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부품 번호	설명	재고 있음
ISL6613ACRZ Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 10.8V ~ 13.2V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns 작동 온도: 0°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 10-VFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 10-DFN (3x3)	재고 있음7,686
ISL6613ACRZ-T Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 10.8V ~ 13.2V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns 작동 온도: 0°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 10-VFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 10-DFN (3x3)	재고 있음3,096
ISL6613AECB Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 10.8V ~ 13.2V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns 작동 온도: 0°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-SOIC-EP	재고 있음7,920
ISL6613AECB-T Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 10.8V ~ 13.2V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns 작동 온도: 0°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-SOIC-EP	재고 있음3,834
ISL6613AECBZ Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 10.8V ~ 13.2V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns 작동 온도: 0°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-SOIC-EP	재고 있음7,038
ISL6613AECBZ-T Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 10.8V ~ 13.2V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns 작동 온도: 0°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-SOIC-EP	재고 있음3,906
ISL6613AEIB Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 10.8V ~ 13.2V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-SOIC-EP	재고 있음5,634
ISL6613AEIB-T Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 10.8V ~ 13.2V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-SOIC-EP	재고 있음3,888
ISL6613AEIBZ Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 10.8V ~ 13.2V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-SOIC-EP	재고 있음7,164
ISL6613AEIBZ-T Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR SYNC BUCK 8EPSOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 10.8V ~ 13.2V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-SOIC-EP	재고 있음7,308
ISL6613AIBZ Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 10.8V ~ 13.2V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음4,464
ISL6613AIBZ-T Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 10.8V ~ 13.2V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음6,210
ISL6613AIR Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 10.8V ~ 13.2V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 10-VFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 10-DFN (3x3)	재고 있음7,704
ISL6613AIR-T Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 10.8V ~ 13.2V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 10-VFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 10-DFN (3x3)	재고 있음3,906
ISL6613AIRZ Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 10.8V ~ 13.2V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 10-VFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 10-DFN (3x3)	재고 있음6,012
ISL6613AIRZ-T Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 10.8V ~ 13.2V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 10-VFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 10-DFN (3x3)	재고 있음5,004
ISL6613BCB Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 7V ~ 13.2V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns 작동 온도: 0°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음8,586
ISL6613BCB-T Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 7V ~ 13.2V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns 작동 온도: 0°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음8,460
ISL6613BCBZ Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 7V ~ 13.2V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns 작동 온도: 0°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음3,834
ISL6613BCBZ-T Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8-SOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 7V ~ 13.2V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns 작동 온도: 0°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음6,318
ISL6613BCR Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 7V ~ 13.2V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns 작동 온도: 0°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 10-VFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 10-DFN (3x3)	재고 있음3,474
ISL6613BCR-T Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 7V ~ 13.2V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns 작동 온도: 0°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 10-VFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 10-DFN (3x3)	재고 있음8,730
ISL6613BCRZ Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 7V ~ 13.2V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns 작동 온도: 0°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 10-VFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 10-DFN (3x3)	재고 있음5,544
ISL6613BCRZ-T Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 7V ~ 13.2V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns 작동 온도: 0°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 10-VFDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 10-DFN (3x3)	재고 있음6,408
ISL6613BECB Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 7V ~ 13.2V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns 작동 온도: 0°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-SOIC-EP	재고 있음4,194
ISL6613BECB-T Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 7V ~ 13.2V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns 작동 온도: 0°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-SOIC-EP	재고 있음6,894
ISL6613BECBZ Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 7V ~ 13.2V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns 작동 온도: 0°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-SOIC-EP	재고 있음7,056
ISL6613BECBZ-T Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 7V ~ 13.2V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns 작동 온도: 0°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-SOIC-EP	재고 있음6,498
ISL6613BEIB Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 7V ~ 13.2V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-SOIC-EP	재고 있음3,418
ISL6613BEIB-T Renesas Electronics America Inc.	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 8EPSOIC 제조업체: Renesas Electronics America Inc. 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 7V ~ 13.2V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.25A, 2A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 36V 상승 / 하강 시간 (일반): 26ns, 18ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-SOIC-EP	재고 있음5,130

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