BZT52B3V3JS-TP

Micro Commercial Co

제너 다이오드-단일

DIODE ZENER SOD-323

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
전압-제너 (Nom) (Vz): 3.3V
공차: ±2%
전력-최대: 200mW
임피던스 (최대) (Zzt): 89 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr: 4.5µA @ 1V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 900mV @ 10mA
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SC-76, SOD-323
공급자 장치 패키지: SOD-323

재고 있음1,246

1SMB5917B-13

Diodes Incorporated

제너 다이오드-단일

DIODE ZENER SMB

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
전압-제너 (Nom) (Vz): 4.7V
공차: ±5%
전력-최대: 550mW
임피던스 (최대) (Zzt): 5 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 1.5V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.5V @ 200mA
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: DO-214AA, SMB
공급자 장치 패키지: SMB (DO-214AA)

재고 있음4,668

NZ9F9V1ST5G

ON Semiconductor

제너 다이오드-단일

DIODE ZENER 9.04V 200MW SOD923

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
전압-제너 (Nom) (Vz): 9.04V
공차: ±2%
전력-최대: 200mW
임피던스 (최대) (Zzt): 30 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 6V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 900mV @ 10mA
작동 온도: -65°C ~ 150°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOD-923
공급자 장치 패키지: SOD-923

재고 있음1,355

NZ9F7V5ST5G

ON Semiconductor

제너 다이오드-단일

DIODE ZENER 7.44V 200MW SOD923

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
전압-제너 (Nom) (Vz): 7.44V
공차: ±2%
전력-최대: 200mW
임피던스 (최대) (Zzt): 30 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 4V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 900mV @ 10mA
작동 온도: -65°C ~ 150°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOD-923
공급자 장치 패키지: SOD-923

재고 있음41,119

NZ9F3V0ST5G

ON Semiconductor

제너 다이오드-단일

DIODE ZENER 3.1V 200MW SOD923

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
전압-제너 (Nom) (Vz): 3.1V
공차: ±5%
전력-최대: 200mW
임피던스 (최대) (Zzt): 100 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 1V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 900mV @ 10mA
작동 온도: -65°C ~ 150°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOD-923
공급자 장치 패키지: SOD-923

재고 있음353,601

NZ9F2V7T5G

ON Semiconductor

제너 다이오드-단일

DIODE ZENER 2.7V 200MW SOD923

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
전압-제너 (Nom) (Vz): 2.7V
공차: ±5%
전력-최대: 200mW
임피던스 (최대) (Zzt): 100 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr: 20µA @ 1V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 900mV @ 10mA
작동 온도: -65°C ~ 150°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOD-923
공급자 장치 패키지: SOD-923

재고 있음20,794

NZ9F2V7ST5G

ON Semiconductor

제너 다이오드-단일

DIODE ZENER 2.79V 200MW SOD923

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
전압-제너 (Nom) (Vz): 2.79V
공차: ±4%
전력-최대: 200mW
임피던스 (최대) (Zzt): 100 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr: 20µA @ 1V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 900mV @ 10mA
작동 온도: -65°C ~ 150°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOD-923
공급자 장치 패키지: SOD-923

재고 있음9,646

MMSZ5256CT1G

ON Semiconductor

제너 다이오드-단일

DIODE ZENER 30V 500MW SOD123

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
전압-제너 (Nom) (Vz): 30V
공차: ±2%
전력-최대: 500mW
임피던스 (최대) (Zzt): 49 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr: 100nA @ 23V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 900mV @ 10mA
작동 온도: -55°C ~ 150°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOD-123
공급자 장치 패키지: SOD-123

재고 있음1,090

BZG05C3V9-E3-TR

Vishay Semiconductor Diodes Division

제너 다이오드-단일

DIODE ZENER 3.9V 1.25W DO214AC

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
전압-제너 (Nom) (Vz): 3.9V
공차: ±5%
전력-최대: 1.25W
임피던스 (최대) (Zzt): 15 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 1V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 200mA
작동 온도: 150°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: DO-214AC, SMA
공급자 장치 패키지: DO-214AC

재고 있음14,615

BZG03C150TR

Vishay Semiconductor Diodes Division

제너 다이오드-단일

DIODE ZENER 1.25W DO214AC

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: Automotive, AEC-Q101
전압-제너 (Nom) (Vz): 150V
공차: -
전력-최대: 1.25W
임피던스 (최대) (Zzt): 300 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 110V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 500mA
작동 온도: -65°C ~ 150°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: DO-214AC, SMA
공급자 장치 패키지: DO-214AC

재고 있음19,780

BZG03C150TR3

Vishay Semiconductor Diodes Division

제너 다이오드-단일

DIODE ZENER 1.25W DO214AC

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: Automotive, AEC-Q101
전압-제너 (Nom) (Vz): 150V
공차: -
전력-최대: 1.25W
임피던스 (최대) (Zzt): 300 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 110V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 500mA
작동 온도: -65°C ~ 150°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: DO-214AC, SMA
공급자 장치 패키지: DO-214AC

재고 있음57,887

BZG03C75TR3

Vishay Semiconductor Diodes Division

제너 다이오드-단일

DIODE ZENER 1.25W DO214AC

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: Automotive, AEC-Q101
전압-제너 (Nom) (Vz): 75V
공차: -
전력-최대: 1.25W
임피던스 (최대) (Zzt): 100 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 56V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 500mA
작동 온도: -65°C ~ 150°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: DO-214AC, SMA
공급자 장치 패키지: DO-214AC

재고 있음52,128

BZT55C8V2 L0G

Taiwan Semiconductor Corporation

제너 다이오드-단일

DIODE ZENER 8.2V 500MW MINI MELF

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: -
전압-제너 (Nom) (Vz): 8.2V
공차: ±5%
전력-최대: 500mW
임피던스 (최대) (Zzt): 7 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr: 100nA @ 6.2V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 10mA
작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
공급자 장치 패키지: Mini MELF

재고 있음218

BZT55C3V9 L0G

Taiwan Semiconductor Corporation

제너 다이오드-단일

DIODE ZENER 3.9V 500MW MINI MELF

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: -
전압-제너 (Nom) (Vz): 3.9V
공차: ±5%
전력-최대: 500mW
임피던스 (최대) (Zzt): 85 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr: 2µA @ 1V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 10mA
작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
공급자 장치 패키지: Mini MELF

재고 있음76,472

BZT55C3V6 L0G

Taiwan Semiconductor Corporation

제너 다이오드-단일

DIODE ZENER 3.6V 500MW MINI MELF

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: -
전압-제너 (Nom) (Vz): 3.6V
공차: ±5%
전력-최대: 500mW
임피던스 (최대) (Zzt): 85 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr: 2µA @ 1V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 10mA
작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
공급자 장치 패키지: Mini MELF

재고 있음6,126

BZT55C33 L0G

Taiwan Semiconductor Corporation

제너 다이오드-단일

DIODE ZENER 33V 500MW MINI MELF

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: -
전압-제너 (Nom) (Vz): 33V
공차: ±5%
전력-최대: 500mW
임피던스 (최대) (Zzt): 80 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr: 100nA @ 24V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 10mA
작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
공급자 장치 패키지: Mini MELF

재고 있음3,431

BZT55C30 L0G

Taiwan Semiconductor Corporation

제너 다이오드-단일

DIODE ZENER 30V 500MW MINI MELF

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: -
전압-제너 (Nom) (Vz): 30V
공차: ±5%
전력-최대: 500mW
임피던스 (최대) (Zzt): 80 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr: 100nA @ 22V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 10mA
작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
공급자 장치 패키지: Mini MELF

재고 있음6,294

BZT55C2V7 L0G

Taiwan Semiconductor Corporation

제너 다이오드-단일

DIODE ZENER 2.7V 500MW MINI MELF

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: -
전압-제너 (Nom) (Vz): 2.7V
공차: ±5%
전력-최대: 500mW
임피던스 (최대) (Zzt): 85 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr: 10µA @ 1V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 10mA
작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
공급자 장치 패키지: Mini MELF

재고 있음6,085

BZT55C27 L0G

Taiwan Semiconductor Corporation

제너 다이오드-단일

DIODE ZENER 27V 500MW MINI MELF

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: -
전압-제너 (Nom) (Vz): 27V
공차: ±5%
전력-최대: 500mW
임피던스 (최대) (Zzt): 80 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr: 100nA @ 20V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 10mA
작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
공급자 장치 패키지: Mini MELF

재고 있음1,398

BZT55B33 L0G

Taiwan Semiconductor Corporation

제너 다이오드-단일

DIODE ZENER 33V 500MW MINI MELF

제조업체: Taiwan Semiconductor Corporation
시리즈: -
전압-제너 (Nom) (Vz): 33V
공차: ±2%
전력-최대: 500mW
임피던스 (최대) (Zzt): 80 Ohms
전류-역방향 누설 @ Vr: 100nA @ 24V
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 10mA
작동 온도: -65°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80
공급자 장치 패키지: Mini MELF

재고 있음11,719

DDZ9686AT-7

Diodes Incorporated

제너 다이오드-단일

DIODE ZENER SOD123

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
전압-제너 (Nom) (Vz): -
공차: -
전력-최대: -
임피던스 (최대) (Zzt): -
전류-역방향 누설 @ Vr: -
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SOD-123
공급자 장치 패키지: SOD-123

재고 있음13,488

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