메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
MT52L256M64D2PP-093 WT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 16G 1067MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 16Gb (256M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1067MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.2V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 253-VFBGA 공급자 장치 패키지: 253-VFBGA (11x11.5)	재고 있음2,844
MT52L256M64D2PP-093 WT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 16G 1067MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 16Gb (256M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1067MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.2V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 253-VFBGA 공급자 장치 패키지: 253-VFBGA (11x11.5)	재고 있음2,340
MT52L256M64D2PP-107 WT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 16G 933MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 16Gb (256M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.2V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 253-VFBGA 공급자 장치 패키지: 253-VFBGA (11x11.5)	재고 있음6,084
MT52L256M64D2PP-107 WT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 16G 933MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 16Gb (256M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.2V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 253-VFBGA 공급자 장치 패키지: 253-VFBGA (11x11.5)	재고 있음2,934
MT52L256M64D2QA-125 XT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 16G 800MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 16Gb (256M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.2V 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,762
MT52L256M64D2QA-125 XT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM LPDDR3 16G FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,418
MT52L256M64D2QA-125 XT ES:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 16G 800MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 16Gb (256M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.2V 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,444
MT52L256M64D2QB-125 XT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 16G 800MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 16Gb (256M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.2V 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,408
MT52L256M64D2QB-125 XT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM LPDDR3 16G FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,466
MT52L256M64D2QB-125 XT ES:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 16G 800MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 16Gb (256M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.2V 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,402
MT52L4DAGN-DC Micron Technology Inc.	기억 SPECIAL/CUSTOM LPDDR3 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,204
MT52L4DAGN-DC TR Micron Technology Inc.	기억 SPECIAL/CUSTOM LPDDR3 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,886
MT52L4DAPQ-DC Micron Technology Inc.	기억 SPECIAL/CUSTOM LPDDR3 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,336
MT52L4DAPQ-DC TR Micron Technology Inc.	기억 SPECIAL/CUSTOM LPDDR3 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,236
MT52L4DBPG-DC Micron Technology Inc.	기억 SPECIAL/CUSTOM LPDDR3 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,668
MT52L4DBPG-DC TR Micron Technology Inc.	기억 SPECIAL/CUSTOM LPDDR3 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,982
MT52L512M16D1PF-093 WT ES:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G 1067MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 8Gb (512M x 16) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1067MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.2V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,428
MT52L512M32D2PF-093 WT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 16G 1067MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 16Gb (512M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1067MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.2V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 178-VFBGA 공급자 장치 패키지: 178-FBGA (11.5x11)	재고 있음5,454
MT52L512M32D2PF-093 WT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 16G 1067MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 16Gb (512M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1067MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.2V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 178-VFBGA 공급자 장치 패키지: 178-FBGA (11.5x11)	재고 있음2,628
MT52L512M32D2PF-093 WT ES:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 16G 1067MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 16Gb (512M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1067MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.2V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 178-VFBGA 공급자 장치 패키지: 178-FBGA (11.5x11)	재고 있음6,822
MT52L512M32D2PF-107 WT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 16G 933MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 16Gb (512M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.2V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 178-VFBGA 공급자 장치 패키지: 178-FBGA (11.5x11)	재고 있음14,879
MT52L512M32D2PF-107 WT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 16G 933MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 16Gb (512M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.2V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 178-VFBGA 공급자 장치 패키지: 178-FBGA (11.5x11)	재고 있음5,544
MT52L512M32D2PU-107 WT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 16G 933MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 16Gb (512M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.2V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,784
MT52L512M32D2PU-107 WT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 16G 933MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 16Gb (512M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.2V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,842
MT52L512M64D4GN-107 WT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 32G 933MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 32Gb (512M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.2V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 256-WFBGA 공급자 장치 패키지: 256-FBGA (14x14)	재고 있음7,344
MT52L512M64D4GN-107 WT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 32G 933MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 32Gb (512M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.2V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 256-WFBGA 공급자 장치 패키지: 256-FBGA (14x14)	재고 있음8,784
MT52L512M64D4GN-107 WT ES:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 32G 933MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 32Gb (512M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.2V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 256-WFBGA 공급자 장치 패키지: 256-FBGA (14x14)	재고 있음5,436
MT52L512M64D4PQ-093 WT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 32G 1067MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 32Gb (512M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1067MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.2V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 253-VFBGA 공급자 장치 패키지: 253-VFBGA (11x11.5)	재고 있음5,256
MT52L512M64D4PQ-093 WT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 32G 1067MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 32Gb (512M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1067MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.2V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 253-VFBGA 공급자 장치 패키지: 253-VFBGA (11x11.5)	재고 있음3,526
MT52L512M64D4PQ-107 WT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 32G 933MHZ 253VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 32Gb (512M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.2V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 253-VFBGA 공급자 장치 패키지: 253-VFBGA (11x11.5)	재고 있음4,248

MT52L256M64D2PP-093 WT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 16G 1067MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 16Gb (256M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1067MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.2V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 253-VFBGA
공급자 장치 패키지: 253-VFBGA (11x11.5)

재고 있음2,844

MT52L256M64D2PP-093 WT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 16G 1067MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 16Gb (256M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1067MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.2V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 253-VFBGA
공급자 장치 패키지: 253-VFBGA (11x11.5)

재고 있음2,340

MT52L256M64D2PP-107 WT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 16G 933MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 16Gb (256M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.2V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 253-VFBGA
공급자 장치 패키지: 253-VFBGA (11x11.5)

재고 있음6,084

MT52L256M64D2PP-107 WT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 16G 933MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 16Gb (256M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.2V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 253-VFBGA
공급자 장치 패키지: 253-VFBGA (11x11.5)

재고 있음2,934

MT52L256M64D2QA-125 XT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 16G 800MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 16Gb (256M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.2V
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,762

MT52L256M64D2QA-125 XT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM LPDDR3 16G FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,418

MT52L256M64D2QA-125 XT ES:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 16G 800MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 16Gb (256M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.2V
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,444

MT52L256M64D2QB-125 XT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 16G 800MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 16Gb (256M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.2V
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,408

MT52L256M64D2QB-125 XT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM LPDDR3 16G FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,466

MT52L256M64D2QB-125 XT ES:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 16G 800MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 16Gb (256M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.2V
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,402

MT52L4DAGN-DC

Micron Technology Inc.

기억

SPECIAL/CUSTOM LPDDR3

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
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패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,204

MT52L4DAGN-DC TR

Micron Technology Inc.

기억

SPECIAL/CUSTOM LPDDR3

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
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재고 있음5,886

MT52L4DAPQ-DC

Micron Technology Inc.

기억

SPECIAL/CUSTOM LPDDR3

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
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재고 있음6,336

MT52L4DAPQ-DC TR

Micron Technology Inc.

기억

SPECIAL/CUSTOM LPDDR3

제조업체: Micron Technology Inc.
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재고 있음7,236

MT52L4DBPG-DC

Micron Technology Inc.

기억

SPECIAL/CUSTOM LPDDR3

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
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메모리 인터페이스: -
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공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,668

MT52L4DBPG-DC TR

Micron Technology Inc.

기억

SPECIAL/CUSTOM LPDDR3

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,982

MT52L512M16D1PF-093 WT ES:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G 1067MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 8Gb (512M x 16)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1067MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.2V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,428

MT52L512M32D2PF-093 WT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 16G 1067MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 16Gb (512M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1067MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.2V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 178-VFBGA
공급자 장치 패키지: 178-FBGA (11.5x11)

재고 있음5,454

MT52L512M32D2PF-093 WT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 16G 1067MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 16Gb (512M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1067MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.2V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 178-VFBGA
공급자 장치 패키지: 178-FBGA (11.5x11)

재고 있음2,628

MT52L512M32D2PF-093 WT ES:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 16G 1067MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 16Gb (512M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1067MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.2V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 178-VFBGA
공급자 장치 패키지: 178-FBGA (11.5x11)

재고 있음6,822

MT52L512M32D2PF-107 WT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 16G 933MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 16Gb (512M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.2V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 178-VFBGA
공급자 장치 패키지: 178-FBGA (11.5x11)

재고 있음14,879

MT52L512M32D2PF-107 WT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 16G 933MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 16Gb (512M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.2V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 178-VFBGA
공급자 장치 패키지: 178-FBGA (11.5x11)

재고 있음5,544

MT52L512M32D2PU-107 WT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 16G 933MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 16Gb (512M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.2V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,784

MT52L512M32D2PU-107 WT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 16G 933MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 16Gb (512M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.2V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,842

MT52L512M64D4GN-107 WT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 32G 933MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 32Gb (512M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.2V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 256-WFBGA
공급자 장치 패키지: 256-FBGA (14x14)

재고 있음7,344

MT52L512M64D4GN-107 WT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 32G 933MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 32Gb (512M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.2V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 256-WFBGA
공급자 장치 패키지: 256-FBGA (14x14)

재고 있음8,784

MT52L512M64D4GN-107 WT ES:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 32G 933MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 32Gb (512M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.2V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 256-WFBGA
공급자 장치 패키지: 256-FBGA (14x14)

재고 있음5,436

MT52L512M64D4PQ-093 WT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 32G 1067MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 32Gb (512M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1067MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.2V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 253-VFBGA
공급자 장치 패키지: 253-VFBGA (11x11.5)

재고 있음5,256

MT52L512M64D4PQ-093 WT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 32G 1067MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 32Gb (512M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1067MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.2V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 253-VFBGA
공급자 장치 패키지: 253-VFBGA (11x11.5)

재고 있음3,526

MT52L512M64D4PQ-107 WT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 32G 933MHZ 253VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 32Gb (512M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.2V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 253-VFBGA
공급자 장치 패키지: 253-VFBGA (11x11.5)

재고 있음4,248

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