메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
MT53B1G64D8NW-062 WT ES:D TR Micron Technology Inc.	기억 LPDDR4 64G 1GX64 FBGA 8DP 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,662
MT53B256M16D1Z00MWC1 Micron Technology Inc.	기억 LPDDR4 4G DIE 256MX16 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,302
MT53B256M32D1DS-062 AAT:C Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G 1600MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 8Gb (256M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-WFBGA 공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)	재고 있음2,232
MT53B256M32D1DS-062 AAT:C TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G 1600MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 8Gb (256M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-WFBGA 공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)	재고 있음3,888
MT53B256M32D1DS-062 AIT:C Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G 1600MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 8Gb (256M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-WFBGA 공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)	재고 있음6,786
MT53B256M32D1DS-062 AIT:C TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G 1600MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 8Gb (256M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-WFBGA 공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)	재고 있음2,052
MT53B256M32D1DS-062 AUT:C Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G 1600MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 8Gb (256M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-WFBGA 공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)	재고 있음5,724
MT53B256M32D1DS-062 AUT:C TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G 1600MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 8Gb (256M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-WFBGA 공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)	재고 있음5,742
MT53B256M32D1DS-062 XT:C Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G 1600MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 8Gb (256M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-WFBGA 공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)	재고 있음5,040
MT53B256M32D1DS-062 XT:C TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G 1600MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 8Gb (256M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-WFBGA 공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)	재고 있음6,030
MT53B256M32D1GZ-062 AIT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G 1600MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 8Gb (256M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-WFBGA 공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (11x14.5)	재고 있음8,766
MT53B256M32D1GZ-062 AIT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G 1600MHZ 200FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 8Gb (256M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-WFBGA 공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (11x14.5)	재고 있음3,598
MT53B256M32D1GZ-062 WT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G 1600MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 8Gb (256M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-WFBGA 공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (11x14.5)	재고 있음5,346
MT53B256M32D1GZ-062 WT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G 1600MHZ 200FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 8Gb (256M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-WFBGA 공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (11x14.5)	재고 있음2,898
MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B Micron Technology Inc.	기억 LPDDR4 8G 256MX32 FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-WFBGA 공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (11x14.5)	재고 있음7,614
MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G 1600MHZ 200FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 8Gb (256M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-WFBGA 공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (11x14.5)	재고 있음7,326
MT53B256M32D1NK-062 XT ES:C Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G 1600MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 8Gb (256M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,436
MT53B256M32D1NK-062 XT ES:C TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G 1600MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 8Gb (256M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,074
MT53B256M32D1NP-053 WT:C Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G 1866MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 8Gb (256M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1866MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-WFBGA 공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)	재고 있음3,222
MT53B256M32D1NP-053 WT:C TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G 1866MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 8Gb (256M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1866MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-WFBGA 공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)	재고 있음6,354
MT53B256M32D1NP-062 AAT:C Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G 1600MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 8Gb (256M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-WFBGA 공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)	재고 있음6,588
MT53B256M32D1NP-062 AAT:C TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G 1600MHZ 200FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 8Gb (256M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-WFBGA 공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)	재고 있음3,384
MT53B256M32D1NP-062 AIT:C Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G 1600MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 8Gb (256M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-WFBGA 공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)	재고 있음3,618
MT53B256M32D1NP-062 AIT:C TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G 1600MHZ 200FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 8Gb (256M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-WFBGA 공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)	재고 있음4,986
MT53B256M32D1NP-062 AUT:C Micron Technology Inc.	기억 IC SDRAM 8GBIT 1.6GHZ 200FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 8Gb (256M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-WFBGA 공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)	재고 있음7,110
MT53B256M32D1NP-062 AUT:C TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM LPDDR4 8GB FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 8Gb (256M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1.6GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-WFBGA 공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)	재고 있음4,824
MT53B256M32D1NP-062 WT:C Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G 1600MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 8Gb (256M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-WFBGA 공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)	재고 있음2,772
MT53B256M32D1NP-062 WT:C TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G 1600MHZ 200FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 8Gb (256M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-WFBGA 공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)	재고 있음7,038
MT53B256M32D1NP-062 WT ES:C Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G 1600MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 8Gb (256M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-WFBGA 공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)	재고 있음4,482
MT53B256M32D1NP-062 WT ES:C TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G 1600MHZ 200FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 8Gb (256M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-WFBGA 공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)	재고 있음8,460

MT53B1G64D8NW-062 WT ES:D TR

Micron Technology Inc.

기억

LPDDR4 64G 1GX64 FBGA 8DP

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,662

MT53B256M16D1Z00MWC1

Micron Technology Inc.

기억

LPDDR4 4G DIE 256MX16

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,302

MT53B256M32D1DS-062 AAT:C

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G 1600MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 200-WFBGA
공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)

재고 있음2,232

MT53B256M32D1DS-062 AAT:C TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G 1600MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 200-WFBGA
공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)

재고 있음3,888

MT53B256M32D1DS-062 AIT:C

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G 1600MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 200-WFBGA
공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)

재고 있음6,786

MT53B256M32D1DS-062 AIT:C TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G 1600MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 200-WFBGA
공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)

재고 있음2,052

MT53B256M32D1DS-062 AUT:C

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G 1600MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -40°C ~ 125°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 200-WFBGA
공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)

재고 있음5,724

MT53B256M32D1DS-062 AUT:C TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G 1600MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -40°C ~ 125°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 200-WFBGA
공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)

재고 있음5,742

MT53B256M32D1DS-062 XT:C

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G 1600MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 105°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 200-WFBGA
공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)

재고 있음5,040

MT53B256M32D1DS-062 XT:C TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G 1600MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 105°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 200-WFBGA
공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)

재고 있음6,030

MT53B256M32D1GZ-062 AIT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G 1600MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 200-WFBGA
공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (11x14.5)

재고 있음8,766

MT53B256M32D1GZ-062 AIT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G 1600MHZ 200FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 200-WFBGA
공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (11x14.5)

재고 있음3,598

MT53B256M32D1GZ-062 WT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 200-WFBGA
공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (11x14.5)

재고 있음5,346

MT53B256M32D1GZ-062 WT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G 1600MHZ 200FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 200-WFBGA
공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (11x14.5)

재고 있음2,898

MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B

Micron Technology Inc.

기억

LPDDR4 8G 256MX32 FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 200-WFBGA
공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (11x14.5)

재고 있음7,614

MT53B256M32D1GZ-062 WT ES:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G 1600MHZ 200FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 200-WFBGA
공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (11x14.5)

재고 있음7,326

MT53B256M32D1NK-062 XT ES:C

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 105°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,436

MT53B256M32D1NK-062 XT ES:C TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 105°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,074

MT53B256M32D1NP-053 WT:C

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G 1866MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1866MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 200-WFBGA
공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)

재고 있음3,222

MT53B256M32D1NP-053 WT:C TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G 1866MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1866MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 200-WFBGA
공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)

재고 있음6,354

MT53B256M32D1NP-062 AAT:C

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 200-WFBGA
공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)

재고 있음6,588

MT53B256M32D1NP-062 AAT:C TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G 1600MHZ 200FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 200-WFBGA
공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)

재고 있음3,384

MT53B256M32D1NP-062 AIT:C

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 200-WFBGA
공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)

재고 있음3,618

MT53B256M32D1NP-062 AIT:C TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G 1600MHZ 200FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 200-WFBGA
공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)

재고 있음4,986

MT53B256M32D1NP-062 AUT:C

Micron Technology Inc.

기억

IC SDRAM 8GBIT 1.6GHZ 200FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 200-WFBGA
공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)

재고 있음7,110

MT53B256M32D1NP-062 AUT:C TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM LPDDR4 8GB FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1.6GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 200-WFBGA
공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)

재고 있음4,824

MT53B256M32D1NP-062 WT:C

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 200-WFBGA
공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)

재고 있음2,772

MT53B256M32D1NP-062 WT:C TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G 1600MHZ 200FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 200-WFBGA
공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)

재고 있음7,038

MT53B256M32D1NP-062 WT ES:C

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 200-WFBGA
공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)

재고 있음4,482

MT53B256M32D1NP-062 WT ES:C TR

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 8G 1600MHZ 200FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 8Gb (256M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 200-WFBGA
공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)

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