트랜지스터

기록 64,903

페이지 924/2164

부품 번호	설명	재고 있음
NE34018-A CEL	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 4V 2GHZ SOT-343 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: HFET 주파수: 2GHz 이득: 16dB 전압-테스트: 2V 전류 정격 (Amps): 120mA 소음 수치: 0.6dB 현재-테스트: 5mA 전원-출력: 12dBm 전압-정격: 4V 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: SOT-343	재고 있음3,438
NE34018-T1 CEL	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 4V 2GHZ SOT-343 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: HFET 주파수: 2GHz 이득: 16dB 전압-테스트: 2V 전류 정격 (Amps): 120mA 소음 수치: 0.6dB 현재-테스트: 5mA 전원-출력: 12dBm 전압-정격: 4V 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: SOT-343	재고 있음5,904
NE34018-T1-64-A CEL	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 4V 2GHZ SOT-343 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: HFET 주파수: 2GHz 이득: 16dB 전압-테스트: 2V 전류 정격 (Amps): 120mA 소음 수치: 0.6dB 현재-테스트: 5mA 전원-출력: 12dBm 전압-정격: 4V 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: SOT-343	재고 있음3,546
NE34018-T1-A CEL	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 4V 2GHZ SOT-343 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: HFET 주파수: 2GHz 이득: 16dB 전압-테스트: 2V 전류 정격 (Amps): 120mA 소음 수치: 0.6dB 현재-테스트: 5mA 전원-출력: 12dBm 전압-정격: 4V 패키지 / 케이스: SC-82A, SOT-343 공급자 장치 패키지: SOT-343	재고 있음7,884
NE350184C CEL	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 4V 20GHZ MICRO-X 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: HFET 주파수: 20GHz 이득: 13.5dB 전압-테스트: 2V 전류 정격 (Amps): 70mA 소음 수치: 0.7dB 현재-테스트: 10mA 전원-출력: - 전압-정격: 4V 패키지 / 케이스: Micro-X ceramic (84C) 공급자 장치 패키지: 84C	재고 있음7,524
NE3503M04-A CEL	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 4V 12GHZ M04 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: HFET 주파수: 12GHz 이득: 12dB 전압-테스트: 2V 전류 정격 (Amps): 70mA 소음 수치: 0.45dB 현재-테스트: 10mA 전원-출력: - 전압-정격: 4V 패키지 / 케이스: SOT-343F 공급자 장치 패키지: M04	재고 있음7,812
NE3503M04-T2-A CEL	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 4V 12GHZ M04 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: HFET 주파수: 12GHz 이득: 12dB 전압-테스트: 2V 전류 정격 (Amps): 70mA 소음 수치: 0.45dB 현재-테스트: 10mA 전원-출력: - 전압-정격: 4V 패키지 / 케이스: SOT-343F 공급자 장치 패키지: M04	재고 있음5,058
NE3503M04-T2B-A CEL	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 4V 12GHZ M04 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: HFET 주파수: 12GHz 이득: 12dB 전압-테스트: 2V 전류 정격 (Amps): 70mA 소음 수치: 0.45dB 현재-테스트: 10mA 전원-출력: - 전압-정격: 4V 패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: M04	재고 있음7,812
NE3508M04-A CEL	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 4V 2GHZ 4-TSMM 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: HFET 주파수: 2GHz 이득: 14dB 전압-테스트: 2V 전류 정격 (Amps): 120mA 소음 수치: 0.45dB 현재-테스트: 10mA 전원-출력: 18dBm 전압-정격: 4V 패키지 / 케이스: SOT-343F 공급자 장치 패키지: F4TSMM, M04	재고 있음3,294
NE3508M04-T2-A CEL	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 4V 2GHZ 4-TSMM 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: HFET 주파수: 2GHz 이득: 14dB 전압-테스트: 2V 전류 정격 (Amps): 120mA 소음 수치: 0.45dB 현재-테스트: 10mA 전원-출력: 18dBm 전압-정격: 4V 패키지 / 케이스: SOT-343F 공급자 장치 패키지: F4TSMM, M04	재고 있음8,136
NE3509M04-A CEL	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 4V 2GHZ 4-SMINI 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: HFET 주파수: 2GHz 이득: 17.5dB 전압-테스트: 2V 전류 정격 (Amps): 60mA 소음 수치: 0.4dB 현재-테스트: 10mA 전원-출력: 11dBm 전압-정격: 4V 패키지 / 케이스: SOT-343F 공급자 장치 패키지: M04	재고 있음3,060
NE3509M04-T2-A CEL	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 4V 2GHZ SOT-343 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: HFET 주파수: 2GHz 이득: 17.5dB 전압-테스트: 2V 전류 정격 (Amps): 60mA 소음 수치: 0.4dB 현재-테스트: 10mA 전원-출력: 11dBm 전압-정격: 4V 패키지 / 케이스: SOT-343F 공급자 장치 패키지: M04	재고 있음2,286
NE3510M04-A CEL	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 4V 4GHZ M04 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: HFET 주파수: 4GHz 이득: 16dB 전압-테스트: 2V 전류 정격 (Amps): 97mA 소음 수치: 0.45dB 현재-테스트: 15mA 전원-출력: 11dBm 전압-정격: 4V 패키지 / 케이스: SOT-343F 공급자 장치 패키지: M04	재고 있음3,798
NE3510M04-T2-A CEL	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 4V 4GHZ M04 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: HFET 주파수: 4GHz 이득: 16dB 전압-테스트: 2V 전류 정격 (Amps): 97mA 소음 수치: 0.45dB 현재-테스트: 15mA 전원-출력: - 전압-정격: 4V 패키지 / 케이스: SOT-343F 공급자 장치 패키지: M04	재고 있음8,208
NE3511S02-A CEL	트랜지스터-FET, MOSFET-RF HJ-FET NCH 13.5DB S02 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: HFET 주파수: 12GHz 이득: 13.5dB 전압-테스트: 2V 전류 정격 (Amps): 70mA 소음 수치: 0.3dB 현재-테스트: 10mA 전원-출력: - 전압-정격: 4V 패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: S02	재고 있음7,434
NE3511S02-T1C-A CEL	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC AMP RF LNA 13.5DB S02 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: HFET 주파수: 12GHz 이득: 13.5dB 전압-테스트: 2V 전류 정격 (Amps): 70mA 소음 수치: 0.3dB 현재-테스트: 10mA 전원-출력: - 전압-정격: 4V 패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: S02	재고 있음4,626
NE3512S02-A CEL	트랜지스터-FET, MOSFET-RF HJ-FET NCH 13.5DB S02 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: HFET 주파수: 12GHz 이득: 13.5dB 전압-테스트: 2V 전류 정격 (Amps): 70mA 소음 수치: 0.35dB 현재-테스트: 10mA 전원-출력: - 전압-정격: 4V 패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: S02	재고 있음3,960
NE3512S02-T1C-A CEL	트랜지스터-FET, MOSFET-RF HJ-FET NCH 13.5DB S02 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: HFET 주파수: 12GHz 이득: 13.5dB 전압-테스트: 2V 전류 정격 (Amps): 70mA 소음 수치: 0.35dB 현재-테스트: 10mA 전원-출력: - 전압-정격: 4V 패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: S02	재고 있음2,898
NE3513M04-A CEL	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel GaAs HJ-FET 주파수: 12GHz 이득: 13dB 전압-테스트: 2V 전류 정격 (Amps): 60mA 소음 수치: 0.65dB 현재-테스트: 10mA 전원-출력: 125mW 전압-정격: 4V 패키지 / 케이스: SOT-343F 공급자 장치 패키지: M04	재고 있음2,700
NE3513M04-T2-A CEL	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel GaAs HJ-FET 주파수: 12GHz 이득: 13dB 전압-테스트: 2V 전류 정격 (Amps): 60mA 소음 수치: 0.65dB 현재-테스트: 10mA 전원-출력: 125mW 전압-정격: 4V 패키지 / 케이스: SOT-343F 공급자 장치 패키지: M04	재고 있음5,076
NE3513M04-T2B-A CEL	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel GaAs HJ-FET 주파수: 12GHz 이득: 13dB 전압-테스트: 2V 전류 정격 (Amps): 60mA 소음 수치: 0.65dB 현재-테스트: 10mA 전원-출력: 125mW 전압-정격: 4V 패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 4-Super Mini Mold	재고 있음2,988
NE3514S02-A CEL	트랜지스터-FET, MOSFET-RF HJ-FET NCH 10DB S02 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: HFET 주파수: 20GHz 이득: 10dB 전압-테스트: 2V 전류 정격 (Amps): 70mA 소음 수치: 0.75dB 현재-테스트: 10mA 전원-출력: - 전압-정격: 4V 패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: S02	재고 있음3,366
NE3514S02-T1C-A CEL	트랜지스터-FET, MOSFET-RF HJ-FET NCH 10DB S02 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: HFET 주파수: 20GHz 이득: 10dB 전압-테스트: 2V 전류 정격 (Amps): 70mA 소음 수치: 0.75dB 현재-테스트: 10mA 전원-출력: - 전압-정격: 4V 패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: S02	재고 있음3,258
NE3515S02-A CEL	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: HFET 주파수: 12GHz 이득: 12.5dB 전압-테스트: 2V 전류 정격 (Amps): 88mA 소음 수치: 0.3dB 현재-테스트: 10mA 전원-출력: 14dBm 전압-정격: 4V 패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: S02	재고 있음3,474
NE3515S02-T1C-A CEL	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: HFET 주파수: 12GHz 이득: 12.5dB 전압-테스트: 2V 전류 정격 (Amps): 88mA 소음 수치: 0.3dB 현재-테스트: 10mA 전원-출력: 14dBm 전압-정격: 4V 패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: S02	재고 있음1,819
NE3515S02-T1D-A CEL	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF HFET 12GHZ 2V 10MA S02 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: HFET 주파수: 12GHz 이득: 12.5dB 전압-테스트: 2V 전류 정격 (Amps): 88mA 소음 수치: 0.3dB 현재-테스트: 10mA 전원-출력: 14dBm 전압-정격: 4V 패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: S02	재고 있음7,578
NE3516S02-A CEL	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel GaAs HJ-FET 주파수: 12GHz 이득: 14dB 전압-테스트: 2V 전류 정격 (Amps): 60mA 소음 수치: 0.35dB 현재-테스트: 10mA 전원-출력: 165mW 전압-정격: 4V 패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: S02	재고 있음6,714
NE3516S02-T1C-A CEL	트랜지스터-FET, MOSFET-RF IC HJ-FET RF N-CH S02 4-MICROX 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: N-Channel GaAs HJ-FET 주파수: 12GHz 이득: 14dB 전압-테스트: 2V 전류 정격 (Amps): 60mA 소음 수치: 0.35dB 현재-테스트: 10mA 전원-출력: 165mW 전압-정격: 4V 패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: S02	재고 있음5,760
NE3517S03-T1C-A CEL	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 4V 20GHZ S03 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: HFET 주파수: 20GHz 이득: 13.5dB 전압-테스트: 2V 전류 정격 (Amps): 15mA 소음 수치: 0.7dB 현재-테스트: 10mA 전원-출력: - 전압-정격: 4V 패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: S03	재고 있음5,904
NE3520S03-A CEL	트랜지스터-FET, MOSFET-RF FET RF 4V 20GHZ S03 제조업체: CEL 시리즈: - 트랜지스터 유형: HFET 주파수: 20GHz 이득: 13.5dB 전압-테스트: 2V 전류 정격 (Amps): 70mA 소음 수치: 0.65dB 현재-테스트: 10mA 전원-출력: - 전압-정격: 4V 패키지 / 케이스: 4-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: S03	재고 있음7,128

«
‹
1
...
921
922
923
924 (current)
925
926
927
...
2164
›
»

Send Message

Certifications

트랜지스터

자원

지원

Social Media

Need Help?
Send Message