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DS1350YP-70+

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IC NVSRAM 4M PARALLEL 34PWRCAP

• 제조업체: Maxim Integrated
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: NVSRAM
• 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
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• 공급자 장치 패키지: 34-PowerCap Module

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DS1250AB-70+

Maxim Integrated

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IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP

• 제조업체: Maxim Integrated
• 시리즈: -
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• 메모리 포맷: NVSRAM
• 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
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• 패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
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DS1250Y-100IND+

Maxim Integrated

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IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP

• 제조업체: Maxim Integrated
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• 메모리 포맷: NVSRAM
• 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
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DS1250AB-100IND+

Maxim Integrated

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IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP

• 제조업체: Maxim Integrated
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• 메모리 포맷: NVSRAM
• 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
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• 패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
• 공급자 장치 패키지: 32-EDIP

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DS1250AB-100+

Maxim Integrated

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IC NVSRAM 4M PARALLEL 32EDIP

• 제조업체: Maxim Integrated
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: NVSRAM
• 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• 메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
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• 공급자 장치 패키지: 32-EDIP

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DS1249Y-70#

Maxim Integrated

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IC NVSRAM 2M PARALLEL 32EDIP

• 제조업체: Maxim Integrated
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: NVSRAM
• 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• 메모리 크기: 2Mb (256K x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
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• 접근 시간: 70ns
• 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
• 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
• 공급자 장치 패키지: 32-EDIP

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DS1245Y-85+

Maxim Integrated

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IC NVSRAM 1M PARALLEL 32EDIP

• 제조업체: Maxim Integrated
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: NVSRAM
• 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
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• 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
• 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
• 공급자 장치 패키지: 32-EDIP

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DS1245AB-70IND+

Maxim Integrated

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IC NVSRAM 1M PARALLEL 32EDIP

• 제조업체: Maxim Integrated
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: NVSRAM
• 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
• 접근 시간: 70ns
• 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: 32-DIP Module (0.600", 15.24mm)
• 공급자 장치 패키지: 32-EDIP

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71V321L25TFGI

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 16K PARALLEL 64TQFP

• 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Volatile
• 메모리 포맷: SRAM
• 기술: SRAM - Dual Port, Asynchronous
• 메모리 크기: 16Kb (2K x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 25ns
• 접근 시간: 25ns
• 전압-공급: 3V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 64-LQFP
• 공급자 장치 패키지: 64-TQFP (10x10)

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DS1225AD-70IND+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

• 제조업체: Maxim Integrated
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: NVSRAM
• 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• 메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
• 접근 시간: 70ns
• 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
• 공급자 장치 패키지: 28-EDIP

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CY7C1069G30-10ZSXI

Cypress Semiconductor

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IC SRAM 16M PARALLEL 54TSOP

• 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Volatile
• 메모리 포맷: SRAM
• 기술: SRAM - Asynchronous
• 메모리 크기: 16Mb (2M x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 10ns
• 접근 시간: 10ns
• 전압-공급: 2.2V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 54-TSOP II

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71256L70DB

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 256K PARALLEL 28CERDIP

• 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Volatile
• 메모리 포맷: SRAM
• 기술: SRAM - Asynchronous
• 메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
• 접근 시간: 70ns
• 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
• 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TA)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: 28-CDIP (0.600", 15.24mm)
• 공급자 장치 패키지: 28-CerDip

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DS1225AD-200+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP

• 제조업체: Maxim Integrated
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: NVSRAM
• 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
• 메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 200ns
• 접근 시간: 200ns
• 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
• 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
• 장착 유형: Through Hole
• 패키지 / 케이스: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
• 공급자 장치 패키지: 28-EDIP

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IS43TR16512BL-125KBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 8G PARALLEL 96FBGA

• 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Volatile
• 메모리 포맷: DRAM
• 기술: SDRAM - DDR3L
• 메모리 크기: 8Gb (512M x 16)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: 800MHz
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
• 접근 시간: 20ns
• 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V
• 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 96-TFBGA
• 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (10x14)

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MB85R4M2TFN-G-ASE1

Fujitsu Electronics

기억

IC FRAM 4M PARALLEL 44TSOP

• 제조업체: Fujitsu Electronics America, Inc.
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Non-Volatile
• 메모리 포맷: FRAM
• 기술: FRAM (Ferroelectric RAM)
• 메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: -
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 150ns
• 접근 시간: 150ns
• 전압-공급: 1.8V ~ 3.6V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
• 공급자 장치 패키지: 44-TSOP

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CY7C2563XV18-633BZXC

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA

• 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Volatile
• 메모리 포맷: SRAM
• 기술: SRAM - Synchronous, QDR II+
• 메모리 크기: 72Mb (4M x 18)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: 633MHz
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
• 접근 시간: -
• 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
• 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 165-LBGA
• 공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)

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CY7C2665KV18-550BZXC

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 144M PARALLEL 165FBGA

• 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Volatile
• 메모리 포맷: SRAM
• 기술: SRAM - Synchronous, QDR II+
• 메모리 크기: 144Mb (4M x 36)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: 550MHz
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
• 접근 시간: -
• 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
• 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 165-LBGA
• 공급자 장치 패키지: 165-FBGA (15x17)

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CY7C2663KV18-550BZXC

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 144M PARALLEL 165FBGA

• 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Volatile
• 메모리 포맷: SRAM
• 기술: SRAM - Synchronous, QDR II+
• 메모리 크기: 144Mb (8M x 18)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: 550MHz
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
• 접근 시간: -
• 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
• 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 165-LBGA
• 공급자 장치 패키지: 165-FBGA (15x17)

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CY7C2670KV18-550BZI

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 144M PARALLEL 165FBGA

• 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Volatile
• 메모리 포맷: SRAM
• 기술: SRAM - Synchronous, DDR II+
• 메모리 크기: 144Mb (4M x 36)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: 550MHz
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
• 접근 시간: -
• 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 165-LBGA
• 공급자 장치 패키지: 165-FBGA (15x17)

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CY7C2665KV18-550BZXI

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 144M PARALLEL 165FBGA

• 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Volatile
• 메모리 포맷: SRAM
• 기술: SRAM - Synchronous, QDR II+
• 메모리 크기: 144Mb (4M x 36)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: 550MHz
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
• 접근 시간: -
• 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 165-LBGA
• 공급자 장치 패키지: 165-FBGA (15x17)

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CY7C1623KV18-333BZXC

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 144M PARALLEL 165FBGA

• 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Volatile
• 메모리 포맷: SRAM
• 기술: SRAM - Synchronous, DDR II
• 메모리 크기: 144Mb (8M x 18)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: 333MHz
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
• 접근 시간: -
• 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
• 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 165-LBGA
• 공급자 장치 패키지: 165-FBGA (15x17)

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CY7C2665KV18-450BZXI

Cypress Semiconductor

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IC SRAM 144M PARALLEL 165FBGA

• 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Volatile
• 메모리 포맷: SRAM
• 기술: SRAM - Synchronous, QDR II+
• 메모리 크기: 144Mb (4M x 36)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: 450MHz
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
• 접근 시간: -
• 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 165-LBGA
• 공급자 장치 패키지: 165-FBGA (15x17)

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CY7C25682KV18-550BZXI

Cypress Semiconductor

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IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA

• 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Volatile
• 메모리 포맷: SRAM
• 기술: SRAM - Synchronous, DDR II+
• 메모리 크기: 72Mb (4M x 18)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: 550MHz
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
• 접근 시간: -
• 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 165-LBGA
• 공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)

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CY7C25632KV18-550BZXI

Cypress Semiconductor

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IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA

• 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Volatile
• 메모리 포맷: SRAM
• 기술: SRAM - Synchronous, QDR II+
• 메모리 크기: 72Mb (4M x 18)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: 550MHz
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
• 접근 시간: -
• 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 165-LBGA
• 공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)

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CY7C1565KV18-550BZXC

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA

• 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Volatile
• 메모리 포맷: SRAM
• 기술: SRAM - Synchronous, QDR II+
• 메모리 크기: 72Mb (2M x 36)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: 550MHz
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
• 접근 시간: -
• 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
• 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 165-LBGA
• 공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)

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CY7C4122KV13-106FCXC

Cypress Semiconductor

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IC SRAM 144M PARALLEL 361FCBGA

• 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Volatile
• 메모리 포맷: SRAM
• 기술: SRAM - Synchronous, QDR IV
• 메모리 크기: 144Mb (8M x 18)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: 1066MHz
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
• 접근 시간: -
• 전압-공급: 1.26V ~ 1.34V
• 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 361-BBGA, FCBGA
• 공급자 장치 패키지: 361-FCBGA (21x21)

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CYD18S72V-100BBC

Cypress Semiconductor

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IC SRAM 18M PARALLEL 484FBGA

• 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Volatile
• 메모리 포맷: SRAM
• 기술: SRAM - Dual Port, Synchronous
• 메모리 크기: 18Mb (256K x 72)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: 100MHz
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
• 접근 시간: -
• 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
• 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 484-BGA
• 공급자 장치 패키지: 484-FBGA (23x23)

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CY7C25632KV18-500BZXC

Cypress Semiconductor

기억

IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA

• 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Volatile
• 메모리 포맷: SRAM
• 기술: SRAM - Synchronous, QDR II+
• 메모리 크기: 72Mb (4M x 18)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: 500MHz
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
• 접근 시간: -
• 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
• 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 165-LBGA
• 공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)

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CY7C25632KV18-500BZXI

Cypress Semiconductor

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IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA

• 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Volatile
• 메모리 포맷: SRAM
• 기술: SRAM - Synchronous, QDR II+
• 메모리 크기: 72Mb (4M x 18)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: 500MHz
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
• 접근 시간: -
• 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
• 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 165-LBGA
• 공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)

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CY7C25652KV18-500BZXC

Cypress Semiconductor

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IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA

• 제조업체: Cypress Semiconductor Corp
• 시리즈: -
• 메모리 유형: Volatile
• 메모리 포맷: SRAM
• 기술: SRAM - Synchronous, QDR II+
• 메모리 크기: 72Mb (2M x 36)
• 메모리 인터페이스: Parallel
• 시계 주파수: 500MHz
• 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
• 접근 시간: -
• 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
• 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
• 장착 유형: Surface Mount
• 패키지 / 케이스: 165-LBGA
• 공급자 장치 패키지: 165-FBGA (13x15)

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