트랜지스터

2SK2221-E

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 8A TO-3P

• 제조업체: Renesas Electronics America
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 600pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 100W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-3P
• 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2SK2225-E

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1500V 2A TO-3P

• 제조업체: Renesas Electronics America
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 1500V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 15V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 1A, 15V
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 984.7pF @ 30V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 50W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-3PFM
• 패키지 / 케이스: TO-3PFM, SC-93-3

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2SK2231(TE16R1,NQ)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 370pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 20W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PW-MOLD
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2SK2266(TE24R,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 45A TO220SM

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 45A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 25A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1800pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 65W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-220SM
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2SK2299N

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 450V 7A TO-220FN

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 450V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 4A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 870pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 30W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220FN
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2SK2315TYTR-E

Renesas Electronics America

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 2A 4-UPAK

• 제조업체: Renesas Electronics America
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 3V, 4V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 1A, 4V
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 173pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 1W (Ta)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: UPAK
• 패키지 / 케이스: TO-243AA

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2SK2376(Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 45A TO220FL

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 45A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 25A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3350pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 100W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220FL
• 패키지 / 케이스: TO-220-3, Short Tab

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2SK2420

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V TO-220F

• 제조업체: Sanken
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 15A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2200pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 40W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220F
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2SK2463T100

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 2A MPT3

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 1A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 500mW (Ta)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: MPT3
• 패키지 / 케이스: TO-243AA

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2SK2503TL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 5A DPAK

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 520pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 20W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: CPT3
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2SK2504TL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 5A DPAK

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 2.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 520pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 20W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: CPT3
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2SK2507(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 50V 25A TO220NIS

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 12A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 900pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 30W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220NIS
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2SK2544(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 6A TO-220AB

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 3A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1300pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 80W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220AB
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2SK2701A

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 450V TO-220F

• 제조업체: Sanken
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 450V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 3.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 720pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 35W (Tc)
• 작동 온도: -
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220F
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2SK2713

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 450V 5A TO-220FN

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 450V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 600pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 30W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220FN
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2SK2715TL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 2A DPAK

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 280pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 20W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: CPT3
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2SK2719(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 900V 3A TO-3PN

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 750pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 125W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-3P(N)
• 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2SK2731T146

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 200MA SOT-346

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200mA (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 100mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 25pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 200mW (Ta)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: SMT3
• 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2SK2740

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 7A TO-220FN

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1050pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 30W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220FN
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2SK2744(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 50V 45A TO-3PN

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 50V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 45A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 25A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 68nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2300pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 125W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-3P(N)
• 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2SK2803

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 450V TO-220F

• 제조업체: Sanken
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 450V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 1.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 340pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 30W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220F
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2SK2845(TE16L1,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 900V 1A DP

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 500mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 40W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: DP
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2SK2847(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 900V 8A TO-3PN

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 4A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 58nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2040pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 85W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-3P(N)IS
• 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2SK2848

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V TO-220F

• 제조업체: Sanken
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 1A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 290pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 30W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220F
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2SK2866(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 10A TO-220AB

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2040pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 125W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220AB
• 패키지 / 케이스: TO-220-3

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2SK2883(TE24L,Q)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 3A TO220SM

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 750pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 75W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-220SM
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2SK2887TL

Rohm Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 3A DPAK

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.5nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 230pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 20W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: CPT3
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2SK2916(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 14A TO-3PN

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 7A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 58nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2600pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 80W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-3P(N)IS
• 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2SK2917(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 18A TO-3PN

• 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 10A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 80nC @ 10V
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3720pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 90W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-3P(N)IS
• 패키지 / 케이스: TO-3P-3, SC-65-3

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

2SK2943

Sanken

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 900V TO-220F

• 제조업체: Sanken
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 1.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): ±30V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 600pF @ 10V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 30W (Tc)
• 작동 온도: 150°C (TJ)
• 장착 유형: Through Hole
• 공급자 장치 패키지: TO-220F
• 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

장바구니에 추가장바구니에 업데이트