메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
MT52L512M64D4PQ-107 WT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 32G 933MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 32Gb (512M x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.2V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 253-VFBGA 공급자 장치 패키지: 253-VFBGA (11x11.5)	재고 있음8,082
MT52L768M32D3PU-107 WT:B Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 24G 933MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 24Gb (768M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.2V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-WFBGA 공급자 장치 패키지: 168-FBGA (12x12)	재고 있음6,930
MT52L768M32D3PU-107 WT:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 24G 933MHZ 168WFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 24Gb (768M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.2V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-WFBGA 공급자 장치 패키지: 168-FBGA (12x12)	재고 있음6,066
MT52L768M32D3PU-107 WT ES:B TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 24G 933MHZ 168WFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 24Gb (768M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 933MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.2V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-WFBGA 공급자 장치 패키지: 168-FBGA (12x12)	재고 있음9,419
MT52L8DBQC-DC Micron Technology Inc.	기억 SPECIAL/CUSTOM LPDDR3 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,984
MT53B1024M32D4NQ-053 WT:C Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 32Gb (1G x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1866MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-VFBGA 공급자 장치 패키지: 200-VFBGA (10x14.5)	재고 있음5,508
MT53B1024M32D4NQ-053 WT:C TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 32Gb (1G x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1866MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-VFBGA 공급자 장치 패키지: 200-VFBGA (10x14.5)	재고 있음4,806
MT53B1024M32D4NQ-062 WT:C Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 32Gb (1G x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-VFBGA 공급자 장치 패키지: 200-VFBGA (10x14.5)	재고 있음8,190
MT53B1024M32D4NQ-062 WT:C TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 32Gb (1G x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-VFBGA 공급자 장치 패키지: 200-VFBGA (10x14.5)	재고 있음6,552
MT53B1024M32D4NQ-062 WT ES:C Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 32Gb (1G x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-VFBGA 공급자 장치 패키지: 200-VFBGA (10x14.5)	재고 있음4,104
MT53B1024M32D4NQ-062 WT ES:C TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 32Gb (1G x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-VFBGA 공급자 장치 패키지: 200-VFBGA (10x14.5)	재고 있음4,482
MT53B1024M64D8PM-062 WT:D Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 64G 1600MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 64Gb (1G x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,230
MT53B1024M64D8PM-062 WT:D TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 64G 1600MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 64Gb (1G x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,312
MT53B1024M64D8WF-062 WT:D Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 64G 1600MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 64Gb (1G x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,462
MT53B1024M64D8WF-062 WT ES:D Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 64G 1600MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 64Gb (1G x 64) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,010
MT53B128M32D1DS-053 AUT:A Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G 1866MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 4Gb (128M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1866MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: 200-WFBGA 공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)	재고 있음3,816
MT53B128M32D1DS-053 AUT:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G 1866MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 4Gb (128M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1866MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TC) 장착 유형: - 패키지 / 케이스: 200-WFBGA 공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)	재고 있음6,084
MT53B128M32D1DS-062 AAT:A Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G 1600MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 4Gb (128M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-WFBGA 공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)	재고 있음13,938
MT53B128M32D1DS-062 AAT:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G 1600MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 4Gb (128M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-WFBGA 공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)	재고 있음2,970
MT53B128M32D1DS-062 AIT:A Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G 1600MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 4Gb (128M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-WFBGA 공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)	재고 있음10,476
MT53B128M32D1DS-062 AIT:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G 1600MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 4Gb (128M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-WFBGA 공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)	재고 있음2,646
MT53B128M32D1DS-062 AUT:A Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G 1600MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 4Gb (128M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-WFBGA 공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)	재고 있음3,582
MT53B128M32D1DS-062 AUT:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G 1600MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 4Gb (128M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-WFBGA 공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)	재고 있음4,266
MT53B128M32D1DS-062 IT:A Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM LPDDR4 4G FBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 4Gb (128M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1.6GHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,222
MT53B128M32D1NP-062 AAT:A Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G 1600MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 4Gb (128M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-WFBGA 공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)	재고 있음6,714
MT53B128M32D1NP-062 AAT:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G 1600MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 4Gb (128M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-WFBGA 공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)	재고 있음5,292
MT53B128M32D1NP-062 AIT:A Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G 1600MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 4Gb (128M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-WFBGA 공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)	재고 있음8,604
MT53B128M32D1NP-062 AIT:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G 1600MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 4Gb (128M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-WFBGA 공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)	재고 있음7,956
MT53B128M32D1NP-062 AUT:A Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G 1600MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 4Gb (128M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-WFBGA 공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)	재고 있음8,010
MT53B128M32D1NP-062 AUT:A TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 4G 1600MHZ 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR4 메모리 크기: 4Gb (128M x 32) 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: 1600MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.1V 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 200-WFBGA 공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)	재고 있음5,364

MT52L512M64D4PQ-107 WT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 32G 933MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 32Gb (512M x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.2V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 253-VFBGA
공급자 장치 패키지: 253-VFBGA (11x11.5)

재고 있음8,082

MT52L768M32D3PU-107 WT:B

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 24G 933MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 24Gb (768M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.2V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-WFBGA
공급자 장치 패키지: 168-FBGA (12x12)

재고 있음6,930

MT52L768M32D3PU-107 WT:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 24G 933MHZ 168WFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 24Gb (768M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.2V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-WFBGA
공급자 장치 패키지: 168-FBGA (12x12)

재고 있음6,066

MT52L768M32D3PU-107 WT ES:B TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 24G 933MHZ 168WFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 24Gb (768M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 933MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.2V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-WFBGA
공급자 장치 패키지: 168-FBGA (12x12)

재고 있음9,419

MT52L8DBQC-DC

Micron Technology Inc.

기억

SPECIAL/CUSTOM LPDDR3

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,984

MT53B1024M32D4NQ-053 WT:C

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 32Gb (1G x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1866MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 200-VFBGA
공급자 장치 패키지: 200-VFBGA (10x14.5)

재고 있음5,508

MT53B1024M32D4NQ-053 WT:C TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 32Gb (1G x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1866MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 200-VFBGA
공급자 장치 패키지: 200-VFBGA (10x14.5)

재고 있음4,806

MT53B1024M32D4NQ-062 WT:C

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 32Gb (1G x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 200-VFBGA
공급자 장치 패키지: 200-VFBGA (10x14.5)

재고 있음8,190

MT53B1024M32D4NQ-062 WT:C TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 32Gb (1G x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 200-VFBGA
공급자 장치 패키지: 200-VFBGA (10x14.5)

재고 있음6,552

MT53B1024M32D4NQ-062 WT ES:C

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 32Gb (1G x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 200-VFBGA
공급자 장치 패키지: 200-VFBGA (10x14.5)

재고 있음4,104

MT53B1024M32D4NQ-062 WT ES:C TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 32G 1600MHZ FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 32Gb (1G x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 200-VFBGA
공급자 장치 패키지: 200-VFBGA (10x14.5)

재고 있음4,482

MT53B1024M64D8PM-062 WT:D

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 64G 1600MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 64Gb (1G x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,230

MT53B1024M64D8PM-062 WT:D TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 64G 1600MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 64Gb (1G x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: -
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공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,312

MT53B1024M64D8WF-062 WT:D

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 64G 1600MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 64Gb (1G x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: -
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재고 있음6,462

MT53B1024M64D8WF-062 WT ES:D

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 64G 1600MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 64Gb (1G x 64)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,010

MT53B128M32D1DS-053 AUT:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G 1866MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 4Gb (128M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1866MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -40°C ~ 125°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: 200-WFBGA
공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)

재고 있음3,816

MT53B128M32D1DS-053 AUT:A TR

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 4G 1866MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 4Gb (128M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1866MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -40°C ~ 125°C (TC)
장착 유형: -
패키지 / 케이스: 200-WFBGA
공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)

재고 있음6,084

MT53B128M32D1DS-062 AAT:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G 1600MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 4Gb (128M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 200-WFBGA
공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)

재고 있음13,938

MT53B128M32D1DS-062 AAT:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G 1600MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 4Gb (128M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 200-WFBGA
공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)

재고 있음2,970

MT53B128M32D1DS-062 AIT:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G 1600MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 4Gb (128M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 200-WFBGA
공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)

재고 있음10,476

MT53B128M32D1DS-062 AIT:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G 1600MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 4Gb (128M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 200-WFBGA
공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)

재고 있음2,646

MT53B128M32D1DS-062 AUT:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G 1600MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 4Gb (128M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -40°C ~ 125°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 200-WFBGA
공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)

재고 있음3,582

MT53B128M32D1DS-062 AUT:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G 1600MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 4Gb (128M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -40°C ~ 125°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 200-WFBGA
공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)

재고 있음4,266

MT53B128M32D1DS-062 IT:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM LPDDR4 4G FBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 4Gb (128M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1.6GHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,222

MT53B128M32D1NP-062 AAT:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G 1600MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 4Gb (128M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 200-WFBGA
공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)

재고 있음6,714

MT53B128M32D1NP-062 AAT:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G 1600MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 4Gb (128M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 200-WFBGA
공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)

재고 있음5,292

MT53B128M32D1NP-062 AIT:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G 1600MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 4Gb (128M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 200-WFBGA
공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)

재고 있음8,604

MT53B128M32D1NP-062 AIT:A TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G 1600MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 4Gb (128M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 200-WFBGA
공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)

재고 있음7,956

MT53B128M32D1NP-062 AUT:A

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 4G 1600MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 4Gb (128M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -40°C ~ 125°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 200-WFBGA
공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)

재고 있음8,010

MT53B128M32D1NP-062 AUT:A TR

Micron Technology Inc.

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IC DRAM 4G 1600MHZ

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR4
메모리 크기: 4Gb (128M x 32)
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: 1600MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.1V
작동 온도: -40°C ~ 125°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 200-WFBGA
공급자 장치 패키지: 200-WFBGA (10x14.5)

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