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ISL6613BEIBZ
ISL6613BEIBZ

Renesas Electronics America Inc.

PMIC-게이트 드라이버

IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC

  • 제조업체: Renesas Electronics America Inc.
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: Half-Bridge
  • 채널 유형: Synchronous
  • 드라이버 수: 2
  • 게이트 유형: N-Channel MOSFET
  • 전압-공급: 7V ~ 13.2V
  • 논리 전압-VIL, VIH: -
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A
  • 입력 유형: Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC-EP
재고 있음5,346
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PMIC-게이트 드라이버

IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC

  • 제조업체: Renesas Electronics America Inc.
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: Half-Bridge
  • 채널 유형: Synchronous
  • 드라이버 수: 2
  • 게이트 유형: N-Channel MOSFET
  • 전압-공급: 7V ~ 13.2V
  • 논리 전압-VIL, VIH: -
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A
  • 입력 유형: Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC-EP
재고 있음4,122
ISL6613BIB
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PMIC-게이트 드라이버

IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC

  • 제조업체: Renesas Electronics America Inc.
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: Half-Bridge
  • 채널 유형: Synchronous
  • 드라이버 수: 2
  • 게이트 유형: N-Channel MOSFET
  • 전압-공급: 7V ~ 13.2V
  • 논리 전압-VIL, VIH: -
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A
  • 입력 유형: Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음8,856
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IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC

  • 제조업체: Renesas Electronics America Inc.
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: Half-Bridge
  • 채널 유형: Synchronous
  • 드라이버 수: 2
  • 게이트 유형: N-Channel MOSFET
  • 전압-공급: 7V ~ 13.2V
  • 논리 전압-VIL, VIH: -
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A
  • 입력 유형: Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음2,502
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IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC

  • 제조업체: Renesas Electronics America Inc.
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: Half-Bridge
  • 채널 유형: Synchronous
  • 드라이버 수: 2
  • 게이트 유형: N-Channel MOSFET
  • 전압-공급: 7V ~ 13.2V
  • 논리 전압-VIL, VIH: -
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A
  • 입력 유형: Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음3,816
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IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC

  • 제조업체: Renesas Electronics America Inc.
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: Half-Bridge
  • 채널 유형: Synchronous
  • 드라이버 수: 2
  • 게이트 유형: N-Channel MOSFET
  • 전압-공급: 7V ~ 13.2V
  • 논리 전압-VIL, VIH: -
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A
  • 입력 유형: Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음3,744
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IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN

  • 제조업체: Renesas Electronics America Inc.
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: Half-Bridge
  • 채널 유형: Synchronous
  • 드라이버 수: 2
  • 게이트 유형: N-Channel MOSFET
  • 전압-공급: 7V ~ 13.2V
  • 논리 전압-VIL, VIH: -
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A
  • 입력 유형: Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 10-VFDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 10-DFN (3x3)
재고 있음6,588
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IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN

  • 제조업체: Renesas Electronics America Inc.
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: Half-Bridge
  • 채널 유형: Synchronous
  • 드라이버 수: 2
  • 게이트 유형: N-Channel MOSFET
  • 전압-공급: 7V ~ 13.2V
  • 논리 전압-VIL, VIH: -
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A
  • 입력 유형: Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 10-VFDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 10-DFN (3x3)
재고 있음2,160
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PMIC-게이트 드라이버

IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN

  • 제조업체: Renesas Electronics America Inc.
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: Half-Bridge
  • 채널 유형: Synchronous
  • 드라이버 수: 2
  • 게이트 유형: N-Channel MOSFET
  • 전압-공급: 7V ~ 13.2V
  • 논리 전압-VIL, VIH: -
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A
  • 입력 유형: Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 10-VFDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 10-DFN (3x3)
재고 있음3,384
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PMIC-게이트 드라이버

IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN

  • 제조업체: Renesas Electronics America Inc.
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: Half-Bridge
  • 채널 유형: Synchronous
  • 드라이버 수: 2
  • 게이트 유형: N-Channel MOSFET
  • 전압-공급: 7V ~ 13.2V
  • 논리 전압-VIL, VIH: -
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A
  • 입력 유형: Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 10-VFDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 10-DFN (3x3)
재고 있음4,896
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IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC

  • 제조업체: Renesas Electronics America Inc.
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: Half-Bridge
  • 채널 유형: Synchronous
  • 드라이버 수: 2
  • 게이트 유형: N-Channel MOSFET
  • 전압-공급: 10.8V ~ 13.2V
  • 논리 전압-VIL, VIH: -
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A
  • 입력 유형: Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns
  • 작동 온도: 0°C ~ 125°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음7,092
ISL6613CB-T
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PMIC-게이트 드라이버

IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC

  • 제조업체: Renesas Electronics America Inc.
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: Half-Bridge
  • 채널 유형: Synchronous
  • 드라이버 수: 2
  • 게이트 유형: N-Channel MOSFET
  • 전압-공급: 10.8V ~ 13.2V
  • 논리 전압-VIL, VIH: -
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A
  • 입력 유형: Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns
  • 작동 온도: 0°C ~ 125°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음6,282
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PMIC-게이트 드라이버

IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC

  • 제조업체: Renesas Electronics America Inc.
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: Half-Bridge
  • 채널 유형: Synchronous
  • 드라이버 수: 2
  • 게이트 유형: N-Channel MOSFET
  • 전압-공급: 10.8V ~ 13.2V
  • 논리 전압-VIL, VIH: -
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A
  • 입력 유형: Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns
  • 작동 온도: 0°C ~ 125°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음2,052
ISL6613CBZR5214
ISL6613CBZR5214

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PMIC-게이트 드라이버

IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC

  • 제조업체: Renesas Electronics America Inc.
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: Half-Bridge
  • 채널 유형: Synchronous
  • 드라이버 수: 2
  • 게이트 유형: N-Channel MOSFET
  • 전압-공급: 10.8V ~ 13.2V
  • 논리 전압-VIL, VIH: -
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A
  • 입력 유형: Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns
  • 작동 온도: 0°C ~ 125°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음3,078
ISL6613CBZ-T
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PMIC-게이트 드라이버

IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC

  • 제조업체: Renesas Electronics America Inc.
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: Half-Bridge
  • 채널 유형: Synchronous
  • 드라이버 수: 2
  • 게이트 유형: N-Channel MOSFET
  • 전압-공급: 10.8V ~ 13.2V
  • 논리 전압-VIL, VIH: -
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A
  • 입력 유형: Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns
  • 작동 온도: 0°C ~ 125°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음4,356
ISL6613CBZ-TR5214
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IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC

  • 제조업체: Renesas Electronics America Inc.
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: Half-Bridge
  • 채널 유형: Synchronous
  • 드라이버 수: 2
  • 게이트 유형: N-Channel MOSFET
  • 전압-공급: 10.8V ~ 13.2V
  • 논리 전압-VIL, VIH: -
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A
  • 입력 유형: Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns
  • 작동 온도: 0°C ~ 125°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음8,550
ISL6613CR
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IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN

  • 제조업체: Renesas Electronics America Inc.
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: Half-Bridge
  • 채널 유형: Synchronous
  • 드라이버 수: 2
  • 게이트 유형: N-Channel MOSFET
  • 전압-공급: 10.8V ~ 13.2V
  • 논리 전압-VIL, VIH: -
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A
  • 입력 유형: Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns
  • 작동 온도: 0°C ~ 125°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 10-VFDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 10-DFN (3x3)
재고 있음3,312
ISL6613CR-T
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IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN

  • 제조업체: Renesas Electronics America Inc.
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: Half-Bridge
  • 채널 유형: Synchronous
  • 드라이버 수: 2
  • 게이트 유형: N-Channel MOSFET
  • 전압-공급: 10.8V ~ 13.2V
  • 논리 전압-VIL, VIH: -
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A
  • 입력 유형: Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns
  • 작동 온도: 0°C ~ 125°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 10-VFDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 10-DFN (3x3)
재고 있음5,994
ISL6613CRZ
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IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN

  • 제조업체: Renesas Electronics America Inc.
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: Half-Bridge
  • 채널 유형: Synchronous
  • 드라이버 수: 2
  • 게이트 유형: N-Channel MOSFET
  • 전압-공급: 10.8V ~ 13.2V
  • 논리 전압-VIL, VIH: -
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A
  • 입력 유형: Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns
  • 작동 온도: 0°C ~ 125°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 10-VFDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 10-DFN (3x3)
재고 있음6,066
ISL6613CRZ-T
ISL6613CRZ-T

Renesas Electronics America Inc.

PMIC-게이트 드라이버

IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN

  • 제조업체: Renesas Electronics America Inc.
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: Half-Bridge
  • 채널 유형: Synchronous
  • 드라이버 수: 2
  • 게이트 유형: N-Channel MOSFET
  • 전압-공급: 10.8V ~ 13.2V
  • 논리 전압-VIL, VIH: -
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A
  • 입력 유형: Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns
  • 작동 온도: 0°C ~ 125°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 10-VFDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 10-DFN (3x3)
재고 있음8,226
ISL6613ECB
ISL6613ECB

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IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC

  • 제조업체: Renesas Electronics America Inc.
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: Half-Bridge
  • 채널 유형: Synchronous
  • 드라이버 수: 2
  • 게이트 유형: N-Channel MOSFET
  • 전압-공급: 10.8V ~ 13.2V
  • 논리 전압-VIL, VIH: -
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A
  • 입력 유형: Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns
  • 작동 온도: 0°C ~ 125°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC-EP
재고 있음5,130
ISL6613ECB-T
ISL6613ECB-T

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IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC

  • 제조업체: Renesas Electronics America Inc.
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: Half-Bridge
  • 채널 유형: Synchronous
  • 드라이버 수: 2
  • 게이트 유형: N-Channel MOSFET
  • 전압-공급: 10.8V ~ 13.2V
  • 논리 전압-VIL, VIH: -
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A
  • 입력 유형: Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns
  • 작동 온도: 0°C ~ 125°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC-EP
재고 있음2,250
ISL6613ECBZ
ISL6613ECBZ

Renesas Electronics America Inc.

PMIC-게이트 드라이버

IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC

  • 제조업체: Renesas Electronics America Inc.
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: Half-Bridge
  • 채널 유형: Synchronous
  • 드라이버 수: 2
  • 게이트 유형: N-Channel MOSFET
  • 전압-공급: 10.8V ~ 13.2V
  • 논리 전압-VIL, VIH: -
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A
  • 입력 유형: Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns
  • 작동 온도: 0°C ~ 125°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC-EP
재고 있음6,570
ISL6613ECBZR5214
ISL6613ECBZR5214

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IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC

  • 제조업체: Renesas Electronics America Inc.
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: Half-Bridge
  • 채널 유형: Synchronous
  • 드라이버 수: 2
  • 게이트 유형: N-Channel MOSFET
  • 전압-공급: 10.8V ~ 13.2V
  • 논리 전압-VIL, VIH: -
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A
  • 입력 유형: Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns
  • 작동 온도: 0°C ~ 125°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC-EP
재고 있음6,390
ISL6613ECBZ-T
ISL6613ECBZ-T

Renesas Electronics America Inc.

PMIC-게이트 드라이버

IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC

  • 제조업체: Renesas Electronics America Inc.
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: Half-Bridge
  • 채널 유형: Synchronous
  • 드라이버 수: 2
  • 게이트 유형: N-Channel MOSFET
  • 전압-공급: 10.8V ~ 13.2V
  • 논리 전압-VIL, VIH: -
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A
  • 입력 유형: Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns
  • 작동 온도: 0°C ~ 125°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC-EP
재고 있음2,808
ISL6613ECBZ-TR5214
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Renesas Electronics America Inc.

PMIC-게이트 드라이버

IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC

  • 제조업체: Renesas Electronics America Inc.
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: Half-Bridge
  • 채널 유형: Synchronous
  • 드라이버 수: 2
  • 게이트 유형: N-Channel MOSFET
  • 전압-공급: 10.8V ~ 13.2V
  • 논리 전압-VIL, VIH: -
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A
  • 입력 유형: Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns
  • 작동 온도: 0°C ~ 125°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC-EP
재고 있음4,014
ISL6613EIB
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IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC

  • 제조업체: Renesas Electronics America Inc.
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: Half-Bridge
  • 채널 유형: Synchronous
  • 드라이버 수: 2
  • 게이트 유형: N-Channel MOSFET
  • 전압-공급: 10.8V ~ 13.2V
  • 논리 전압-VIL, VIH: -
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A
  • 입력 유형: Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC-EP
재고 있음6,336
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  • 제조업체: Renesas Electronics America Inc.
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: Half-Bridge
  • 채널 유형: Synchronous
  • 드라이버 수: 2
  • 게이트 유형: N-Channel MOSFET
  • 전압-공급: 10.8V ~ 13.2V
  • 논리 전압-VIL, VIH: -
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A
  • 입력 유형: Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC-EP
재고 있음6,048
ISL6613EIBZ
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IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC

  • 제조업체: Renesas Electronics America Inc.
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: Half-Bridge
  • 채널 유형: Synchronous
  • 드라이버 수: 2
  • 게이트 유형: N-Channel MOSFET
  • 전압-공급: 10.8V ~ 13.2V
  • 논리 전압-VIL, VIH: -
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A
  • 입력 유형: Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC-EP
재고 있음7,686
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  • 제조업체: Renesas Electronics America Inc.
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: Half-Bridge
  • 채널 유형: Synchronous
  • 드라이버 수: 2
  • 게이트 유형: N-Channel MOSFET
  • 전압-공급: 10.8V ~ 13.2V
  • 논리 전압-VIL, VIH: -
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A
  • 입력 유형: Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC-EP
재고 있음4,932