다이오드 및 정류기

MURT30040

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 400V 300A 3TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 300A (DC)
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.35V @ 150A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): 150ns
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V
• 작동 온도-접합: -
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Three Tower
• 공급자 장치 패키지: Three Tower

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MURT30040R

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 400V 300A 3TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Common Anode
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 300A (DC)
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.35V @ 150A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): 150ns
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V
• 작동 온도-접합: -
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Three Tower
• 공급자 장치 패키지: Three Tower

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MURT30060

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 600V 300A 3TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 300A (DC)
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 150A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): 200ns
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V
• 작동 온도-접합: -
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Three Tower
• 공급자 장치 패키지: Three Tower

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MURT30060R

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 600V 300A 3TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Common Anode
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 300A (DC)
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 150A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): 200ns
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V
• 작동 온도-접합: -
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Three Tower
• 공급자 장치 패키지: Three Tower

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MURT40005

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 50V 400A 3TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 50V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 400A (DC)
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 200A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): 125ns
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V
• 작동 온도-접합: -
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Three Tower
• 공급자 장치 패키지: Three Tower

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MURT40005R

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 50V 400A 3TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Common Anode
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 50V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 400A (DC)
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 200A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): 125ns
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V
• 작동 온도-접합: -
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Three Tower
• 공급자 장치 패키지: Three Tower

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MURT40010

GeneSiC Semiconductor

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DIODE MODULE 100V 400A 3TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 100V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 400A (DC)
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 200A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): 125ns
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V
• 작동 온도-접합: -
• 장착 유형: Chassis Mount
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MURT40010R

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 100V 400A 3TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Common Anode
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 100V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 400A (DC)
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 200A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): 125ns
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V
• 작동 온도-접합: -
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Three Tower
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MURT40020

GeneSiC Semiconductor

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DIODE MODULE 200V 400A 3TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 400A (DC)
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 200A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): 125ns
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V
• 작동 온도-접합: -
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MURT40020R

GeneSiC Semiconductor

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DIODE MODULE 200V 400A 3TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Common Anode
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 400A (DC)
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 200A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): 125ns
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V
• 작동 온도-접합: -
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Three Tower
• 공급자 장치 패키지: Three Tower

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MURT40040

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 400V 400A 3TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 400A (DC)
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.35V @ 200A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): 180ns
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Three Tower
• 공급자 장치 패키지: Three Tower

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MURT40040R

GeneSiC Semiconductor

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DIODE MODULE 400V 400A 3TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Common Anode
• 다이오드 유형: Standard, Reverse Polarity
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 200A (DC)
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.35V @ 200A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): 180ns
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Three Tower
• 공급자 장치 패키지: Three Tower

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MURT40060

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 600V 400A 3TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 400A (DC)
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 200A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): 240ns
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V
• 작동 온도-접합: -
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Three Tower
• 공급자 장치 패키지: Three Tower

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MURT40060R

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE MODULE 600V 400A 3TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Common Anode
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 400A (DC)
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 200A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): 240ns
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 50V
• 작동 온도-접합: -
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Three Tower
• 공급자 장치 패키지: Three Tower

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MURTA200120

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 100A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 2.6V @ 100A
• 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 1200V
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Three Tower
• 공급자 장치 패키지: Three Tower

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MURTA200120R

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Common Anode
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1200V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 100A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 2.6V @ 100A
• 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 1200V
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Three Tower
• 공급자 장치 패키지: Three Tower

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MURTA20020

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE GEN PURP 200V 100A 3 TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 100A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 100A
• 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 200V
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Three Tower
• 공급자 장치 패키지: Three Tower

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GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE GEN PURP 200V 100A 3 TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Common Anode
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 100A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 100A
• 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 200V
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Three Tower
• 공급자 장치 패키지: Three Tower

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MURTA20040

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE GEN PURP 400V 100A 3 TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 100A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 100A
• 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 400V
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Three Tower
• 공급자 장치 패키지: Three Tower

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MURTA20040R

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE GEN PURP 400V 100A 3 TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Common Anode
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 100A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 100A
• 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 400V
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Three Tower
• 공급자 장치 패키지: Three Tower

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GeneSiC Semiconductor

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DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 100A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 100A
• 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 600V
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Three Tower
• 공급자 장치 패키지: Three Tower

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MURTA20060R

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE GEN PURP 600V 100A 3 TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Common Anode
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 100A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 100A
• 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 600V
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Three Tower
• 공급자 장치 패키지: Three Tower

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MURTA300120

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE GEN PURP 600V 150A 3 TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 150A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 2.6V @ 150A
• 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 600V
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Three Tower
• 공급자 장치 패키지: Three Tower

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GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE GEN PURP 600V 150A 3 TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Common Anode
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 150A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 2.6V @ 150A
• 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 600V
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
• 장착 유형: Chassis Mount
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DIODE GEN PURP 200V 150A 3 TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 150A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 150A
• 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 200V
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Three Tower
• 공급자 장치 패키지: Three Tower

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DIODE GEN PURP 200V 150A 3 TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Common Anode
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 150A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 150A
• 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 200V
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
• 장착 유형: Chassis Mount
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MURTA30040

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DIODE GEN PURP 400V 150A 3 TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 150A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 150A
• 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 400V
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Three Tower
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MURTA30040R

GeneSiC Semiconductor

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DIODE GEN PURP 400V 150A 3 TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Common Anode
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 150A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 150A
• 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 400V
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Three Tower
• 공급자 장치 패키지: Three Tower

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MURTA30060

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE GEN PURP 600V 150A 3 TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 150A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 150A
• 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 600V
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Three Tower
• 공급자 장치 패키지: Three Tower

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MURTA30060R

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE GEN PURP 600V 150A 3 TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Common Anode
• 다이오드 유형: Standard
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 150A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.7V @ 150A
• 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 25µA @ 600V
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Three Tower
• 공급자 장치 패키지: Three Tower

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