트랜지스터

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부품 번호	설명	재고 있음
NE3520S03-T1C-A CEL	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 4V 20GHZ S03 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: HFET 주파수: 20GHz 이득: 13.5dB 전압-테스트: 2V 전류 정격 (Amps): 70mA 소음 수치: 0.65dB 현재-테스트: 10mA 전원-출력: - 전압-정격: 4V 패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: S03	재고 있음3,528
NE3521M04-A CEL	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel 주파수: 20GHz 이득: 10.5dB 전압-테스트: 2V 전류 정격 (Amps): 15mA 소음 수치: 0.85dB 현재-테스트: 6mA 전원-출력: - 전압-정격: 3V 패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,538
NE3521M04-T2-A CEL	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC HJ-FET N-CH GAAS 4SMINI 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel GaAs HJ-FET 주파수: 20GHz 이득: 11dB 전압-테스트: 2V 전류 정격 (Amps): 70mA 소음 수치: 0.85dB 현재-테스트: 6mA 전원-출력: - 전압-정격: 4V 패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,564
NE4210S01 CEL	트랜지스터-FET, MOSFET-RF HJ-FET 13DB S01 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: HFET 주파수: 12GHz 이득: 13dB 전압-테스트: 2V 전류 정격 (Amps): 15mA 소음 수치: 0.5dB 현재-테스트: 10mA 전원-출력: - 전압-정격: 4V 패키지 / 케이스: 4-SMD 공급자 장치 패키지: SMD	재고 있음3,672
NE4210S01-T1B CEL	트랜지스터-FET, MOSFET-RF HJ-FET 13DB S01 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: HFET 주파수: 12GHz 이득: 13dB 전압-테스트: 2V 전류 정격 (Amps): 15mA 소음 수치: 0.5dB 현재-테스트: 10mA 전원-출력: - 전압-정격: 4V 패키지 / 케이스: 4-SMD 공급자 장치 패키지: SMD	재고 있음5,742
NE5511279A-T1-A CEL	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 20V 900MHZ 79A-PKG 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 900MHz 이득: 15dB 전압-테스트: 7.5V 전류 정격 (Amps): 3A 소음 수치: - 현재-테스트: 400mA 전원-출력: 40dBm 전압-정격: 20V 패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 79A	재고 있음6,192
NE5520379A-T1A-A CEL	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 15V 915MHZ 79A-PKG 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 915MHz 이득: 16dB 전압-테스트: 3.2V 전류 정격 (Amps): 1.5A 소음 수치: - 현재-테스트: - 전원-출력: 35.5dBm 전압-정격: 15V 패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 79A	재고 있음7,920
NE552R679A-A CEL	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 3V 460MHZ 79A-PKG 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 460MHz 이득: 20dB 전압-테스트: 3V 전류 정격 (Amps): 350mA 소음 수치: - 현재-테스트: 300mA 전원-출력: 28dbm 전압-정격: 3V 패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 79A	재고 있음6,156
NE552R679A-T1A-A CEL	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 3V 460MHZ 79A-PKG 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 460MHz 이득: 20dB 전압-테스트: 3V 전류 정격 (Amps): 350mA 소음 수치: - 현재-테스트: 300mA 전원-출력: 28dbm 전압-정격: 3V 패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 79A	재고 있음4,878
NE5531079A-A CEL	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 30V 460MHZ 79A 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 460MHz 이득: - 전압-테스트: 7.5V 전류 정격 (Amps): 3A 소음 수치: - 현재-테스트: 200mA 전원-출력: 40dBm 전압-정격: 30V 패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 79A	재고 있음4,284
NE5531079A-T1-A CEL	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 30V 460MHZ 79A 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 460MHz 이득: - 전압-테스트: 7.5V 전류 정격 (Amps): 3A 소음 수치: - 현재-테스트: 200mA 전원-출력: 40dBm 전압-정격: 30V 패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 79A	재고 있음6,120
NE5531079A-T1A-A CEL	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 30V 460MHZ 79A 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 460MHz 이득: - 전압-테스트: 7.5V 전류 정격 (Amps): 3A 소음 수치: - 현재-테스트: 200mA 전원-출력: 40dBm 전압-정격: 30V 패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 79A	재고 있음2,862
NE55410GR-AZ CEL	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.14GHZ 16-HTSSOP 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.14GHz 이득: 13.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 250mA, 1A 소음 수치: - 현재-테스트: 20mA 전원-출력: 35.4dBm 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 16-DFF, Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 16-HTSSOP	재고 있음4,842
NE55410GR-T3-AZ CEL	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 65V 2.14GHZ 16-HTSSOP 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 2.14GHz 이득: 13.5dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 250mA, 1A 소음 수치: - 현재-테스트: 20mA 전원-출력: 35.4dBm 전압-정격: 65V 패키지 / 케이스: 16-DFF, Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 16-HTSSOP	재고 있음7,830
NE5550234-AZ CEL	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 30V 900MHZ 3MINIMOLD 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel 주파수: 900MHz 이득: 23.5dB 전압-테스트: 7.5V 전류 정격 (Amps): 600mA 소음 수치: - 현재-테스트: 40mA 전원-출력: 32.2dB 전압-정격: 30V 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: 3-PowerMiniMold	재고 있음7,794
NE5550234-T1-AZ CEL	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 30V 900MHZ 3MINIMOLD 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel 주파수: 900MHz 이득: 23.5dB 전압-테스트: 7.5V 전류 정격 (Amps): 600mA 소음 수치: - 현재-테스트: 40mA 전원-출력: 32.2dB 전압-정격: 30V 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: 3-PowerMiniMold	재고 있음3,690
NE5550279A-A CEL	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 30V 900MHZ 79A 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 900MHz 이득: 22.5dB 전압-테스트: 7.5V 전류 정격 (Amps): 600mA 소음 수치: - 현재-테스트: 40mA 전원-출력: 33dBm 전압-정격: 30V 패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 79A	재고 있음3,294
NE5550279A-T1-A CEL	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 30V 900MHZ 79A 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 900MHz 이득: 22.5dB 전압-테스트: 7.5V 전류 정격 (Amps): 600mA 소음 수치: - 현재-테스트: 40mA 전원-출력: 33dBm 전압-정격: 30V 패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 79A	재고 있음4,968
NE5550779A-A CEL	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 30V 900MHZ 79A 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 900MHz 이득: 22dB 전압-테스트: 7.5V 전류 정격 (Amps): 2.1A 소음 수치: - 현재-테스트: 140mA 전원-출력: 38.5dBm 전압-정격: 30V 패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 79A	재고 있음6,822
NE5550779A-T1-A CEL	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 30V 900MHZ 79A-PKG 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 900MHz 이득: 22dB 전압-테스트: 7.5V 전류 정격 (Amps): 2.1A 소음 수치: - 현재-테스트: 140mA 전원-출력: 38.5dBm 전압-정격: 30V 패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 79A	재고 있음8,064
NE5550979A-A CEL	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 30V 900MHZ 79A-PKG 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 900MHz 이득: 22dB 전압-테스트: 7.5V 전류 정격 (Amps): 3A 소음 수치: - 현재-테스트: 200mA 전원-출력: 38.6dBm 전압-정격: 30V 패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 79A	재고 있음6,012
NE5550979A-T1-A CEL	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 30V 900MHZ 79A-PKG 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: LDMOS 주파수: 900MHz 이득: 22dB 전압-테스트: 7.5V 전류 정격 (Amps): 3A 소음 수치: - 현재-테스트: 200mA 전원-출력: 38.6dBm 전압-정격: 30V 패키지 / 케이스: 79A 공급자 장치 패키지: 79A	재고 있음6,192
NE650103M-A CEL	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 15V 2.3GHZ 3M 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: MESFET 주파수: 2.3GHz 이득: 11dB 전압-테스트: 10V 전류 정격 (Amps): 5A 소음 수치: - 현재-테스트: 1.5A 전원-출력: 40dBm 전압-정격: 15V 패키지 / 케이스: SOT-445 Variant 공급자 장치 패키지: 3M	재고 있음5,562
NE6510179A-A CEL	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 8V 1.9GHZ 79A 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: HFET 주파수: 1.9GHz 이득: 10dB 전압-테스트: 3.5V 전류 정격 (Amps): 2.8A 소음 수치: - 현재-테스트: 200mA 전원-출력: 32.5dBm 전압-정격: 8V 패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 79A	재고 있음3,276
NE6510179A-T1-A CEL	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 8V 1.9GHZ 79A 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: HFET 주파수: 1.9GHz 이득: 10dB 전압-테스트: 3.5V 전류 정격 (Amps): 2.8A 소음 수치: - 현재-테스트: 200mA 전원-출력: 32.5dBm 전압-정격: 8V 패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 79A	재고 있음6,282
NE651R479A-A CEL	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 8V 1.9GHZ 79A 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: HFET 주파수: 1.9GHz 이득: 12dB 전압-테스트: 3.5V 전류 정격 (Amps): 1A 소음 수치: - 현재-테스트: 50mA 전원-출력: 27dBm 전압-정격: 8V 패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 79A	재고 있음7,038
NE651R479A-T1-A CEL	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 8V 1.9GHZ 79A 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: HFET 주파수: 1.9GHz 이득: 12dB 전압-테스트: 3.5V 전류 정격 (Amps): 1A 소음 수치: - 현재-테스트: 50mA 전원-출력: 27dBm 전압-정격: 8V 패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 79A	재고 있음7,902
NPT1004D M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-FET, MOSFET-RF HEMT N-CH 28V 45W DC-4GHZ 8SOIC 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: - 트랜지스터 유형: HEMT 주파수: 0Hz ~ 4GHz 이득: 13dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 9.5A 소음 수치: - 현재-테스트: 350mA 전원-출력: 37dBm 전압-정격: 100V 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-SOP2	재고 있음6,276
NPT1007B M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-FET, MOSFET-RF TRANSISTOR GAN DC-1200MHZ 200W 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: - 트랜지스터 유형: HEMT 주파수: 900MHz 이득: 18.3dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): 20.5A 소음 수치: - 현재-테스트: 1.4A 전원-출력: 53dBm 전압-정격: 100V 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,914
NPT1010B M/A-Com Technology Solutions	트랜지스터-FET, MOSFET-RF HEMT N-CH 28V 100W DC-2000MHZ 제조업체: M/A-Com Technology Solutions 시리즈: - 트랜지스터 유형: HEMT 주파수: 0Hz ~ 2GHz 이득: 19.7dB 전압-테스트: 28V 전류 정격 (Amps): - 소음 수치: - 현재-테스트: 700mA 전원-출력: - 전압-정격: 100V 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,892

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