트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
FDMS2734 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 250V 2.8A POWER56 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: UltraFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.8A (Ta), 14A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 2.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2365pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 78W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-MLP (5x6), Power56 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음113,568
FDMS2D4N03S ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 163A 8PQFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 163A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 28A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 88nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6540pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 75W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6), Power56 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads	재고 있음7,884
FDMS2D5N08C ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 80V 166A POWER56 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 166A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 68A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 380µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 84nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6240pF @ 40V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 138W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Power56 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음7,470
FDMS3006SDC ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 34A 8-PQFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Dual Cool™, PowerTrench®, SyncFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 34A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 80nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5725pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.3W (Ta), 89W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Dual Cool™56 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음3,472
FDMS3008SDC ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 29A 8-PQFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Dual Cool™, PowerTrench®, SyncFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 29A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 28A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 64nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4520pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.3W (Ta), 78W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Dual Cool™56 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음3,006
FDMS3016DC ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 18A 8-PQFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Dual Cool™, PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Ta), 49A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1385pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3.3W (Ta), 60W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Dual Cool™56 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음2,610
FDMS3500 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 75V 9.2A POWER56 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.2A (Ta), 49A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 11.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 91nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4765pF @ 40V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 96W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Power Clip 56 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음23,118
FDMS3572 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 80V 8.8A POWER56 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: UltraFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.8A (Ta), 22A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 8.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2490pF @ 40V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 78W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-MLP (5x6), Power56 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음271,380
FDMS36101L-F085 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 38A 8-MLP 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 38A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 84nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3945pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 94W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Power56 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음3,852
FDMS3662 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 8.9A POWER56 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.9A (Ta), 49A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.8mOhm @ 8.9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 75nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4620pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 104W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음6,066
FDMS3672 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 7.4A POWER56-8 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: UltraFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.4A (Ta), 22A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 44nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2680pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 78W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-MLP (5x6), Power56 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음25,890
FDMS4435BZ ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 9A POWER56 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta), 18A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 47nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2050pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 39W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음53,022
FDMS4D0N12C ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 PTNG 120V N-FET PQFN56 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 120V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18.5A (Ta), 114A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 67A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 370A 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 82nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6460pF @ 60V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.7W (Ta), 106W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음3,096
FDMS4D4N08C ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 80V 123A 8PQFN 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 123A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 44A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 56nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4090pF @ 40V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 125W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6), Power56 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음8,820
FDMS4D5N08LC ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 FET 80V 116A POWER56 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음8,244
FDMS5352 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 13.6A POWER56 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13.6A (Ta), 49A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 13.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 131nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6940pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 104W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음26,394
FDMS5360L-F085 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 60A POWER56 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 72nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3695pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Power56 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음5,976
FDMS5361L-F085 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 35A POWER56 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 16.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 44nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1980pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 75W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Power56 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음8,802
FDMS5362L-F085 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 17.6A POWER56 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17.6A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 17.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 878pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 41.7W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: Power56 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음3,526
FDMS5672 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 10.6A POWER56 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: UltraFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.6A (Ta), 22A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10.6A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2800pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 78W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-MLP (5x6), Power56 패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN	재고 있음22,830
FDMS6673BZ ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 15.2A POWER56 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15.2A (Ta), 28A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 15.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 130nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5915pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 73W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음52,638
FDMS6681Z ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 21.1A POWER56 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21.1A (Ta), 49A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 22.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 241nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10380pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 73W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음389,214
FDMS7556S ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 35A POWER56 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench®, SyncFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Ta), 49A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 133nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8965pF @ 13V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 96W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음44,346
FDMS7558S ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 32A POWER56 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Ta), 49A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 32A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 119nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7770pF @ 13V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 89W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음27,216
FDMS7560S ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 30A POWER56 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench®, SyncFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Ta), 49A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 93nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5945pF @ 13V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 89W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음3,472
FDMS7570S ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 28A POWER56 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench®, SyncFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A (Ta), 49A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 28A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 69nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4515pF @ 13V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 83W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음24,522
FDMS7572S ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 23A POWER56 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench®, SyncFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Ta), 49A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 23A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2780pF @ 13V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 46W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음44,052
FDMS7578 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 17A POWER56 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Ta), 28A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1625pF @ 13V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 33W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음3,492
FDMS7580 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 15A POWER56 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta), 29A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1190pF @ 13V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 27W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음7,308
FDMS7650 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V POWER56 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: PowerTrench® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 36A (Ta), 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 36A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 209nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14965pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 104W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6) 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음135,006

FDMS2734

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 250V 2.8A POWER56

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: UltraFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.8A (Ta), 14A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 122mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2365pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-MLP (5x6), Power56
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음113,568

FDMS2D4N03S

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 163A 8PQFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 163A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 28A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 88nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6540pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 75W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6), Power56
패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Flat Leads

재고 있음7,884

FDMS2D5N08C

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 166A POWER56

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 166A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 68A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 380µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 84nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6240pF @ 40V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 138W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Power56
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음7,470

FDMS3006SDC

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 34A 8-PQFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Dual Cool™, PowerTrench®, SyncFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 34A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 80nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5725pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.3W (Ta), 89W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Dual Cool™56
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음3,472

FDMS3008SDC

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 29A 8-PQFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Dual Cool™, PowerTrench®, SyncFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 29A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 28A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 64nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4520pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.3W (Ta), 78W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Dual Cool™56
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음3,006

FDMS3016DC

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 18A 8-PQFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Dual Cool™, PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Ta), 49A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1385pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3.3W (Ta), 60W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Dual Cool™56
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음2,610

FDMS3500

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 75V 9.2A POWER56

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9.2A (Ta), 49A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 11.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 91nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4765pF @ 40V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Power Clip 56
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음23,118

FDMS3572

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 8.8A POWER56

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: UltraFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.8A (Ta), 22A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 8.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2490pF @ 40V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-MLP (5x6), Power56
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음271,380

FDMS36101L-F085

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 38A 8-MLP

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 38A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 84nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3945pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 94W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Power56
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음3,852

FDMS3662

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 8.9A POWER56

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.9A (Ta), 49A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14.8mOhm @ 8.9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 75nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4620pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음6,066

FDMS3672

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 7.4A POWER56-8

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: UltraFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.4A (Ta), 22A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 7.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 44nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2680pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-MLP (5x6), Power56
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음25,890

FDMS4435BZ

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 9A POWER56

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Ta), 18A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 47nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2050pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 39W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음53,022

FDMS4D0N12C

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

PTNG 120V N-FET PQFN56

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 120V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18.5A (Ta), 114A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 67A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 370A
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 82nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6460pF @ 60V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.7W (Ta), 106W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음3,096

FDMS4D4N08C

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 123A 8PQFN

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 123A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 44A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 56nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4090pF @ 40V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 125W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6), Power56
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음8,820

FDMS4D5N08LC

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

FET 80V 116A POWER56

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음8,244

FDMS5352

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 13.6A POWER56

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13.6A (Ta), 49A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.7mOhm @ 13.6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 131nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6940pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음26,394

FDMS5360L-F085

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 60A POWER56

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 72nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3695pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Power56
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음5,976

FDMS5361L-F085

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 35A POWER56

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 44nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1980pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 75W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Power56
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음8,802

FDMS5362L-F085

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 17.6A POWER56

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17.6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 17.6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 878pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 41.7W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: Power56
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음3,526

FDMS5672

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 10.6A POWER56

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: UltraFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.6A (Ta), 22A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 10.6A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2800pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 78W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-MLP (5x6), Power56
패키지 / 케이스: 8-PowerWDFN

재고 있음22,830

FDMS6673BZ

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 15.2A POWER56

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15.2A (Ta), 28A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 15.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 130nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5915pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 73W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음52,638

FDMS6681Z

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 21.1A POWER56

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21.1A (Ta), 49A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 22.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 241nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 10380pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 73W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음389,214

FDMS7556S

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 35A POWER56

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®, SyncFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Ta), 49A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 133nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8965pF @ 13V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 96W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음44,346

FDMS7558S

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 32A POWER56

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Ta), 49A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 32A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 119nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7770pF @ 13V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 89W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음27,216

FDMS7560S

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 30A POWER56

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®, SyncFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Ta), 49A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 93nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5945pF @ 13V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 89W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음3,472

FDMS7570S

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 28A POWER56

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®, SyncFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A (Ta), 49A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 28A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 69nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4515pF @ 13V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 83W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음24,522

FDMS7572S

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 23A POWER56

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®, SyncFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Ta), 49A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 23A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2780pF @ 13V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 46W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음44,052

FDMS7578

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 17A POWER56

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Ta), 28A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1625pF @ 13V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 33W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음3,492

FDMS7580

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 15A POWER56

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Ta), 29A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1190pF @ 13V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 27W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음7,308

FDMS7650

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V POWER56

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: PowerTrench®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 36A (Ta), 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 0.99mOhm @ 36A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 209nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14965pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 2.5W (Ta), 104W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 8-PQFN (5x6)
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음135,006

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