MTFC4GMWDQ-3M AIT
참조 용
| 부품 번호 | MTFC4GMWDQ-3M AIT | ||||||||||||||||||
| PNEDA 부품 번호 | MTFC4GMWDQ-3M-AIT | ||||||||||||||||||
| 설명 | IC FLASH 32G MMC 100LBGA | ||||||||||||||||||
| 제조업체 | Micron Technology Inc. | ||||||||||||||||||
| 단가 |
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| 재고 있음 | 3,327 | ||||||||||||||||||
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
| 예상 배송 | 7월 12 - 7월 17 (신속 배송 선택) | ||||||||||||||||||
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MTFC4GMWDQ-3M AIT 리소스
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MTFC4GMWDQ-3M AIT 사양
| 제조업체 | Micron Technology Inc. |
| 시리즈 | e•MMC™ |
| 메모리 유형 | Non-Volatile |
| 메모리 포맷 | FLASH |
| 기술 | FLASH - NAND |
| 메모리 크기 | 32Gb (4G x 8) |
| 메모리 인터페이스 | MMC |
| 시계 주파수 | - |
| 쓰기주기 시간-단어, 페이지 | - |
| 접근 시간 | - |
| 전압-공급 | 2.7V ~ 3.6V |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 100-LBGA |
| 공급자 장치 패키지 | 100-LBGA (14x18) |
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제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 DRAM 기술 SDRAM - Mobile LPSDR 메모리 크기 128Mb (8M x 16) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 125MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 15ns 접근 시간 7ns 전압-공급 2.3V ~ 2.7V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 54-VFBGA 공급자 장치 패키지 54-VFBGA (8x8) |
제조업체 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 FLASH 기술 FLASH 메모리 크기 32Mb (4M x 8) 메모리 인터페이스 SPI 시계 주파수 104MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 4ms 접근 시간 - 전압-공급 2.7V ~ 3.6V 작동 온도 -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지 8-WSON (6x5) |
제조업체 Micron Technology Inc. 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 FLASH, RAM 기술 FLASH - NAND, Mobile LPDRAM 메모리 크기 1Gb (64M x 16)(NAND), 512Mb (16M x 32)(LPDRAM) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 200MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 - 전압-공급 1.7V ~ 1.95V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 137-TFBGA 공급자 장치 패키지 137-TFBGA (10.5x13) |
제조업체 ABLIC U.S.A. Inc. 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 EEPROM 기술 EEPROM 메모리 크기 16Kb (1K x 16) 메모리 인터페이스 SPI 시계 주파수 2MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 4ms 접근 시간 - 전압-공급 1.8V ~ 5.5V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOP |
