메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
IS43DR16160A-3DBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 256Mb (16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 450ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)	재고 있음5,076
IS43DR16160A-5BBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 256Mb (16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 600ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)	재고 있음6,084
IS43DR16160A-5BBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 256Mb (16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 600ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)	재고 있음3,384
IS43DR16160B-25DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 256Mb (16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)	재고 있음5,004
IS43DR16160B-25DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 256Mb (16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)	재고 있음5,598
IS43DR16160B-25DBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 256Mb (16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)	재고 있음5,400
IS43DR16160B-25DBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 256Mb (16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)	재고 있음8,730
IS43DR16160B-37CBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 256Mb (16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 266MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 500ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)	재고 있음8,748
IS43DR16160B-37CBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 256Mb (16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 266MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 500ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)	재고 있음6,840
IS43DR16160B-37CBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 256Mb (16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 266MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 500ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)	재고 있음6,390
IS43DR16160B-37CBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 256Mb (16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 266MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 500ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)	재고 있음6,588
IS43DR16160B-3DBI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 256Mb (16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 450ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)	재고 있음5,976
IS43DR16160B-3DBI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 256Mb (16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 450ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)	재고 있음8,982
IS43DR16160B-3DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 256Mb (16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 450ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)	재고 있음8,964
IS43DR16160B-3DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 256Mb (16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 450ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)	재고 있음4,257
IS43DR16160B-3DBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 256Mb (16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 450ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)	재고 있음3,024
IS43DR16160B-3DBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 256Mb (16M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 450ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)	재고 있음5,364
IS43DR16320C-25DBI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)	재고 있음3,798
IS43DR16320C-25DBI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)	재고 있음6,858
IS43DR16320C-25DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)	재고 있음7,506
IS43DR16320C-25DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)	재고 있음15,115
IS43DR16320C-25DBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)	재고 있음2,124
IS43DR16320C-25DBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)	재고 있음8,658
IS43DR16320C-3DBI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 450ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)	재고 있음3,654
IS43DR16320C-3DBI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 450ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)	재고 있음7,452
IS43DR16320C-3DBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 450ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)	재고 있음7,068
IS43DR16320C-3DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 450ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)	재고 있음8,514
IS43DR16320C-3DBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 450ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)	재고 있음8,946
IS43DR16320C-3DBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 450ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: 0°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)	재고 있음2,466
IS43DR16320D-25DBI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 84-TFBGA 공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)	재고 있음3,744

IS43DR16160A-3DBL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 450ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-TFBGA
공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)

재고 있음5,076

IS43DR16160A-5BBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 600ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-TFBGA
공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)

재고 있음6,084

IS43DR16160A-5BBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 200MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 600ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-TFBGA
공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)

재고 있음3,384

IS43DR16160B-25DBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 400ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-TFBGA
공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)

재고 있음5,004

IS43DR16160B-25DBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 84-TFBGA
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재고 있음5,598

IS43DR16160B-25DBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
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작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
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재고 있음5,400

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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메모리 유형: Volatile
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재고 있음6,840

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기억

IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
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재고 있음6,588

IS43DR16160B-3DBI

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기억

IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
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메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
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재고 있음5,976

IS43DR16160B-3DBI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
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재고 있음8,982

IS43DR16160B-3DBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
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재고 있음8,964

IS43DR16160B-3DBLI

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IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
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재고 있음4,257

IS43DR16160B-3DBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
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IS43DR16160B-3DBL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 333MHz
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접근 시간: 450ps
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패키지 / 케이스: 84-TFBGA
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재고 있음5,364

IS43DR16320C-25DBI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
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전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
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장착 유형: Surface Mount
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재고 있음3,798

IS43DR16320C-25DBI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
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재고 있음6,858

IS43DR16320C-25DBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
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재고 있음7,506

IS43DR16320C-25DBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
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메모리 인터페이스: Parallel
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접근 시간: 400ps
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재고 있음15,115

IS43DR16320C-25DBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
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재고 있음2,124

IS43DR16320C-25DBL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
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접근 시간: 400ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
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장착 유형: Surface Mount
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재고 있음8,658

IS43DR16320C-3DBI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
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접근 시간: 450ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
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재고 있음3,654

IS43DR16320C-3DBI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
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재고 있음7,452

IS43DR16320C-3DBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
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공급자 장치 패키지: 84-TWBGA (8x12.5)

재고 있음7,068

IS43DR16320C-3DBLI

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기억

IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
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IS43DR16320C-3DBLI-TR

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IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
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IC DRAM 512M PARALLEL 84TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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메모리 포맷: DRAM
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재고 있음2,466

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메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
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