전력 관리 IC

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PMIC-전압 조정기-선형 조정기 컨트롤러 (207)
PMIC-전압 조정기-특수 목적 (3,917)
파워 드라이버 모듈 (809)

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부품 번호	설명	재고 있음
ISL6612CRZ Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 10.8V ~ 13.2V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns 작동 온도: 0°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 10-VFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 10-DFN (3x3)	재고 있음2,574
ISL6612CRZR5238 Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 10.8V ~ 13.2V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns 작동 온도: 0°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 10-VFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 10-DFN (3x3)	재고 있음4,824
ISL6612CRZ-T Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER MOSFET SYNC BUCK 10DFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 10.8V ~ 13.2V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns 작동 온도: 0°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 10-VFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 10-DFN (3x3)	재고 있음3,418
ISL6612CRZ-TR5238 Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 10.8V ~ 13.2V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns 작동 온도: 0°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 10-VFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 10-DFN (3x3)	재고 있음7,920
ISL6612ECB Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 10.8V ~ 13.2V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns 작동 온도: 0°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-SOIC-EP	재고 있음2,070
ISL6612ECB-T Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 10.8V ~ 13.2V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns 작동 온도: 0°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-SOIC-EP	재고 있음6,588
ISL6612ECBZ Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 10.8V ~ 13.2V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns 작동 온도: 0°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-SOIC-EP	재고 있음8,352
ISL6612ECBZ-T Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 10.8V ~ 13.2V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns 작동 온도: 0°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-SOIC-EP	재고 있음4,302
ISL6612EIB Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 10.8V ~ 13.2V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-SOIC-EP	재고 있음3,186
ISL6612EIB-T Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 10.8V ~ 13.2V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-SOIC-EP	재고 있음8,388
ISL6612EIBZ Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 10.8V ~ 13.2V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-SOIC-EP	재고 있음8,982
ISL6612EIBZ-T Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 10.8V ~ 13.2V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-SOIC-EP	재고 있음4,392
ISL6612IB Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER MOSFET SYNC BUCK 8SOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 10.8V ~ 13.2V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음8,208
ISL6612IB-T Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 10.8V ~ 13.2V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음4,428
ISL6612IBZ Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 10.8V ~ 13.2V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음7,326
ISL6612IBZR5238 Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 10.8V ~ 13.2V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음6,552
ISL6612IBZ-T Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 10.8V ~ 13.2V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음3,726
ISL6612IBZ-TR5238 Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 10.8V ~ 13.2V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음5,076
ISL6612IR Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 10.8V ~ 13.2V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 10-VFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 10-DFN (3x3)	재고 있음4,590
ISL6612IR-T Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 10.8V ~ 13.2V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 10-VFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 10-DFN (3x3)	재고 있음4,572
ISL6612IRZ Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 10.8V ~ 13.2V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 10-VFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 10-DFN (3x3)	재고 있음5,472
ISL6612IRZR5238 Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 10.8V ~ 13.2V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 10-VFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 10-DFN (3x3)	재고 있음2,340
ISL6612IRZ-T Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 10.8V ~ 13.2V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 10-VFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 10-DFN (3x3)	재고 있음8,838
ISL6612IRZ-TR5238 Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 10.8V ~ 13.2V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 10-VFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 10-DFN (3x3)	재고 있음2,250
ISL6613ACB Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 10.8V ~ 13.2V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns 작동 온도: 0°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음7,074
ISL6613ACB-T Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 10.8V ~ 13.2V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns 작동 온도: 0°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음3,636
ISL6613ACBZ Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 10.8V ~ 13.2V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns 작동 온도: 0°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음4,050
ISL6613ACBZ-T Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 10.8V ~ 13.2V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns 작동 온도: 0°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음6,822
ISL6613ACR Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 10.8V ~ 13.2V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns 작동 온도: 0°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 10-VFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 10-DFN (3x3)	재고 있음2,052
ISL6613ACR-T Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 10.8V ~ 13.2V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns 작동 온도: 0°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 10-VFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 10-DFN (3x3)	재고 있음6,516

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