트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
STX790AG-AP STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 30V 3A TO92 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V 전력-최대: 900mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92AP	재고 있음4,914
STX817A STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 80V 1.5A TO-92 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V 전력-최대: 900mW 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음7,254
STX826 STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 30V 3A TO92 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.1V @ 150mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V 전력-최대: 900mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음4,716
STX83003 STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 1A TO-92 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 350mA 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 16 @ 350mA, 5V 전력-최대: 1.5W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음13,560
STX83003-AP STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 400V 1A TO-92 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 350mA 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 16 @ 350mA, 5V 전력-최대: 1.5W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,772
STX93003 STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 400V 1A TO-92 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 16 @ 350mA, 5V 전력-최대: 1.5W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92	재고 있음1,094,862
STX93003-AP STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 400V 1A TO-92 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 16 @ 350mA, 5V 전력-최대: 1.5W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92	재고 있음3,384
SXTA42TA Diodes Incorporated	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 300V 0.5A SOT89 제조업체: Diodes Incorporated 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 50MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-243AA 공급자 장치 패키지: SOT-89-3	재고 있음279,324
SZT1010T1G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS SOT223 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,708
TB100EP WeEn Semiconductors	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TB100/TO-92/STANDARD MARKING * 제조업체: WeEn Semiconductors 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 700V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 150mA, 750mA 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 14 @ 100mA, 5V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음7,272
TB100ML WeEn Semiconductors	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TB100/TO-92/STANDARD MARKING * 제조업체: WeEn Semiconductors 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 700V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 150mA, 750mA 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 14 @ 100mA, 5V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,484
TBC847B,LM Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 X34 PB-F SOT-23 TRANSISTOR FOR L 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 30nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V 전력-최대: 320mW 주파수-전환: 100MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23	재고 있음24,144
TBC857B,LM Toshiba Semiconductor and Storage	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 X34 PB-F SOT-23 TRANSISTOR FOR L 제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 650mV @ 100mA, 5mA 전류-수집기 차단 (최대): 30nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 5V 전력-최대: 320mW 주파수-전환: 80MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23	재고 있음6,696
TEC301-303 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANSISTOR TO-106 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,014
TEC304 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANSISTOR TO-106 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: - 전류-수집기 (Ic) (최대): - 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): - Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: - 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,502
TIP100 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 8A TO220 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: * 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 80mA, 8A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V 전력-최대: 80W 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음4,860
TIP100 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 60V 8A TO-220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 80mA, 8A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음5,886
TIP100-BP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 60V 8A TO-220 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 80mA, 8A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V 전력-최대: 80W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음17,244
TIP100G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 60V 8A TO-220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 80mA, 8A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음12,504
TIP101 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 8A TO220 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 80mA, 8A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V 전력-최대: 80W 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음2,664
TIP101 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 80V 8A TO-220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 80mA, 8A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음2,502
TIP101-BP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 80V 8A TO-220 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 80mA, 8A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V 전력-최대: 80W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음5,346
TIP101G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 8A TO-220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 80mA, 8A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음18,822
TIP102 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 100V 8A TO220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 80mA, 8A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음8,748
TIP102 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 THROUGH-HOLE TRANSISTOR BIPOLAR 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: - 전류-수집기 차단 (최대): - DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: 80W 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음4,698
TIP102 STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 100V 8A TO-220 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 80mA, 8A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음12,108
TIP102-BP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 100V 8A TO-220 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 80mA, 8A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V 전력-최대: 80W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220	재고 있음3,528
TIP102G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 100V 8A TO220AB 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 80mA, 8A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220AB	재고 있음35,730
TIP102TSTU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 100V 8A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 80mA, 8A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음2,034
TIP102TU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 100V 8A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 8A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 80mA, 8A 전류-수집기 차단 (최대): 50µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음4,752

STX790AG-AP

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 30V 3A TO92

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V
전력-최대: 900mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92AP

재고 있음4,914

STX817A

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 80V 1.5A TO-92

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 2V
전력-최대: 900mW
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음7,254

STX826

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 30V 3A TO92

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.1V @ 150mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 2V
전력-최대: 900mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음4,716

STX83003

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 1A TO-92

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 350mA
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 16 @ 350mA, 5V
전력-최대: 1.5W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음13,560

STX83003-AP

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 400V 1A TO-92

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 350mA
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 16 @ 350mA, 5V
전력-최대: 1.5W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음2,772

STX93003

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 400V 1A TO-92

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 16 @ 350mA, 5V
전력-최대: 1.5W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92

재고 있음1,094,862

STX93003-AP

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 400V 1A TO-92

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 400V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 16 @ 350mA, 5V
전력-최대: 1.5W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92

재고 있음3,384

SXTA42TA

Diodes Incorporated

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 300V 0.5A SOT89

제조업체: Diodes Incorporated
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 500mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 300V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 50MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-243AA
공급자 장치 패키지: SOT-89-3

재고 있음279,324

SZT1010T1G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS SOT223

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,708

TB100EP

WeEn Semiconductors

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TB100/TO-92/STANDARD MARKING *

제조업체: WeEn Semiconductors
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 700V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 150mA, 750mA
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 14 @ 100mA, 5V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음7,272

TB100ML

WeEn Semiconductors

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TB100/TO-92/STANDARD MARKING *

제조업체: WeEn Semiconductors
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 700V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 150mA, 750mA
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 14 @ 100mA, 5V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음2,484

TBC847B,LM

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

X34 PB-F SOT-23 TRANSISTOR FOR L

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 30nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
전력-최대: 320mW
주파수-전환: 100MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23

재고 있음24,144

TBC857B,LM

Toshiba Semiconductor and Storage

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

X34 PB-F SOT-23 TRANSISTOR FOR L

제조업체: Toshiba Semiconductor and Storage
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 150mA
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 650mV @ 100mA, 5mA
전류-수집기 차단 (최대): 30nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 5V
전력-최대: 320mW
주파수-전환: 80MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23

재고 있음6,696

TEC301-303

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANSISTOR TO-106

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,014

TEC304

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANSISTOR TO-106

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: -
전류-수집기 (Ic) (최대): -
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): -
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: -
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,502

TIP100

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 8A TO220

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: *
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 80mA, 8A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V
전력-최대: 80W
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음4,860

TIP100

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 60V 8A TO-220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 80mA, 8A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음5,886

TIP100-BP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 60V 8A TO-220

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 80mA, 8A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V
전력-최대: 80W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음17,244

TIP100G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 60V 8A TO-220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 80mA, 8A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음12,504

TIP101

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 8A TO220

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 80mA, 8A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V
전력-최대: 80W
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음2,664

TIP101

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 80V 8A TO-220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 80mA, 8A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음2,502

TIP101-BP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 80V 8A TO-220

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 80mA, 8A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V
전력-최대: 80W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음5,346

TIP101G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 8A TO-220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 80mA, 8A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음18,822

TIP102

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 100V 8A TO220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 80mA, 8A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음8,748

TIP102

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

THROUGH-HOLE TRANSISTOR BIPOLAR

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: -
전류-수집기 차단 (최대): -
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: 80W
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음4,698

TIP102

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 100V 8A TO-220

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 80mA, 8A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음12,108

TIP102-BP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 100V 8A TO-220

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 80mA, 8A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V
전력-최대: 80W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220

재고 있음3,528

TIP102G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 100V 8A TO220AB

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 80mA, 8A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220AB

재고 있음35,730

TIP102TSTU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 100V 8A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 80mA, 8A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음2,034

TIP102TU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 100V 8A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 8A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 80mA, 8A
전류-수집기 차단 (최대): 50µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음4,752

Send Message

Certifications

자원

지원

Social Media

Need Help?
Send Message