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6116LA70DB

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP

• 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Volatile
• 메모리 포맷: SRAM
• 기술: SRAM - Asynchronous
• 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
• 접근 시간: 70ns
• 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
• 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: 24-CDIP (0.600", 15.24mm)
• 공급자 장치 패키지: 24-CDIP

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6116LA45TDB

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP

• 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Volatile
• 메모리 포맷: SRAM
• 기술: SRAM - Asynchronous
• 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 45ns
• 접근 시간: 45ns
• 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
• 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: 24-CDIP (0.300", 7.62mm)
• 공급자 장치 패키지: 24-CDIP

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6116LA35TDB

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP

• 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Volatile
• 메모리 포맷: SRAM
• 기술: SRAM - Asynchronous
• 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 35ns
• 접근 시간: 35ns
• 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
• 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: 24-CDIP (0.300", 7.62mm)
• 공급자 장치 패키지: 24-CDIP

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6116LA150DB

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 24CDIP

• 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Volatile
• 메모리 포맷: SRAM
• 기술: SRAM - Asynchronous
• 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 150ns
• 접근 시간: 150ns
• 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
• 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: 24-CDIP (0.600", 15.24mm)
• 공급자 장치 패키지: 24-CDIP

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MTFC4GMWDQ-3M AIT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 32G MMC 100LBGA

• 제조업체: Micron Technology Inc.
• 시리즈: e•MMC™
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND
• 메모리 크기: 32Gb (4G x 8)
• 메모리 인터페이스: MMC
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
• 접근 시간: -
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 100-LBGA
• 공급자 장치 패키지: 100-LBGA (14x18)

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MT25QL01GBBB8E12-0AUT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G SPI 133MHZ 24TPBGA

• 제조업체: Micron Technology Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q100
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NOR
• 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
• 메모리 인터페이스: SPI
• 시계 주파수: 133MHz
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 8ms, 2.8ms
• 접근 시간: -
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 24-TBGA
• 공급자 장치 패키지: 24-T-PBGA (6x8)

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71V65903S80PFG8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

• 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Volatile
• 메모리 포맷: SRAM
• 기술: SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
• 메모리 크기: 9Mb (512K x 18)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
• 접근 시간: 8ns
• 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
• 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 100-LQFP
• 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)

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MT28EW01GABA1LJS-0AAT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 56TSOP

• 제조업체: Micron Technology Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q100
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NOR
• 메모리 크기: 1Gb (128M x 8, 64M x 16)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
• 접근 시간: 105ns
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 56-TSOP

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MT28FW01GABA1LPC-0AAT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G PARALLEL 64LBGA

• 제조업체: Micron Technology Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q100
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NOR
• 메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
• 접근 시간: 105ns
• 전압-공급: 1.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 64-LBGA
• 공급자 장치 패키지: 64-LBGA (11x13)

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MTFC4GLGDQ-AIT Z

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 32G MMC 100LBGA

• 제조업체: Micron Technology Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND
• 메모리 크기: 32Gb (4G x 8)
• 메모리 인터페이스: MMC
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
• 접근 시간: -
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 100-LBGA
• 공급자 장치 패키지: 100-LBGA (14x18)

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MT25QU01GBBB1EW9-0SIT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 1G SPI 133MHZ 8WPDFN

• 제조업체: Micron Technology Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NOR
• 메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
• 메모리 인터페이스: SPI
• 시계 주파수: 133MHz
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 8ms, 2.8ms
• 접근 시간: -
• 전압-공급: 1.7V ~ 2V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad
• 공급자 장치 패키지: 8-WPDFN (6x8) (MLP8)

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IS21ES04G-JCLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC FLASH 32GBIT EMMC 153VFBGA

• 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND (MLC)
• 메모리 크기: 32Gb (4G x 8)
• 메모리 인터페이스: eMMC
• 시계 주파수: 200MHz
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
• 접근 시간: -
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 153-VFBGA
• 공급자 장치 패키지: 153-VFBGA (11.5x13)

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X28HC64JIZ-90

Renesas Electronics America Inc.

기억

IC EEPROM 64K PARALLEL 32PLCC

• 제조업체: Renesas Electronics America Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: EEPROM
• 기술: EEPROM
• 메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
• 접근 시간: 90ns
• 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 32-LCC (J-Lead)
• 공급자 장치 패키지: 32-PLCC (11.43x13.97)

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CY7C1061G30-10BV1XI

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 16M PARALLEL 48VFBGA

• 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Volatile
• 메모리 포맷: SRAM
• 기술: SRAM - Asynchronous
• 메모리 크기: 16Mb (1M x 16)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
• 접근 시간: 10ns
• 전압-공급: 2.2V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 48-VFBGA
• 공급자 장치 패키지: 48-VFBGA (6x8)

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MT48LC8M16A2B4-6A IT:L

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

• 제조업체: Micron Technology Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Volatile
• 메모리 포맷: DRAM
• 기술: SDRAM
• 메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: 167MHz
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
• 접근 시간: 5.4ns
• 전압-공급: 3V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 54-VFBGA
• 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)

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MT48LC8M16A2B4-6A IT:L TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA

• 제조업체: Micron Technology Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Volatile
• 메모리 포맷: DRAM
• 기술: SDRAM
• 메모리 크기: 128Mb (8M x 16)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: 167MHz
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
• 접근 시간: 5.4ns
• 전압-공급: 3V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 54-VFBGA
• 공급자 장치 패키지: 54-VFBGA (8x8)

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MT25QL512ABB8E12-0AAT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 512M SPI 24TPBGA

• 제조업체: Micron Technology Inc.
• 시리즈: Automotive, AEC-Q100
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NOR
• 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
• 메모리 인터페이스: SPI
• 시계 주파수: 133MHz
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 8ms, 2.8ms
• 접근 시간: -
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 24-TBGA
• 공급자 장치 패키지: 24-T-PBGA (6x8)

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S29GL256S90TFI023

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH 256M PARALLEL 56TSOP

• 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
• 시리즈: GL-S
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NOR
• 메모리 크기: 256Mb (16M x 16)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 60ns
• 접근 시간: 90ns
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 56-TSOP

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MT25QL512ABB8E12-0SIT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 512M SPI 24TPBGA

• 제조업체: Micron Technology Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NOR
• 메모리 크기: 512Mb (64M x 8)
• 메모리 인터페이스: SPI
• 시계 주파수: 133MHz
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 8ms, 2.8ms
• 접근 시간: -
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 24-TBGA
• 공급자 장치 패키지: 24-T-PBGA (6x8)

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MX29GL256FLXFI-90Q

Macronix

기억

IC FLASH 256M PARALLEL 64LFBGA

• 제조업체: Macronix
• 시리즈: MX29GL
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NOR
• 메모리 크기: 256Mb (32M x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 90ns
• 접근 시간: 90ns
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 64-LBGA, CSPBGA
• 공급자 장치 패키지: 64-LFBGA, CSP (11x13)

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MT25QL128ABA1ESE-0SIT

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 128M SPI 133MHZ 8SOP2

• 제조업체: Micron Technology Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NOR
• 메모리 크기: 128Mb (16M x 8)
• 메모리 인터페이스: SPI
• 시계 주파수: 133MHz
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 8ms, 2.8ms
• 접근 시간: -
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SO

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BR24T02F-WE2

Rohm Semiconductor

기억

IC EEPROM 2K I2C 400KHZ 8SOP

• 제조업체: Rohm Semiconductor
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: EEPROM
• 기술: EEPROM
• 메모리 크기: 2Kb (256 x 8)
• 메모리 인터페이스: I²C
• 시계 주파수: 400kHz
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
• 접근 시간: -
• 전압-공급: 1.6V ~ 5.5V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 8-SOP

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CY7C1392KV18-250BZXC

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 16M PARALLEL 165FBGA

• 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Volatile
• 메모리 포맷: SRAM
• 기술: SRAM - Synchronous, DDR II
• 메모리 크기: 16Mb (2M x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: 250MHz
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
• 접근 시간: -
• 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
• 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 165-LBGA
• 공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)

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DS1270Y-70#

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 16M PARALLEL 36EDIP

• 제조업체: Maxim Integrated
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: NVSRAM
• 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• 메모리 크기: 16Mb (2M x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
• 접근 시간: 70ns
• 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
• 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm)
• 공급자 장치 패키지: 36-EDIP

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71321LA20JG

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 52PLCC

• 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Volatile
• 메모리 포맷: SRAM
• 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns
• 접근 시간: 20ns
• 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
• 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 52-LCC (J-Lead)
• 공급자 장치 패키지: 52-PLCC (19.13x19.13)

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70V28L20PFGI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 1M PARALLEL 100TQFP

• 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Volatile
• 메모리 포맷: SRAM
• 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• 메모리 크기: 1Mb (64K x 16)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns
• 접근 시간: 20ns
• 전압-공급: 3V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 100-LQFP
• 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)

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70V27L20PFGI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 512K PARALLEL 100TQFP

• 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Volatile
• 메모리 포맷: SRAM
• 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• 메모리 크기: 512Kb (32K x 16)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 20ns
• 접근 시간: 20ns
• 전압-공급: 3V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 100-LQFP
• 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)

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7024L15PFG

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 64K PARALLEL 100TQFP

• 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Volatile
• 메모리 포맷: SRAM
• 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• 메모리 크기: 64Kb (4K x 16)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
• 접근 시간: 15ns
• 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
• 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 100-LQFP
• 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)

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IS21ES04G-JCLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC FLASH 32GBIT EMMC 153VFBGA

• 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND (MLC)
• 메모리 크기: 32Gb (4G x 8)
• 메모리 인터페이스: eMMC
• 시계 주파수: 200MHz
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
• 접근 시간: -
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 153-VFBGA
• 공급자 장치 패키지: 153-VFBGA (11.5x13)

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MT29F2G08ABAEAWP:E TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

• 제조업체: Micron Technology Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FLASH
• 기술: FLASH - NAND
• 메모리 크기: 2Gb (256M x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
• 접근 시간: -
• 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
• 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 48-TSOP I

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