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IS43DR16160A-37CBLI

IS43DR16160A-37CBLI

참조 용

부품 번호 IS43DR16160A-37CBLI
PNEDA 부품 번호 IS43DR16160A-37CBLI
설명 IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA
제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
단가 견적 요청
재고 있음 10,827
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 16 - 7월 21 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

IS43DR16160A-37CBLI 리소스

브랜드 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호IS43DR16160A-37CBLI
분류반도체메모리 IC기억
데이터 시트
IS43DR16160A-37CBLI, IS43DR16160A-37CBLI 데이터 시트 (총 페이지: 48, 크기: 1,425.27 KB)
PDFIS43DR16160A-5BBLI-TR 데이터 시트 표지
IS43DR16160A-5BBLI-TR 데이터 시트 페이지 2 IS43DR16160A-5BBLI-TR 데이터 시트 페이지 3 IS43DR16160A-5BBLI-TR 데이터 시트 페이지 4 IS43DR16160A-5BBLI-TR 데이터 시트 페이지 5 IS43DR16160A-5BBLI-TR 데이터 시트 페이지 6 IS43DR16160A-5BBLI-TR 데이터 시트 페이지 7 IS43DR16160A-5BBLI-TR 데이터 시트 페이지 8 IS43DR16160A-5BBLI-TR 데이터 시트 페이지 9 IS43DR16160A-5BBLI-TR 데이터 시트 페이지 10 IS43DR16160A-5BBLI-TR 데이터 시트 페이지 11

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IS43DR16160A-37CBLI 사양

제조업체ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈-
메모리 유형Volatile
메모리 포맷DRAM
기술SDRAM - DDR2
메모리 크기256Mb (16M x 16)
메모리 인터페이스Parallel
시계 주파수266MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지15ns
접근 시간500ps
전압-공급1.7V ~ 1.9V
작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스84-TFBGA
공급자 장치 패키지84-TWBGA (8x12.5)

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제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

MoBL®

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

8Mb (512K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

55ns

접근 시간

55ns

전압-공급

4.5V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

공급자 장치 패키지

44-TSOP II

CY62147G30-55BVXET

Cypress Semiconductor

제조업체

Cypress Semiconductor Corp

시리즈

MoBL®

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

SRAM

기술

SRAM - Asynchronous

메모리 크기

4Mb (256K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

55ns

접근 시간

55ns

전압-공급

2.2V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 125°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-VFBGA

공급자 장치 패키지

48-VFBGA (6x8)

SST39VF400A-70-4I-B3KE-T

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

SST39 MPF™

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

FLASH

기술

FLASH

메모리 크기

4Mb (256K x 16)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

-

쓰기주기 시간-단어, 페이지

20µs

접근 시간

70ns

전압-공급

2.7V ~ 3.6V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

48-TFBGA

공급자 장치 패키지

48-TFBGA

MT40A1G8WE-075E:D TR

Micron Technology Inc.

제조업체

Micron Technology Inc.

시리즈

-

메모리 유형

Volatile

메모리 포맷

DRAM

기술

SDRAM - DDR4

메모리 크기

8Gb (1G x 8)

메모리 인터페이스

Parallel

시계 주파수

1.33GHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

-

접근 시간

-

전압-공급

1.14V ~ 1.26V

작동 온도

0°C ~ 95°C (TC)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

78-TFBGA

공급자 장치 패키지

78-FBGA (8x12)

24FC512T-I/SM

Microchip Technology

제조업체

Microchip Technology

시리즈

-

메모리 유형

Non-Volatile

메모리 포맷

EEPROM

기술

EEPROM

메모리 크기

512Kb (64K x 8)

메모리 인터페이스

I²C

시계 주파수

1MHz

쓰기주기 시간-단어, 페이지

5ms

접근 시간

400ns

전압-공급

1.7V ~ 5.5V

작동 온도

-40°C ~ 85°C (TA)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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