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MURTA400120

MURTA400120

참조 용

부품 번호 MURTA400120
PNEDA 부품 번호 MURTA400120
설명 DIODE GEN 1.2KV 200A 3 TOWER
제조업체 GeneSiC Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 8,514
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 11월 3 - 11월 8 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

MURTA400120 리소스

브랜드 GeneSiC Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호MURTA400120
분류반도체다이오드 및 정류기정류기-배열
데이터 시트
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MURTA400120 사양

제조업체GeneSiC Semiconductor
시리즈-
다이오드 구성1 Pair Common Cathode
다이오드 유형Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대)1200V
전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)200A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If2.6V @ 200A
속도Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr)-
전류-역방향 누설 @ Vr25µA @ 1200V
작동 온도-접합-55°C ~ 150°C
장착 유형Chassis Mount
패키지 / 케이스Three Tower
공급자 장치 패키지Three Tower

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Infineon Technologies

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다이오드 구성

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다이오드 유형

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전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

-

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

-

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

-

속도

-

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

-

작동 온도-접합

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

GB20SLT12-247D

GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Silicon Carbide Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

1200V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

25A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.8V @ 10A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

50µA @ 1200V

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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Vishay Semiconductor Diodes Division

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

100V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

15A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

860mV @ 15A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

550µA @ 100V

작동 온도-접합

-55°C ~ 175°C

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

공급자 장치 패키지

D2PAK

STTH60AC06CWL

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제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Cathode

다이오드 유형

Standard

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

600V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

30A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

1.75V @ 30A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

70ns

전류-역방향 누설 @ Vr

10µA @ 600V

작동 온도-접합

175°C (Max)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

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GeneSiC Semiconductor

제조업체

GeneSiC Semiconductor

시리즈

-

다이오드 구성

1 Pair Common Anode

다이오드 유형

Schottky

전압-DC 역방향 (Vr) (최대)

35V

전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당)

150A

전압-순방향 (Vf) (최대) @ If

600mV @ 150A

속도

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

역 복구 시간 (trr)

-

전류-역방향 누설 @ Vr

3mA @ 35V

작동 온도-접합

-55°C ~ 150°C

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

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