트랜지스터

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Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH

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MOSFET N-CH

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: *
• FET 유형: -
• 기술: -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
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트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: *
• FET 유형: -
• 기술: -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
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• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-92MOD
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2SK2962(TE6,F,M)

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트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: *
• FET 유형: -
• 기술: -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: -
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-92MOD
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트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 1A PW-MINI

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 500mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.3nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 140pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PW-MINI
• 패키지 / 케이스: TO-243AA

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2SK2967(F)

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트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 250V 30A TO-3PN

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 15A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 132nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5400pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 150W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-3P(N)
• 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

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2SK2989,F(J

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: *
• FET 유형: -
• 기술: -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: -
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-92MOD
• 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body

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2SK2989(T6CANO,A,F

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: *
• FET 유형: -
• 기술: -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: -
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-92MOD
• 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body

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Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: *
• FET 유형: -
• 기술: -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
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• Vgs (최대): -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: -
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-92MOD
• 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body

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2SK2989,T6F(J

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: *
• FET 유형: -
• 기술: -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: -
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-92MOD
• 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body

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2SK2989(TPE6,F,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: *
• FET 유형: -
• 기술: -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: -
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-92MOD
• 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Long Body

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2SK2993(TE24L,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 250V 20A TO220SM

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 100nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4000pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 100W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-220SM
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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2SK2995(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 250V 30A TO-3PN

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 15A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 132nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5400pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 90W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-3P(N)IS
• 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

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2SK3003

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V TO-220F

• 제조업체: Sanken
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 9A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 850pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 35W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220F
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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2SK3004

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 250V TO-220F

• 제조업체: Sanken
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 9A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 850pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 35W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220F
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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2SK3018T106

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V .1A SOT-323

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13pF @ 5V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 200mW (Ta)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: UMT3
• 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

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2SK3018-TP

Micro Commercial Co

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

N-CHANNEL MOSFET, SOT-323 PACKAG

• 제조업체: Micro Commercial Co
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13pF @ 5V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 200mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-323
• 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

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2SK3019TL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V .1A SOT416

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13pF @ 5V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 150mW (Ta)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: EMT3
• 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416

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2SK3019-TP

Micro Commercial Co

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

N-CHANNEL MOSFET, SOT-523 PACKAG

• 제조업체: Micro Commercial Co
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13pF @ 5V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 150mW (Ta)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SOT-523
• 패키지 / 케이스: SOT-523

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2SK302200L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 5A UG-2

• 제조업체: Panasonic Electronic Components
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 220pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 1W (Ta), 10W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: U-G2
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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2SK302500L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 30A UG-2

• 제조업체: Panasonic Electronic Components
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 1W (Ta), 25W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: U-DL
• 패키지 / 케이스: TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab)

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2SK303000L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 8A UG-1

• 제조업체: Panasonic Electronic Components
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 4A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 290pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 1W (Ta), 15W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: U-G1
• 패키지 / 케이스: U-G1

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2SK303100L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 15A UG-1

• 제조업체: Panasonic Electronic Components
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 8A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 300pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 1W (Ta), 20W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: U-G1
• 패키지 / 케이스: U-G1

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2SK3043

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 450V 5A TO-220D

• 제조업체: Panasonic Electronic Components
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 450V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 700pF @ 20V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2W (Ta), 35W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220D-A1
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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2SK3044

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 450V 7A TO-220D

• 제조업체: Panasonic Electronic Components
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 450V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1300pF @ 20V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2W (Ta), 40W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220D-A1
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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2SK3045

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 2.5A TO-220D

• 제조업체: Panasonic Electronic Components
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 330pF @ 20V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 2W (Ta), 30W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220D-A1
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

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