메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
IS43DR16128A-3DBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 84LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 450ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-LFBGA 공급자 장치 패키지: 84-LFBGA (10.5x13.5)	재고 있음7,722
IS43DR16128A-3DBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 84LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 450ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-LFBGA 공급자 장치 패키지: 84-LFBGA (10.5x13.5)	재고 있음8,982
IS43DR16128B-25EBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 84TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (10.5x13)	재고 있음8,172
IS43DR16128B-25EBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 84TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (10.5x13)	재고 있음4,860
IS43DR16128B-25EBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 84TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (10.5x13)	재고 있음4,716
IS43DR16128B-25EBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 84TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (10.5x13)	재고 있음2,520
IS43DR16128B-3DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 84TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 450ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (10.5x13)	재고 있음8,766
IS43DR16128B-3DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 84TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 450ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (10.5x13)	재고 있음2,034
IS43DR16128B-3DBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 84TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 450ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (10.5x13)	재고 있음4,050
IS43DR16128B-3DBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 84TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 450ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (10.5x13)	재고 있음6,390
IS43DR16128C-25DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 84TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)	재고 있음7,488
IS43DR16128C-25DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 84TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)	재고 있음3,495
IS43DR16128C-25DBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 84TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)	재고 있음8,298
IS43DR16128C-3DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 84TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 450ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)	재고 있음6,606
IS43DR16128C-3DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 84TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 450ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)	재고 있음331
IS43DR16128C-3DBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 84TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 450ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)	재고 있음5,400
IS43DR16128C-3DBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 84TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 450ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)	재고 있음3,888
IS43DR16160A-25EBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 256Mb (16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)	재고 있음8,280
IS43DR16160A-25EBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 256Mb (16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)	재고 있음5,328
IS43DR16160A-25EBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 256Mb (16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)	재고 있음3,204
IS43DR16160A-25EBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 256Mb (16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)	재고 있음8,316
IS43DR16160A-37CBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 256Mb (16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 266MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 500ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)	재고 있음6,282
IS43DR16160A-37CBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 256Mb (16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 266MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 500ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)	재고 있음10,827
IS43DR16160A-37CBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 256Mb (16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 266MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 500ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)	재고 있음5,598
IS43DR16160A-37CBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 256Mb (16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 266MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 500ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)	재고 있음3,454
IS43DR16160A-3DBI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 256Mb (16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 450ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)	재고 있음5,454
IS43DR16160A-3DBI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 256Mb (16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 450ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)	재고 있음8,334
IS43DR16160A-3DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 256Mb (16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 450ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)	재고 있음7,380
IS43DR16160A-3DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 256Mb (16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 450ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)	재고 있음6,606
IS43DR16160A-3DBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 256Mb (16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 450ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)	재고 있음5,256

IS43DR16128A-3DBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 84LFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 450ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-LFBGA
공급자 장치 패키지: 84-LFBGA (10.5x13.5)

재고 있음7,722

IS43DR16128A-3DBL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 84LFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 450ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-LFBGA
공급자 장치 패키지: 84-LFBGA (10.5x13.5)

재고 있음8,982

IS43DR16128B-25EBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 84TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 400ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-TFBGA
공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (10.5x13)

재고 있음8,172

IS43DR16128B-25EBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 84TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 400ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-TFBGA
공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (10.5x13)

재고 있음4,860

IS43DR16128B-25EBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 84TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-TFBGA
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재고 있음4,716

IS43DR16128B-25EBL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 84TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-TFBGA
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재고 있음2,520

IS43DR16128B-3DBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 84TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
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IS43DR16128B-3DBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 84TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS43DR16128B-3DBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 2G PARALLEL 84TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS43DR16128B-3DBL-TR

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기억

IC DRAM 2G PARALLEL 84TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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IS43DR16128C-25DBL

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IC DRAM 2G PARALLEL 84TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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재고 있음7,488

IS43DR16128C-25DBLI

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IC DRAM 2G PARALLEL 84TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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재고 있음3,495

IS43DR16128C-25DBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 2G PARALLEL 84TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
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메모리 포맷: DRAM
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재고 있음8,298

IS43DR16128C-3DBL

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IC DRAM 2G PARALLEL 84TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
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재고 있음6,606

IS43DR16128C-3DBLI

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IC DRAM 2G PARALLEL 84TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
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메모리 포맷: DRAM
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재고 있음331

IS43DR16128C-3DBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 2G PARALLEL 84TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
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시계 주파수: 333MHz
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접근 시간: 450ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
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재고 있음5,400

IS43DR16128C-3DBL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 2G PARALLEL 84TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 333MHz
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접근 시간: 450ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
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패키지 / 케이스: 84-TFBGA
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재고 있음3,888

IS43DR16160A-25EBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
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기술: SDRAM - DDR2
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전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
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장착 유형: Surface Mount
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재고 있음8,280

IS43DR16160A-25EBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
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접근 시간: 400ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
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재고 있음5,328

IS43DR16160A-25EBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
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접근 시간: 400ns
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재고 있음3,204

IS43DR16160A-25EBL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
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접근 시간: 400ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-TFBGA
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재고 있음8,316

IS43DR16160A-37CBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
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쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 500ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-TFBGA
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재고 있음6,282

IS43DR16160A-37CBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 266MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 500ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-TFBGA
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재고 있음10,827

IS43DR16160A-37CBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 266MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 500ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-TFBGA
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재고 있음5,598

IS43DR16160A-37CBL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 266MHz
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접근 시간: 500ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-TFBGA
공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)

재고 있음3,454

IS43DR16160A-3DBI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 450ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-TFBGA
공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)

재고 있음5,454

IS43DR16160A-3DBI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 450ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-TFBGA
공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)

재고 있음8,334

IS43DR16160A-3DBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 450ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-TFBGA
공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)

재고 있음7,380

IS43DR16160A-3DBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 450ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-TFBGA
공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)

재고 있음6,606

IS43DR16160A-3DBLI-TR

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IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 333MHz
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공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)

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