다이오드 및 정류기

부품 번호	설명	재고 있음
MURTA400120 GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 200A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 2.6V @ 200A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 1200V 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Three Tower 공급자 장치 패키지: Three Tower	재고 있음8,514
MURTA400120R GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Anode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 200A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 2.6V @ 200A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 1200V 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Three Tower 공급자 장치 패키지: Three Tower	재고 있음5,940
MURTA40020 GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE GEN PURP 200V 200A 3 TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 200A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 200A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 200V 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Three Tower 공급자 장치 패키지: Three Tower	재고 있음8,820
MURTA40020R GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE GEN PURP 200V 200A 3 TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Anode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 200A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 200A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 200V 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Three Tower 공급자 장치 패키지: Three Tower	재고 있음7,452
MURTA40040 GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE GEN PURP 400V 200A 3 TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 200A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 200A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 400V 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Three Tower 공급자 장치 패키지: Three Tower	재고 있음4,590
MURTA40040R GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE GEN PURP 400V 200A 3 TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Anode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 200A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 200A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 400V 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Three Tower 공급자 장치 패키지: Three Tower	재고 있음8,694
MURTA40060 GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 200A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 200A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 600V 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Three Tower 공급자 장치 패키지: Three Tower	재고 있음4,068
MURTA40060R GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Anode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 200A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 200A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 600V 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Three Tower 공급자 장치 패키지: Three Tower	재고 있음6,552
MURTA500120 GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE GEN 1.2KV 250A 3 TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 250A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 2.6V @ 250A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 1200V 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Three Tower 공급자 장치 패키지: Three Tower	재고 있음5,472
MURTA500120R GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE GEN 1.2KV 250A 3 TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Anode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 250A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 2.6V @ 250A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 1200V 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Three Tower 공급자 장치 패키지: Three Tower	재고 있음3,744
MURTA50020 GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE MODULE 200V 500A 3TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 500A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 250A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 150ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V 작동 온도-접합: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Three Tower 공급자 장치 패키지: Three Tower	재고 있음3,024
MURTA50020R GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE MODULE 200V 500A 3TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Anode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 500A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 250A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 150ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V 작동 온도-접합: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Three Tower 공급자 장치 패키지: Three Tower	재고 있음8,658
MURTA50040 GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE MODULE 400V 500A 3TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 500A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.5V @ 250A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 150ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V 작동 온도-접합: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Three Tower 공급자 장치 패키지: Three Tower	재고 있음3,186
MURTA50040R GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE MODULE 400V 500A 3TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Anode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 500A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.5V @ 250A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 150ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V 작동 온도-접합: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Three Tower 공급자 장치 패키지: Three Tower	재고 있음3,418
MURTA50060 GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE MODULE 600V 500A 3TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 500A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 250A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 250ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V 작동 온도-접합: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Three Tower 공급자 장치 패키지: Three Tower	재고 있음7,920
MURTA50060R GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE MODULE 600V 500A 3TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Anode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 500A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 250A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 250ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V 작동 온도-접합: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Three Tower 공급자 장치 패키지: Three Tower	재고 있음5,220
MURTA600120 GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE GEN 1.2KV 300A 3 TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 300A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 2.6V @ 300A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 1200V 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Three Tower 공급자 장치 패키지: Three Tower	재고 있음7,380
MURTA600120R GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE GEN 1.2KV 300A 3 TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Anode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 300A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 2.6V @ 300A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 1200V 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Three Tower 공급자 장치 패키지: Three Tower	재고 있음2,916
MURTA60020 GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE MODULE 200V 600A 3TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 600A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 300A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 200ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V 작동 온도-접합: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Three Tower 공급자 장치 패키지: Three Tower	재고 있음3,186
MURTA60020R GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE MODULE 200V 600A 3TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Anode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 600A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 300A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 200ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V 작동 온도-접합: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Three Tower 공급자 장치 패키지: Three Tower	재고 있음7,020
MURTA60040 GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE MODULE 400V 600A 3TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 600A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.5V @ 300A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 220ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V 작동 온도-접합: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Three Tower 공급자 장치 패키지: Three Tower	재고 있음2,700
MURTA60040R GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE MODULE 400V 600A 3TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Anode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 600A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.5V @ 300A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 220ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V 작동 온도-접합: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Three Tower 공급자 장치 패키지: Three Tower	재고 있음4,374
MURTA60060 GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE MODULE 600V 600A 3TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 600A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 300A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 280ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V 작동 온도-접합: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Three Tower 공급자 장치 패키지: Three Tower	재고 있음8,838
MURTA60060R GeneSiC Semiconductor	정류기-배열 DIODE MODULE 600V 600A 3TOWER 제조업체: GeneSiC Semiconductor 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Common Anode 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 600A (DC) 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 300A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 280ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V 작동 온도-접합: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: Three Tower 공급자 장치 패키지: Three Tower	재고 있음4,104
ND104N08KHPSA1 Infineon Technologies	정류기-배열 DIODE MOD POWERBLOCK PB20-1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 다이오드 구성: - 다이오드 유형: - 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): - 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): - 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: - 속도: - 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: - 작동 온도-접합: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,456
ND175N34KHPSA1 Infineon Technologies	정류기-배열 DIODE MOD POWERBLOCK PB50ND-1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 다이오드 구성: - 다이오드 유형: - 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): - 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): - 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: - 속도: - 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: - 작동 온도-접합: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,200
ND410635 Powerex Inc.	정류기-배열 DIODE MODULE DUAL 제조업체: Powerex Inc. 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Series Connection 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 350A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 1000A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 10µs 전류-역방향 누설 @ Vr: 30mA @ 600V 작동 온도-접합: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: POW-R-BLOK™ Module 공급자 장치 패키지: POW-R-BLOK™ Module	재고 있음7,092
ND410826 Powerex Inc.	정류기-배열 DIODE MODULE 800V 260A POWRBLOK 제조업체: Powerex Inc. 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Series Connection 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 260A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.35V @ 1500A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 50mA @ 800V 작동 온도-접합: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: POW-R-BLOK™ Module 공급자 장치 패키지: POW-R-BLOK™ Module	재고 있음3,150
ND410835 Powerex Inc.	정류기-배열 DIODE MODULE DUAL 제조업체: Powerex Inc. 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Series Connection 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 350A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 1000A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 10µs 전류-역방향 누설 @ Vr: 30mA @ 800V 작동 온도-접합: -40°C ~ 150°C 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: POW-R-BLOK™ Module 공급자 장치 패키지: POW-R-BLOK™ Module	재고 있음3,598
ND411226 Powerex Inc.	정류기-배열 DIODE MODULE 1.2KV 260A POWRBLOK 제조업체: Powerex Inc. 시리즈: - 다이오드 구성: 1 Pair Series Connection 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 260A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.35V @ 1500A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: 50mA @ 1200V 작동 온도-접합: - 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: POW-R-BLOK™ Module 공급자 장치 패키지: POW-R-BLOK™ Module	재고 있음5,778

MURTA400120

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 200A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 2.6V @ 200A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 1200V
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Three Tower
공급자 장치 패키지: Three Tower

재고 있음8,514

MURTA400120R

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Anode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 200A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 2.6V @ 200A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 1200V
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Three Tower
공급자 장치 패키지: Three Tower

재고 있음5,940

MURTA40020

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE GEN PURP 200V 200A 3 TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 200A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 200A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 200V
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Three Tower
공급자 장치 패키지: Three Tower

재고 있음8,820

MURTA40020R

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE GEN PURP 200V 200A 3 TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Anode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 200A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 200A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 200V
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Three Tower
공급자 장치 패키지: Three Tower

재고 있음7,452

MURTA40040

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE GEN PURP 400V 200A 3 TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 200A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 200A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 400V
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Three Tower
공급자 장치 패키지: Three Tower

재고 있음4,590

MURTA40040R

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE GEN PURP 400V 200A 3 TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Anode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 200A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 200A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 400V
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Three Tower
공급자 장치 패키지: Three Tower

재고 있음8,694

MURTA40060

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 200A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 200A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 600V
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Three Tower
공급자 장치 패키지: Three Tower

재고 있음4,068

MURTA40060R

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Anode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 200A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 200A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 600V
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Three Tower
공급자 장치 패키지: Three Tower

재고 있음6,552

MURTA500120

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE GEN 1.2KV 250A 3 TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 250A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 2.6V @ 250A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 1200V
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Three Tower
공급자 장치 패키지: Three Tower

재고 있음5,472

MURTA500120R

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE GEN 1.2KV 250A 3 TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Anode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 250A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 2.6V @ 250A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 1200V
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Three Tower
공급자 장치 패키지: Three Tower

재고 있음3,744

MURTA50020

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 200V 500A 3TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 500A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 250A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 150ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V
작동 온도-접합: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Three Tower
공급자 장치 패키지: Three Tower

재고 있음3,024

MURTA50020R

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 200V 500A 3TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Anode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 500A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 250A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 150ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V
작동 온도-접합: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Three Tower
공급자 장치 패키지: Three Tower

재고 있음8,658

MURTA50040

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 400V 500A 3TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 500A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.5V @ 250A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 150ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V
작동 온도-접합: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Three Tower
공급자 장치 패키지: Three Tower

재고 있음3,186

MURTA50040R

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 400V 500A 3TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Anode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 500A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.5V @ 250A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 150ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V
작동 온도-접합: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Three Tower
공급자 장치 패키지: Three Tower

재고 있음3,418

MURTA50060

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 600V 500A 3TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 500A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 250A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 250ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V
작동 온도-접합: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Three Tower
공급자 장치 패키지: Three Tower

재고 있음7,920

MURTA50060R

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 600V 500A 3TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Anode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 500A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 250A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 250ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V
작동 온도-접합: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Three Tower
공급자 장치 패키지: Three Tower

재고 있음5,220

MURTA600120

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE GEN 1.2KV 300A 3 TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 300A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 2.6V @ 300A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 1200V
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Three Tower
공급자 장치 패키지: Three Tower

재고 있음7,380

MURTA600120R

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE GEN 1.2KV 300A 3 TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Anode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 300A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 2.6V @ 300A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 1200V
작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Three Tower
공급자 장치 패키지: Three Tower

재고 있음2,916

MURTA60020

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 200V 600A 3TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 600A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 300A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 200ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V
작동 온도-접합: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Three Tower
공급자 장치 패키지: Three Tower

재고 있음3,186

MURTA60020R

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 200V 600A 3TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Anode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 600A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 300A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 200ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V
작동 온도-접합: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Three Tower
공급자 장치 패키지: Three Tower

재고 있음7,020

MURTA60040

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 400V 600A 3TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 600A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.5V @ 300A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 220ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V
작동 온도-접합: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Three Tower
공급자 장치 패키지: Three Tower

재고 있음2,700

MURTA60040R

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 400V 600A 3TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Anode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 600A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.5V @ 300A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 220ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V
작동 온도-접합: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Three Tower
공급자 장치 패키지: Three Tower

재고 있음4,374

MURTA60060

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 600V 600A 3TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 600A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 300A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 280ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V
작동 온도-접합: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Three Tower
공급자 장치 패키지: Three Tower

재고 있음8,838

MURTA60060R

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 600V 600A 3TOWER

제조업체: GeneSiC Semiconductor
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Common Anode
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 600A (DC)
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 300A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 280ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V
작동 온도-접합: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: Three Tower
공급자 장치 패키지: Three Tower

재고 있음4,104

ND104N08KHPSA1

Infineon Technologies

정류기-배열

DIODE MOD POWERBLOCK PB20-1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
다이오드 구성: -
다이오드 유형: -
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): -
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): -
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: -
속도: -
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: -
작동 온도-접합: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,456

ND175N34KHPSA1

Infineon Technologies

정류기-배열

DIODE MOD POWERBLOCK PB50ND-1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
다이오드 구성: -
다이오드 유형: -
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): -
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): -
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: -
속도: -
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: -
작동 온도-접합: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,200

ND410635

Powerex Inc.

정류기-배열

DIODE MODULE DUAL

제조업체: Powerex Inc.
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Series Connection
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 350A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 1000A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 10µs
전류-역방향 누설 @ Vr: 30mA @ 600V
작동 온도-접합: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: POW-R-BLOK™ Module
공급자 장치 패키지: POW-R-BLOK™ Module

재고 있음7,092

ND410826

Powerex Inc.

정류기-배열

DIODE MODULE 800V 260A POWRBLOK

제조업체: Powerex Inc.
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Series Connection
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 260A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.35V @ 1500A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 50mA @ 800V
작동 온도-접합: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: POW-R-BLOK™ Module
공급자 장치 패키지: POW-R-BLOK™ Module

재고 있음3,150

ND410835

Powerex Inc.

정류기-배열

DIODE MODULE DUAL

제조업체: Powerex Inc.
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Series Connection
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 350A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 1000A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 10µs
전류-역방향 누설 @ Vr: 30mA @ 800V
작동 온도-접합: -40°C ~ 150°C
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: POW-R-BLOK™ Module
공급자 장치 패키지: POW-R-BLOK™ Module

재고 있음3,598

ND411226

Powerex Inc.

정류기-배열

DIODE MODULE 1.2KV 260A POWRBLOK

제조업체: Powerex Inc.
시리즈: -
다이오드 구성: 1 Pair Series Connection
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 260A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.35V @ 1500A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: 50mA @ 1200V
작동 온도-접합: -
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: POW-R-BLOK™ Module
공급자 장치 패키지: POW-R-BLOK™ Module

재고 있음5,778

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