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FDMS8560S

FDMS8560S

참조 용

부품 번호 FDMS8560S
PNEDA 부품 번호 FDMS8560S
설명 MOSFET N-CH 25V 30A 8-PQFN
제조업체 ON Semiconductor
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 19 - 7월 24 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FDMS8560S 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FDMS8560S
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
FDMS8560S, FDMS8560S 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 407.52 KB)
PDFFDMS8560S 데이터 시트 표지
FDMS8560S 데이터 시트 페이지 2 FDMS8560S 데이터 시트 페이지 3 FDMS8560S 데이터 시트 페이지 4 FDMS8560S 데이터 시트 페이지 5 FDMS8560S 데이터 시트 페이지 6 FDMS8560S 데이터 시트 페이지 7 FDMS8560S 데이터 시트 페이지 8 FDMS8560S 데이터 시트 페이지 9

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FDMS8560S 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈PowerTrench®, SyncFET™
FET 유형N-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)30A (Ta), 70A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs1.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs68nC @ 10V
Vgs (최대)±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds4350pF @ 13V
FET 기능-
전력 손실 (최대)2.5W (Ta), 65W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
공급자 장치 패키지8-PQFN (5x6)
패키지 / 케이스8-PowerTDFN

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

100A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

3.6mOhm @ 25A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.8V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

125nC @ 10V

Vgs (최대)

±16V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

8020pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

204W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

I2PAK

패키지 / 케이스

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

SI8405DB-T1-E1

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제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

P-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

12V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.6A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

55mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

950mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

21nC @ 4.5V

Vgs (최대)

±8V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1.47W (Ta)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

4-Microfoot

패키지 / 케이스

4-XFBGA, CSPBGA

STD100N3LF3

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

STripFET™ II

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

80A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.5mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

27nC @ 5V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2060pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

110W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

DPAK

패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

TN0620N3-G

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

200V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

250mA (Tj)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

6Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.6V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

150pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

1W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-92-3

패키지 / 케이스

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Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

650V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

47A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

72mOhm @ 24A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

273nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

5682pF @ 100V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

417W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

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