트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
2SK060100L Panasonic Electronic Components	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 80V 500MA MINI-PWR 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): 20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 45pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: MiniP3-F1 패키지 / 케이스: TO-243AA	재고 있음3,798
2SK0601G0L Panasonic Electronic Components	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 80V 0.5A MINIP-3 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): 20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 45pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: MiniP3-F2 패키지 / 케이스: TO-243AA	재고 있음3,436
2SK0615 Panasonic Electronic Components	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 80V 500MA 3-SIP 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): 20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 45pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: M-A1 패키지 / 케이스: 3-SIP	재고 있음7,128
2SK066400L Panasonic Electronic Components	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 50V 100MA SMINI-3 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50Ohm @ 20mA, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 15pF @ 5V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SMini3-G1 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323	재고 있음7,992
2SK0664G0L Panasonic Electronic Components	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 50V 100MA SMINI-3 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50Ohm @ 20mA, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 15pF @ 5V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SMini3-F2 패키지 / 케이스: SC-85	재고 있음5,634
2SK066500L Panasonic Electronic Components	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 100MA SMINI-3 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50Ohm @ 20mA, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SMini3-G1 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323	재고 있음3,544
2SK0665G0L Panasonic Electronic Components	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V .1A SMINI-3 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50Ohm @ 20mA, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SMini3-F2 패키지 / 케이스: SC-85	재고 있음8,604
2SK1058-E Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 160V 7A TO-3P 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 160V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±15V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 600pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 100W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-3P 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3	재고 있음2,340
2SK1119(F) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220AB 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 700pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 100W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220AB 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음6,462
2SK122800L Panasonic Electronic Components	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 50V 50MA MINI 3-PIN 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50Ohm @ 10mA, 2.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4.5pF @ 5V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Mini3-G1 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음8,910
2SK1317-E Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO-3P 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 15V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 2A, 15V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 990pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 100W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-3P 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3	재고 있음4,824
2SK1339-E Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 900V 3A TO-3P 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 425pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 80W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-3P 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3	재고 있음6,822
2SK1340-E Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 900V 5A TO-3P 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 740pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 100W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-3P 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3	재고 있음2,610
2SK1341-E Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 980pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 100W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-3P 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3	재고 있음4,086
2SK1342-E Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1730pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 100W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-3P 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3	재고 있음3,546
2SK137400L Panasonic Electronic Components	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 50V 50MA SMINI-3 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50Ohm @ 10mA, 2.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4.5pF @ 5V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SMini3-G1 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323	재고 있음8,838
2SK1374G0L Panasonic Electronic Components	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 50V .05A SMINI-3 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50Ohm @ 10mA, 2.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4.5pF @ 5V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SMini3-F2 패키지 / 케이스: SC-85	재고 있음7,038
2SK1518-E Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 20A TO3P 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3050pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 120W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-3P 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3	재고 있음4,374
2SK1775-E Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 900V 8A TO-3P 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1730pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 60W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-3P 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3	재고 있음2,070
2SK1828TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 50MA S-MINI 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 10mA, 2.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5.5pF @ 3V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 200mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-59 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음213,594
2SK1829TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 0.05A USM 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 10mA, 2.5V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5.5pF @ 3V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 100mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-70 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323	재고 있음5,292
2SK1835-E Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1500V 4A TO-3P 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 15V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 2A, 15V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1700pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 125W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-3P 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3	재고 있음12,636
2SK1859-E Renesas Electronics America	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P 제조업체: Renesas Electronics America 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 980pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 60W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-3P 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3	재고 있음3,798
2SK2009TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 0.2A SMINI 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50MA, 2.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 70pF @ 3V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 200mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-59-3 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음6,426
2SK2034TE85LF Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 100MA USM 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 2.5V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8.5pF @ 3V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 100mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SC-70 패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323	재고 있음6,372
2SK2035(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 0.1A SSM 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 2.5V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8.5pF @ 3V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 100mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SSM 패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416	재고 있음2,502
2SK2094TL Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 2A DPAK 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 20W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: CPT3 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음2,430
2SK2095N Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 10A TO-220FN 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1600pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 30W (Tc) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220FN 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음6,894
2SK2103T100 Rohm Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 2A SOT-89 제조업체: Rohm Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 230pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 500mW (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: MPT3 패키지 / 케이스: TO-243AA	재고 있음7,524
2SK221100L Panasonic Electronic Components	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 1A MINI-PWR 제조업체: Panasonic Electronic Components 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 87pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: MiniP3-F1 패키지 / 케이스: TO-243AA	재고 있음7,902

2SK060100L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 500MA MINI-PWR

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): 20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 45pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: MiniP3-F1
패키지 / 케이스: TO-243AA

재고 있음3,798

2SK0601G0L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 0.5A MINIP-3

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): 20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 45pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: MiniP3-F2
패키지 / 케이스: TO-243AA

재고 있음3,436

2SK0615

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 500MA 3-SIP

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): 20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 45pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: M-A1
패키지 / 케이스: 3-SIP

재고 있음7,128

2SK066400L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 50V 100MA SMINI-3

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50Ohm @ 20mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): 8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 15pF @ 5V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SMini3-G1
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

재고 있음7,992

2SK0664G0L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 50V 100MA SMINI-3

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50Ohm @ 20mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): 8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 15pF @ 5V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SMini3-F2
패키지 / 케이스: SC-85

재고 있음5,634

2SK066500L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 100MA SMINI-3

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50Ohm @ 20mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): 8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SMini3-G1
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

재고 있음3,544

2SK0665G0L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V .1A SMINI-3

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50Ohm @ 20mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): 8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SMini3-F2
패키지 / 케이스: SC-85

재고 있음8,604

2SK1058-E

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 160V 7A TO-3P

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 160V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 600pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 100W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-3P
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

재고 있음2,340

2SK1119(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220AB

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1000V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 700pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 100W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220AB
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음6,462

2SK122800L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 50V 50MA MINI 3-PIN

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50Ohm @ 10mA, 2.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4.5pF @ 5V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Mini3-G1
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음8,910

2SK1317-E

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO-3P

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 15V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 2A, 15V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 990pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 100W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-3P
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

재고 있음4,824

2SK1339-E

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 900V 3A TO-3P

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 425pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 80W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-3P
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

재고 있음6,822

2SK1340-E

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 900V 5A TO-3P

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 740pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 100W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-3P
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

재고 있음2,610

2SK1341-E

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 980pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 100W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-3P
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

재고 있음4,086

2SK1342-E

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1730pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 100W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-3P
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

재고 있음3,546

2SK137400L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 50V 50MA SMINI-3

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50Ohm @ 10mA, 2.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4.5pF @ 5V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SMini3-G1
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

재고 있음8,838

2SK1374G0L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 50V .05A SMINI-3

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50Ohm @ 10mA, 2.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4.5pF @ 5V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SMini3-F2
패키지 / 케이스: SC-85

재고 있음7,038

2SK1518-E

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 20A TO3P

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3050pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 120W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-3P
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

재고 있음4,374

2SK1775-E

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 900V 8A TO-3P

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1730pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 60W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-3P
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

재고 있음2,070

2SK1828TE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 50MA S-MINI

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 10mA, 2.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5.5pF @ 3V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 200mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-59
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음213,594

2SK1829TE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 0.05A USM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 10mA, 2.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5.5pF @ 3V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 100mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-70
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

재고 있음5,292

2SK1835-E

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1500V 4A TO-3P

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 15V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 2A, 15V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1700pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 125W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-3P
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

재고 있음12,636

2SK1859-E

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 900V 6A TO-3P

제조업체: Renesas Electronics America
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 980pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 60W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-3P
패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

재고 있음3,798

2SK2009TE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 0.2A SMINI

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50MA, 2.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 70pF @ 3V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 200mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-59-3
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음6,426

2SK2034TE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 100MA USM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 2.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8.5pF @ 3V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 100mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SC-70
패키지 / 케이스: SC-70, SOT-323

재고 있음6,372

2SK2035(T5L,F,T)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 0.1A SSM

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 10mA, 2.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8.5pF @ 3V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 100mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SSM
패키지 / 케이스: SC-75, SOT-416

재고 있음2,502

2SK2094TL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 2A DPAK

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 20W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: CPT3
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음2,430

2SK2095N

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 10A TO-220FN

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1600pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 30W (Tc)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220FN
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음6,894

2SK2103T100

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 2A SOT-89

제조업체: Rohm Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 230pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: MPT3
패키지 / 케이스: TO-243AA

재고 있음7,524

2SK221100L

Panasonic Electronic Components

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 1A MINI-PWR

제조업체: Panasonic Electronic Components
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 87pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: MiniP3-F1
패키지 / 케이스: TO-243AA

재고 있음7,902

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