트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
FDMS8350LET40 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 PT8 40V/20V NCH POWERTRENCH MOSF 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 49A (Ta), 300A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 47A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 219nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 16590pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.33W (Ta), 125W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Power56 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음7,362
FDMS8460 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 25A POWER56 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Ta), 49A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7205pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 104W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음90,804
FDMS8558S ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 33A 8-PQFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench®, SyncFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 33A (Ta), 90A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 33A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 81nC @ 10V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5118pF @ 13V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 78W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음3,546
FDMS8558SDC ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 33A 8-PQFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench®, SyncFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 38A (Ta), 90A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 33A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 81nC @ 10V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5118pF @ 13V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 89W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Dual Cool™56 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음28,356
FDMS8560S ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 30A 8-PQFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench®, SyncFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Ta), 70A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 68nC @ 10V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4350pF @ 13V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 65W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음2,376
FDMS8570S ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 24A 8-PQFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench®, SyncFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Ta), 60A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 24A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 425nC @ 10V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2825pF @ 13V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 48W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음2,016
FDMS8570SDC ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 28A PQFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench®, SyncFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A (Ta), 60A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 28A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 10V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2825pF @ 13V FET 기능: Schottky Diode (Body) 전력 손실 (최대): 3.3W (Ta), 59W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Dual Cool™56 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음6,912
FDMS86101 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 12.4A POWER56 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12.4A (Ta), 60A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 55nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3000pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 104W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음2,916
FDMS86101A ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 13A POWER56 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Ta), 60A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 58nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4120pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 104W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음28,386
FDMS86101DC ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-PQFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Dual Cool™, PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14.5A (Ta), 60A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 14.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 44nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3135pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.2W (Ta), 125W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Dual Cool™56 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음141,540
FDMS86101E ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 FET 100V 8.0 MOHM PQFN56 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12.4A (Ta), 60A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 55nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3000pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 104W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음4,968
FDMS86102LZ ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 7A 8-PQFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Ta), 22A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1305pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 69W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음7,542
FDMS86103L ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 12A POWER56 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta), 49A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3710pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 104W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음5,202
FDMS86104 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 7A POWER56 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Ta), 16A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 923pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 73W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음2,520
FDMS86105 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V POWER56 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta), 26A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 645pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 48W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음43,842
FDMS86150 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N CH 100V 16A POWER56 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta), 60A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.85mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 62nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4065pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.7W (Ta), 156W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Power56 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음7,884
FDMS86150ET100 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 16A POWER56 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta), 128A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.85mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 62nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4065pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.3W (Ta), 187W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Power56 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음6,354
FDMS86152 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 14A POWER56 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta), 45A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3370pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.7W (Ta), 125W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Power56 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음2,916
FDMS86163P ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 100V 7.9A POWER56 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.9A (Ta), 50A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 59nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4085pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 104W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음5,724
FDMS86180 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 151A 8PQFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 151A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 67A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 370µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 54nC @ 6V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6215pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 138W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Power56 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음3,366
FDMS86181 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 44A POWER56 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 44A (Ta), 124A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 44A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 59nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4125pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 125W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음4,806
FDMS86182 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 78A 8PQFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 78A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 28A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 150µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 6V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2635pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 83W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음8,640
FDMS86183 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 51A 8PQFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 51A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 90µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 6V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1515pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 63W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음7,200
FDMS86200 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 150V POWER56 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.6A (Ta), 35A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 46nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2715pF @ 75V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 104W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음7,668
FDMS86200DC ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 150V 9.3A POWER 56 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Dual Cool™, PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.3A (Ta), 28A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2955pF @ 75V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.2W (Ta), 125W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Dual Cool™56 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음3,834
FDMS86200E ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 FET 150V 18.0 MOHM PQFN56 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음3,366
FDMS86201 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 120V POWER56 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 120V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.6A (Ta), 35A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 11.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 46nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2735pF @ 60V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 104W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음42,048
FDMS86202 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 120V 8MLP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 120V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 13.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 64nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4250pF @ 60V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.7W (Ta), 156W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Power56 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음56,058
FDMS86202ET120 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 120V POWER56 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 120V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13.5A (Ta), 102A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 13.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 64nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4585pF @ 60V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.3W (Ta), 187W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Power56 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음2,826
FDMS8622 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-PQFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.8A (Ta), 16.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 31W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음24,414

FDMS8350LET40

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

PT8 40V/20V NCH POWERTRENCH MOSF

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 49A (Ta), 300A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 47A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 219nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 16590pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.33W (Ta), 125W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Power56
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음7,362

FDMS8460

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 25A POWER56

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25A (Ta), 49A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7205pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음90,804

FDMS8558S

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 33A 8-PQFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®, SyncFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 33A (Ta), 90A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 33A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 81nC @ 10V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5118pF @ 13V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음3,546

FDMS8558SDC

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 33A 8-PQFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®, SyncFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 38A (Ta), 90A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 33A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 81nC @ 10V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5118pF @ 13V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 89W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Dual Cool™56
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음28,356

FDMS8560S

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 30A 8-PQFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®, SyncFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Ta), 70A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 68nC @ 10V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4350pF @ 13V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 65W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음2,376

FDMS8570S

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 24A 8-PQFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®, SyncFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Ta), 60A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 24A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 425nC @ 10V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2825pF @ 13V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음2,016

FDMS8570SDC

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 28A PQFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®, SyncFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A (Ta), 60A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 28A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2825pF @ 13V
FET 기능: Schottky Diode (Body)
전력 손실 (최대): 3.3W (Ta), 59W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Dual Cool™56
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음6,912

FDMS86101

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 12.4A POWER56

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12.4A (Ta), 60A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 55nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3000pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음2,916

FDMS86101A

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 13A POWER56

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Ta), 60A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 58nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4120pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음28,386

FDMS86101DC

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-PQFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Dual Cool™, PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14.5A (Ta), 60A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 44nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3135pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.2W (Ta), 125W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Dual Cool™56
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음141,540

FDMS86101E

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

FET 100V 8.0 MOHM PQFN56

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12.4A (Ta), 60A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 55nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3000pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음4,968

FDMS86102LZ

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 7A 8-PQFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Ta), 22A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1305pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 69W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음7,542

FDMS86103L

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 12A POWER56

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12A (Ta), 49A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3710pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음5,202

FDMS86104

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 7A POWER56

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Ta), 16A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 923pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 73W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음2,520

FDMS86105

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V POWER56

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta), 26A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 645pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 48W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음43,842

FDMS86150

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N CH 100V 16A POWER56

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta), 60A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.85mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 62nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4065pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.7W (Ta), 156W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Power56
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음7,884

FDMS86150ET100

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 16A POWER56

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Ta), 128A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.85mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 62nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4065pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.3W (Ta), 187W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Power56
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음6,354

FDMS86152

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 14A POWER56

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 14A (Ta), 45A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3370pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.7W (Ta), 125W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Power56
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음2,916

FDMS86163P

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 100V 7.9A POWER56

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.9A (Ta), 50A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 59nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4085pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음5,724

FDMS86180

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 151A 8PQFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 151A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 67A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 370µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 54nC @ 6V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6215pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 138W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Power56
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음3,366

FDMS86181

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 44A POWER56

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 44A (Ta), 124A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 44A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 59nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4125pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 125W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음4,806

FDMS86182

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 78A 8PQFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 78A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 28A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 150µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 6V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2635pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 83W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음8,640

FDMS86183

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 51A 8PQFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 51A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.8mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 90µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 6V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1515pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 63W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음7,200

FDMS86200

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 150V POWER56

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.6A (Ta), 35A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9.6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 46nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2715pF @ 75V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음7,668

FDMS86200DC

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 150V 9.3A POWER 56

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Dual Cool™, PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.3A (Ta), 28A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2955pF @ 75V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.2W (Ta), 125W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Dual Cool™56
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음3,834

FDMS86200E

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

FET 150V 18.0 MOHM PQFN56

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음3,366

FDMS86201

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 120V POWER56

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 120V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11.6A (Ta), 35A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 11.6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 46nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2735pF @ 60V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음42,048

FDMS86202

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 120V 8MLP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 120V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 64nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4250pF @ 60V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.7W (Ta), 156W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Power56
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음56,058

FDMS86202ET120

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 120V POWER56

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 120V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13.5A (Ta), 102A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 64nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4585pF @ 60V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.3W (Ta), 187W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Power56
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음2,826

FDMS8622

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 4.8A 8-PQFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.8A (Ta), 16.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 400pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 31W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음24,414

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