트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
TIP122G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 100V 5A TO220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 20mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 3V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음162,708
TIP122TU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 100V 5A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 20mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 3V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음3,508
TIP125 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 60V 5A TO220AB 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 20mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 3V 전력-최대: - 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음3,024
TIP125 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 60V 5A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 20mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 2mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 3V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음3,960
TIP125 STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 60V 5A TO-220 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 20mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 3V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음30,660
TIP125-BP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 60V 5A TO-220 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 20mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 3V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음2,322
TIP125G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 60V 5A TO220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 20mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 3V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음7,500
TIP125 SL Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 60V 5A TO220AB 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 20mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 3V 전력-최대: - 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음7,776
TIP125TU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 60V 5A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 20mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 2mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 3V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음2,700
TIP126 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 80V 5A TO220AB 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: * 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 20mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 3V 전력-최대: 65W 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음3,492
TIP126 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 80V 5A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 20mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 2mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 3V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음2,700
TIP126 STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 80V 5A TO-220 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 20mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 3V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음3,924
TIP126-BP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 80V 5A TO-220 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 20mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 3V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음18,408
TIP126D Bourns	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 80V 5A TO220 제조업체: Bourns Inc. 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 20mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 3V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음8,838
TIP126G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 80V 5A TO220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 20mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 3V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음16,596
TIP126TU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 80V 5A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 20mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 2mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 3V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음7,080
TIP127 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 100V 5A TO220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 20mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 3V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음4,194
TIP127 STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 100V 5A TO-220 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 20mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 3V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음47,298
TIP127-BP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 100V 5A TO-220 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 20mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 3V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음3,438
TIP127FP STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 100V 5A TO-220FP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 20mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 3V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220FP	재고 있음4,464
TIP127G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 100V 5A TO220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 20mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 3V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음34,590
TIP127TU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 100V 5A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 20mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 2mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 3V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음6,804
TIP130 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 60V 8A TO-220AB 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: * 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음6,318
TIP131 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 80V 8A TO-220AB 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: 70W 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음3,582
TIP131 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 80V 8A TO-220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 30mA, 6A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음7,560
TIP131G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 80V 8A TO-220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 30mA, 6A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음3,744
TIP132 STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 100V 8A TO-220 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 30mA, 6A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음12,504
TIP132G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 100V 8A TO-220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 30mA, 6A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음7,632
TIP135 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 60V 8A TO-220AB 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: 70W 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음6,984
TIP135 STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 60V 8A TO-220 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 30mA, 6A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음3,780

TIP122G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 100V 5A TO220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 20mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 3V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음162,708

TIP122TU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 100V 5A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 20mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 3V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음3,508

TIP125

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 60V 5A TO220AB

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 20mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 3V
전력-최대: -
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음3,024

TIP125

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 60V 5A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 20mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 2mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 3V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음3,960

TIP125

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 60V 5A TO-220

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 20mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 3V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음30,660

TIP125-BP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 60V 5A TO-220

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 20mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 3V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음2,322

TIP125G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 60V 5A TO220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 20mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 3V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음7,500

TIP125 SL

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 60V 5A TO220AB

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 20mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 3V
전력-최대: -
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음7,776

TIP125TU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 60V 5A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 20mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 2mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 3V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음2,700

TIP126

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 80V 5A TO220AB

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: *
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 20mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 3V
전력-최대: 65W
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음3,492

TIP126

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 80V 5A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 20mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 2mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 3V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음2,700

TIP126

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 80V 5A TO-220

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 20mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 3V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음3,924

TIP126-BP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 80V 5A TO-220

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 20mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 3V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음18,408

TIP126D

Bourns

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 80V 5A TO220

제조업체: Bourns Inc.
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 20mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 3V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음8,838

TIP126G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 80V 5A TO220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 20mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 3V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음16,596

TIP126TU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 80V 5A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 20mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 2mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 3V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음7,080

TIP127

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 100V 5A TO220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 20mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 3V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음4,194

TIP127

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 100V 5A TO-220

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 20mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 3V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음47,298

TIP127-BP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 100V 5A TO-220

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 20mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 3V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음3,438

TIP127FP

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 100V 5A TO-220FP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 20mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 3V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220FP

재고 있음4,464

TIP127G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 100V 5A TO220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 20mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 3V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음34,590

TIP127TU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 100V 5A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 20mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 2mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 3V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음6,804

TIP130

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 60V 8A TO-220AB

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: *
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음6,318

TIP131

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 80V 8A TO-220AB

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: 70W
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음3,582

TIP131

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 80V 8A TO-220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 30mA, 6A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음7,560

TIP131G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 80V 8A TO-220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 30mA, 6A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음3,744

TIP132

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 100V 8A TO-220

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 30mA, 6A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음12,504

TIP132G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 100V 8A TO-220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 30mA, 6A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음7,632

TIP135

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 60V 8A TO-220AB

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: 70W
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음6,984

TIP135

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 60V 8A TO-220

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 30mA, 6A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 4A, 4V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음3,780

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